2SC2713-GRTE85LF
2SC2713-GRTE85LF,功率晶体管,品牌:Toshiba,封装:S-Mini-3,参数:类型:NPN; 引脚数量:3; 最大集电极发射极电压:120 V; 最大DC直流集电极电流:0.1 A; 最小DC直流电流增益:200@2mA@6V; 最大工作频率:100(Typ) MHz; 最大集电极发射极饱和电压:0...
DZT2907A-13
DZT2907A-13,功率晶体管,品牌:Diodes,封装:SOT-223-4,参数:类型:PNP; 引脚数量:4; 最大集电极发射极电压:60 V; 最大DC直流集电极电流:0.6 A; 最小DC直流电流增益:75@100uA@10V|100@1mA@10V|100@10mA@10V|100@150mA@10V|5...
TIP41C
TIP41C,功率晶体管,品牌:Fairchild,封装:TO-220AB-3,参数:类型:NPN; 引脚数量:3; 最大集电极发射极电压:100 V; 最大DC直流集电极电流:6 A; 最小DC直流电流增益:30@300mA@4V|15@3A@4V; 最大工作频率:3(Min) MHz; 最大集电极发射极饱和电压:1...
MUN2236T1G
MUN2236T1G,数字晶体管,品牌:ON,封装:SC-59-3,参数:配置:Single; 类型:NPN; 最大集电极发射极电压:50 V; 峰值DC直流集电极电流:0.1 A; 最小DC直流电流增益:80@5mA@10V; 工作温度:-55 to 150 ℃; 安装方式:Surface Mount. 询报价及购买...
BC817K40E6433HTMA1
BC817K40E6433HTMA1,功率晶体管,品牌:Infineon,封装:SOT-23-3,参数:类型:NPN; 引脚数量:3; 最大集电极发射极电压:45 V; 最大DC直流集电极电流:0.5 A; 最小DC直流电流增益:250@100mA@1V|40@500mA@1V; 最大工作频率:170(Typ) MHz...
TD62084AFG(O,N,EL)
TD62084AFG(O,N,EL),三极管,达林顿管,品牌:Toshiba,封装:SOP-18,参数:配置:Octal; 类型:NPN; 最大集电极发射极电压:50 V; 峰值DC直流集电极电流:0.5 A; 最小DC直流电流增益:1000@350mA@2V; 最大集电极发射极饱和电压:1.6@350mA|1.3@2...
NST3904DP6T5G
NST3904DP6T5G,功率晶体管,品牌:ON,封装:SOT-963-6,参数:类型:NPN|PNP; 引脚数量:6; 最大集电极发射极电压:40 V; 最大DC直流集电极电流:0.2 A; 最小DC直流电流增益:40@0.1mA@1V|70@1mA@1V|100@10mA@1V|60@50mA@1V|30@100...
DTC123ECA
DTC123ECA,NPN贴片数字晶体管,由ROHM原厂生产,SOT-23封装,参数为:Pd=200mW,Io=100mA,Vcc=50V,Gi=20,Vo(on)=0.3V,R1=2.2K+欧姆,R2=2.2K+欧姆,fr=250+MHz,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
MMST4401T146
MMST4401T146,功率晶体管,品牌:Rohm,封装:SMT-3,参数:类型:NPN; 引脚数量:3; 最大集电极发射极电压:40 V; 最大DC直流集电极电流:0.6 A; 最小DC直流电流增益:20@0.1mA@1V|40@1mA@1V|80@10mA@1V|100@150mA@1V|40@500mA@2V;...
NSVBA114YDXV6T1G
NSVBA114YDXV6T1G,数字晶体管,品牌:ON,封装:SOT-563-6,参数:配置:Dual; 类型:PNP; 最大集电极发射极电压:50 V; 峰值DC直流集电极电流:100 mA; 最小DC直流电流增益:80@5mA@10V; 工作温度:-55 to 150 ℃; 安装方式:Surface Mount....
BD912
BD912,功率晶体管,品牌:STMicroelectronics,封装:TO-220-3,参数:类型:PNP; 引脚数量:3; 最大集电极发射极电压:100 V; 最大DC直流集电极电流:15 A; 最小DC直流电流增益:40@500mA@4V|15@5A@4V|5@10A@4V; 最大工作频率:3(Min) MHz...
FCX1047ATA
FCX1047ATA,功率晶体管,品牌:Diodes,封装:SOT-89-4,参数:类型:NPN; 引脚数量:4; 最大集电极发射极电压:10 V; 最大DC直流集电极电流:4 A; 最小DC直流电流增益:280@10mA@2V|290@500mA@2V|300@1A@2V|200@4A@2V|200@5A@2V|60...
BU323ZG
BU323ZG,三极管,达林顿管,品牌:ON,封装:TO-247-3,参数:配置:Single; 类型:NPN; 最大集电极发射极电压:350 V; 峰值DC直流集电极电流:10 A; 最小DC直流电流增益:150@6.5A@1.5V|500@5A@4.6V; 最大集电极发射极饱和电压:1.6@70mA@7A|1.8@...
BCR573E6433HTMA1
BCR573E6433HTMA1,数字晶体管,品牌:Infineon,封装:SOT-23-3,参数:配置:Single; 类型:PNP; 最大集电极发射极电压:50 V; 峰值DC直流集电极电流:500 mA; 最小DC直流电流增益:70@50mA@5V; 工作温度:-65 to 150 ℃; 安装方式:Surface...
TB100ML
TB100ML,功率晶体管,品牌:NXP,封装:TO-92-3,参数:类型:NPN; 引脚数量:3; 最大集电极发射极电压:700 V; 最大DC直流集电极电流:1 A; 最小DC直流电流增益:12@10mA@5V|14@100mA@5V|12@0.75A@5V; 最大集电极发射极饱和电压:1@0.15A@0.75A ...
BC817-40
BC817-40,功率晶体管,品牌:STMicroelectronics,封装:SOT-23-3,参数:类型:NPN; 引脚数量:3; 最大集电极发射极电压:45 V; 最大DC直流集电极电流:0.5 A; 最小DC直流电流增益:250@100mA@1V; 最大工作频率:100(Min) MHz; 最大集电极发射极饱和...
BF487
BF487,晶体管,三极管,TO-92封装,参数为:Pcm=830mW,Ic=100mA,BVcbo=400V,BVceo=350V,BVebo=5V,hfe(Min)=20,hfe(Max)=-,Vce(sat)=0.6V,fr=70MHz,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
RN1307,LF
RN1307,LF,数字晶体管,品牌:Toshiba,封装:USM-3,参数:配置:Single; 类型:NPN; 最大集电极发射极电压:50 V; 峰值DC直流集电极电流:100 mA; 最小DC直流电流增益:80@10mA@5V; 工作温度:-55 to 150 ℃; 安装方式:Surface Mount. 询报价...
BCP53-16T3G
BCP53-16T3G,功率晶体管,品牌:ON,封装:SOT-223-4,参数:类型:PNP; 引脚数量:4; 最大集电极发射极电压:80 V; 最大DC直流集电极电流:1.5 A; 最小DC直流电流增益:25@5mA@2V|100@150mA@2V|25@500mA@2V; 最大工作频率:50(Typ) MHz; 最...
BD675G
BD675G,三极管,达林顿管,品牌:ON,封装:TO-225-3,参数:配置:Single; 类型:NPN; 最大集电极发射极电压:45 V; 峰值DC直流集电极电流:4 A; 最小DC直流电流增益:750@1.5A@3V; 最大集电极发射极饱和电压:2.5@30mA@1.5A V; 最大集电极基极电压:45 V; ...