• 登录
社交账号登录

DTC114YUA

DTC114YUA,NPN贴片数字晶体管,由ROHM原厂生产,SOT-323封装,参数为:Pd=200mW,Io=100mA,Vcc=50V,Gi=68,Vo(on)=0.3V,R1=10K+欧姆,R2=47K+欧姆,fr=250+MHz,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562

FMMT560QTA

FMMT560QTA,功率晶体管,品牌:Diodes,封装:SOT-23-3,参数:类型:PNP; 引脚数量:3; 最大集电极发射极电压:500 V; 最大DC直流集电极电流:0.15 A; 最小DC直流电流增益:100@1mA@10V|80@50mA@10V; 最大集电极发射极饱和电压:0.2@2mA@20mA|0....

MMBT6427

MMBT6427,三极管,达林顿管,品牌:Fairchild,封装:SOT-23-3,参数:配置:Single; 类型:NPN; 最大集电极发射极电压:40 V; 峰值DC直流集电极电流:1.2 A; 最小DC直流电流增益:10000@10mA@5V|20000@100mA@5V|14000@500mA@5V; 最大集...

2SC5964-TD-E

2SC5964-TD-E,功率晶体管,品牌:ON,封装:PCP-4,参数:类型:NPN; 引脚数量:4; 最大集电极发射极电压:50 V; 最大DC直流集电极电流:3 A; 最小DC直流电流增益:200@100mA@2V; 最大工作频率:380(Typ) MHz; 最大集电极发射极饱和电压:0.15@50mA@1A|0...

HN1C01F-GR(TE85L,F)

HN1C01F-GR(TE85L,F),功率晶体管,品牌:Toshiba,封装:SOT-26-6,参数:类型:NPN; 引脚数量:6; 最大集电极发射极电压:50 V; 最大DC直流集电极电流:0.15 A; 最小DC直流电流增益:120@2mA@6V; 最大集电极发射极饱和电压:0.25@2mA@0.1A V; 最大...

ZXTP2039FTC

ZXTP2039FTC,功率晶体管,品牌:Diodes,封装:SOT-23-3,参数:类型:PNP; 引脚数量:3; 最大集电极发射极电压:60 V; 最大DC直流集电极电流:1 A; 最小DC直流电流增益:100@1mA@5V|100@500mA@5V|80@1A@5V|15@2A@5V; 最大工作频率:150(Mi...

MMBT4403_R1_00001

MMBT4403_R1_00001,功率晶体管,品牌:Panjit,封装:SOT-23-3,参数:类型:PNP; 引脚数量:3; 最大集电极发射极电压:40 V; 最大DC直流集电极电流:0.6 A; 最小DC直流电流增益:30@0.1mA@1V|60@1mA@1V|100@10mA@1V|100@150mA@2V|2...

MMBTH10RG

MMBTH10RG,功率晶体管,品牌:Fairchild,封装:SOT-23-3,参数:类型:NPN; 引脚数量:3; 最大集电极发射极电压:40 V; 最大DC直流集电极电流:0.05 A; 最小DC直流电流增益:50@1mA@6V; 最大工作频率:450(Min) MHz; 最大集电极发射极饱和电压:0.2@5mA...

CJP718

CJP718,贴片晶体管,三极管,DFNWB2×2-3L(P0.65/0.75/0.85)封装,参数为:Pcm=1000mW,Ic=6000mA,BVcbo=25V,BVceo=20V,BVebo=7.5V,hfe(Min)=300,hfe(Max)=-,Vce(sat)=0.35V,fr=150MHz,库存实时更新....

