2SD1223(TE16L1,NQ)
2SD1223(TE16L1,NQ),三极管,达林顿管,品牌:Toshiba,封装:PW-Mold-3,参数:配置:Single; 类型:NPN; 最大集电极发射极电压:80 V; 最小DC直流电流增益:2000@1A@2V|1000@3A@2V; 最大集电极发射极饱和电压:1.5@6mA@3A V; 最大集电极基极电...
BUB941ZTT4
BUB941ZTT4,三极管,达林顿管,品牌:STMicroelectronics,封装:D2PAK-3,参数:配置:Single; 类型:NPN; 最大集电极发射极电压:350 V; 峰值DC直流集电极电流:15 A; 最小DC直流电流增益:300@5A@10V; 最大集电极发射极饱和电压:1.8@100mA@8A|...
2SC1213A
2SC1213A,晶体管,三极管,TO-92封装,参数为:Pcm=400mW,Ic=500mA,BVcbo=50V,BVceo=50V,BVebo=4V,hfe(Min)=60,hfe(Max)=320,Vce(sat)=0.6V,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
PMST3904,115
PMST3904,115,功率晶体管,品牌:NXP,封装:SC-70-3,参数:类型:NPN; 引脚数量:3; 最大集电极发射极电压:40 V; 最大DC直流集电极电流:0.2 A; 最小DC直流电流增益:60@0.1mA@1V|80@1mA@1V|100@10mA@1V|60@50mA@1V|30@100mA@1V;...
SMUN5214DW1T1G
SMUN5214DW1T1G,数字晶体管,品牌:ON,封装:SOT-363-6,参数:配置:Dual; 类型:NPN; 最大集电极发射极电压:50 V; 峰值DC直流集电极电流:100 mA; 最小DC直流电流增益:80@5mA@10V; 工作温度:-55 to 150 ℃; 安装方式:Surface Mount. 库...
DTC123JSATP
DTC123JSATP,数字晶体管,品牌:Rohm,封装:SPT-3,参数:配置:Single; 类型:NPN; 峰值DC直流集电极电流:100 mA; 最小DC直流电流增益:80@10mA@5V; 工作温度:-55 to 150 ℃; 安装方式:Through Hole. 询报价及购买请致电:0755-8389756...
2SA1943-OQ
2SA1943-OQ,功率晶体管,品牌:Toshiba,封装:TO-3PL-3,参数:类型:PNP; 引脚数量:3; 最大集电极发射极电压:230 V; 最大DC直流集电极电流:15 A; 最小DC直流电流增益:80@1A@5V; 最大工作频率:30(Typ) MHz; 最大集电极发射极饱和电压:3@0.8A@8A V...
2SA1708S-AN
2SA1708S-AN,功率晶体管,品牌:ON,封装:NMP-3,参数:类型:PNP; 引脚数量:3; 最大集电极发射极电压:100 V; 最大DC直流集电极电流:1 A; 最小DC直流电流增益:140@100mA@5V; 最大工作频率:120(Typ) MHz; 最大集电极发射极饱和电压:0.6@40mA@400mA...
ZX5T3ZTA
ZX5T3ZTA,功率晶体管,品牌:Diodes,封装:SOT-89-4,参数:类型:PNP; 引脚数量:4; 最大集电极发射极电压:40 V; 最大DC直流集电极电流:5.5 A; 最小DC直流电流增益:200@10mA@2V|200@500mA@2V|170@2A@2V|110@5.5A@2V; 最大工作频率:15...
ZTX657STZ
ZTX657STZ,功率晶体管,品牌:Diodes,封装:E-Line-3,参数:类型:NPN; 引脚数量:3; 最大集电极发射极电压:300 V; 最大DC直流集电极电流:0.5 A; 最小DC直流电流增益:50@100mA@5V|40@10mA@5V; 最大工作频率:30(Min) MHz; 最大集电极发射极饱和电...
ULN2074B
ULN2074B,三极管,达林顿管,品牌:STMicroelectronics,封装:Power PDIP-16,参数:配置:Quad; 类型:NPN; 最大集电极发射极电压:50 V; 峰值DC直流集电极电流:1.75 A; 最大集电极发射极饱和电压:1.1@625uA@500mA|1.2@935uA@750mA|1...
2SD1766T100P
2SD1766T100P,功率晶体管,品牌:Rohm,封装:MPT-4,参数:类型:NPN; 引脚数量:4; 最大集电极发射极电压:32 V; 最大DC直流集电极电流:2 A; 最小DC直流电流增益:82@500mA@3V; 最大工作频率:100(Typ) MHz; 最大集电极发射极饱和电压:0.8@0.2A@2A V...
MMST4403
MMST4403,贴片晶体管,三极管,SOT-323封装,参数为:Pcm=200mW,Ic=600mA,BVcbo=40V,BVceo=40V,BVebo=5V,hfe(Min)=100,hfe(Max)=300,Vce(sat)=0.75V,fr=200MHz,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
BC327-40TA
BC327-40TA,功率晶体管,品牌:Fairchild,封装:TO-92-3,参数:类型:PNP; 引脚数量:3; 最大集电极发射极电压:45 V; 最大DC直流集电极电流:0.8 A; 最小DC直流电流增益:250@100mA@1V|170@300mA@1V; 最大工作频率:100(Typ) MHz; 最大集电极...
MJD50G
MJD50G,功率晶体管,品牌:ON,封装:DPAK-3,参数:类型:NPN; 引脚数量:3; 最大集电极发射极电压:400 V; 最大DC直流集电极电流:1 A; 最小DC直流电流增益:30@300mA@10V|10@1A@10V; 最大工作频率:10(Min) MHz; 最大集电极发射极饱和电压:1@0.2A@1A...
15GN01MA-TL-E
15GN01MA-TL-E,功率晶体管,品牌:ON,封装:MCP-3,参数:类型:NPN; 引脚数量:3; 最大集电极发射极电压:8 V; 最大DC直流集电极电流:0.05 A; 最小DC直流电流增益:200@10mA@5V; 最大工作频率:1500(Typ) MHz; 最大集电极发射极饱和电压:0.12@2mA@20...
RN2904FE,LF
RN2904FE,LF,功率晶体管,品牌:Toshiba,封装:ES-6,参数:类型:PNP; 引脚数量:6; 最大集电极发射极电压:50 V; 最大DC直流集电极电流:0.1 A; 最小DC直流电流增益:80@10mA@5V; 最大集电极发射极饱和电压:0.3@0.25mA@5mA V; 最大集电极基极电压:50 V...
NCV1413BDR2G
NCV1413BDR2G,三极管,达林顿管,品牌:ON,封装:SOIC-16,参数:配置:Array 7; 类型:NPN; 最大集电极发射极电压:50 V; 峰值DC直流集电极电流:0.5 A; 最小DC直流电流增益:1000@350mA@2V; 最大集电极发射极饱和电压:1.6@500uA@350mA|1.3@350...
2SC2001
2SC2001,晶体管,三极管,TO-92封装,参数为:Pcm=600mW,Ic=700mA,BVcbo=30V,BVceo=25V,BVebo=5V,hfe(Min)=90,hfe(Max)=400,Vce(sat)=0.6V,fr=50MHz,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
PIMZ2,115
PIMZ2,115,功率晶体管,品牌:NXP,封装:TSOP-6,参数:类型:NPN|PNP; 引脚数量:6; 最大集电极发射极电压:50 V; 最大DC直流集电极电流:0.15 A; 最小DC直流电流增益:120@1mA@6V; 最大工作频率:100(Min)@NPN|190(Typ)@PNP MHz; 最大集电极发...