2SB1412

2SB1412,晶体管,三极管,TO-251-3L封装,参数为:Pcm=1000mW,Ic=5000mA,BVcbo=30V,BVceo=20V,BVebo=6V,hfe(Min)=82,hfe(Max)=390,Vce(sat)=1V,fr=120+MHz,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562

ULN2074B

ULN2074B,三极管,达林顿管,品牌:STMicroelectronics,封装:Power PDIP-16,参数:配置:Quad; 类型:NPN; 最大集电极发射极电压:50 V; 峰值DC直流集电极电流:1.75 A; 最大集电极发射极饱和电压:1.1@625uA@500mA|1.2@935uA@750mA|1...

PDTC123YE,115

PDTC123YE,115,数字晶体管,品牌:NXP,封装:SC-75-3,参数:配置:Single; 类型:NPN; 最大集电极发射极电压:50 V; 峰值DC直流集电极电流:100 mA; 最小DC直流电流增益:35@5mA@5V; 工作温度:-65 to 150 ℃; 安装方式:Surface Mount. 库存...

NSV1C301ET4G

NSV1C301ET4G,功率晶体管,品牌:ON,封装:DPAK-3,参数:类型:NPN; 引脚数量:3; 最大集电极发射极电压:100 V; 最大DC直流集电极电流:3 A; 最小DC直流电流增益:200@0.1A@2V|200@0.5A@2V|120@1A@2V|80@3A@2V; 最大工作频率:120(Typ) ...

EMG2T2R

EMG2T2R,数字晶体管,品牌:Rohm,封装:EMT-5,参数:配置:Dual Common Emitter; 类型:NPN; 峰值DC直流集电极电流:100 mA; 最小DC直流电流增益:68@5mA@5V; 工作温度:-55 to 150 ℃; 安装方式:Surface Mount. 库存实时更新,询报价及购买...

NSS12100M3T5G

NSS12100M3T5G,功率晶体管,品牌:ON,封装:SOT-723-3,参数:类型:PNP; 引脚数量:3; 最大集电极发射极电压:12 V; 最大DC直流集电极电流:1 A; 最小DC直流电流增益:200@10mA@2V|120@500mA@2V|80@1A@2V; 最大集电极发射极饱和电压:0.035@0.0...

NJVMJD44H11G

NJVMJD44H11G,功率晶体管,品牌:ON,封装:DPAK-3,参数:类型:NPN; 引脚数量:3; 最大集电极发射极电压:80 V; 最大DC直流集电极电流:8 A; 最小DC直流电流增益:60@2A@1V|40@4A@1V; 最大工作频率:85(Typ) MHz; 最大集电极发射极饱和电压:1@0.4A@8A...

BC808-40E6433

BC808-40E6433,功率晶体管,品牌:Infineon,封装:SOT-23-3,参数:类型:PNP; 引脚数量:3; 最大集电极发射极电压:25 V; 最大DC直流集电极电流:0.5 A; 最小DC直流电流增益:250@100mA@1V|40@500mA@1V; 最大工作频率:200(Typ) MHz; 最大集...

BCX52TA

BCX52TA,功率晶体管,品牌:Diodes,封装:SOT-89-4,参数:类型:PNP; 引脚数量:4; 最大集电极发射极电压:60 V; 最大DC直流集电极电流:1 A; 最小DC直流电流增益:25@5mA@2V|40@150mA@2V|25@500mA@2V; 最大工作频率:150(Min) MHz; 最大集电...

2SAR522EBTL

2SAR522EBTL,功率晶体管,品牌:Rohm,封装:SOT-416FL-3,参数:类型:PNP; 引脚数量:3; 最大集电极发射极电压:20 V; 最大DC直流集电极电流:0.2 A; 最小DC直流电流增益:120@1mA@2V; 最大集电极发射极饱和电压:0.3@10mA@0.2A V; 最大集电极基极电压:2...

STB1277

STB1277,晶体管,三极管,TO-92封装,参数为:Pcm=625mW,Ic=2000mA,BVcbo=30V,BVceo=30V,BVebo=5V,hfe(Min)=100,hfe(Max)=320,Vce(sat)=0.8V,fr=170+MHz,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562