BC80716WE6327
BC80716WE6327,功率晶体管,品牌:Infineon,封装:SOT-323-3,参数:类型:PNP; 引脚数量:3; 最大集电极发射极电压:45 V; 最大DC直流集电极电流:0.5 A; 最小DC直流电流增益:100@100mA@1V|40@500mA@1V; 最大工作频率:200(Typ) MHz; 最大...
2SA1162-Y(TE85L,F)
2SA1162-Y(TE85L,F),功率晶体管,品牌:Toshiba,封装:S-Mini-3,参数:类型:PNP; 引脚数量:3; 最大集电极发射极电压:50 V; 最大DC直流集电极电流:0.15 A; 最小DC直流电流增益:120@2mA@6V; 最大工作频率:80(Min) MHz; 最大集电极发射极饱和电压:...
LMBT3904LT1G
LMBT3904LT1G,功率晶体管,品牌:LESHAN(LRC),封装:Trans,参数:类型:NPN; 最大集电极发射极电压:40 V; 最大DC直流集电极电流:0.2 A; 最小DC直流电流增益:40@0.1mA@1V|70@1mA@1V|100@10mA@1V|60@50mA@1V|30@100mA@1V; 最...
TIP110G
TIP110G,三极管,达林顿管,品牌:ON,封装:TO-220AB-3,参数:配置:Single; 类型:NPN; 最大集电极发射极电压:60 V; 峰值DC直流集电极电流:2 A; 最小DC直流电流增益:1000@1A@4V|500@2A@4V; 最大集电极发射极饱和电压:2.5@8mA@2A V; 最大集电极基极...
BC856T,115
BC856T,115,功率晶体管,品牌:NXP,封装:TO-236AB-3,参数:类型:PNP; 引脚数量:3; 最大集电极发射极电压:65 V; 最大DC直流集电极电流:0.1 A; 最小DC直流电流增益:125@2mA@5V; 最大工作频率:100(Min) MHz; 最大集电极发射极饱和电压:0.3@0.5mA@...
AT-32033-BLKG
AT-32033-BLKG,功率晶体管,品牌:Avago,封装:SOT-23-3,参数:类型:NPN; 引脚数量:3; 最大集电极发射极电压:5.5 V; 最大DC直流集电极电流:0.032 A; 最小DC直流电流增益:70@2mA@2.7V; 最大工作频率:10000 MHz; 最大集电极基极电压:11 V; 工作温...
NJW21194G
NJW21194G,功率晶体管,品牌:ON,封装:TO-3P-3,参数:类型:NPN; 引脚数量:3; 最大集电极发射极电压:250 V; 最大DC直流集电极电流:16 A; 最小DC直流电流增益:20@8A@5V; 最大工作频率:4(Min) MHz; 最大集电极发射极饱和电压:1.4@0.8A@8A|4@3.2A@...
DDA144EH-7
DDA144EH-7,数字晶体管,品牌:Diodes,封装:SOT-563-6,参数:配置:Dual; 类型:PNP; 峰值DC直流集电极电流:100 mA; 最小DC直流电流增益:68@5mA@5V; 工作温度:-55 to 150 ℃; 安装方式:Surface Mount. 询报价及购买请致电:0755-8389...
PMBTA92,215
PMBTA92,215,功率晶体管,品牌:NXP,封装:TO-236AB-3,参数:类型:PNP; 引脚数量:3; 最大集电极发射极电压:300 V; 最大DC直流集电极电流:0.1 A; 最小DC直流电流增益:25@1mA@10V|40@10mA@10V|25@30mA@10V; 最大工作频率:50(Min) MHz...
LMN400E01-7
LMN400E01-7,PNP晶体管和ESD保护N-MOSFET,品牌:Diodes,封装:SOT-363-6,参数:分类:PNP Transistor and ESD Protected N-Mosfet; 引脚数目:6; 工作温度:-55 to 150 ℃; 所属系列:LMN400E01; 安装方式:Surface...
PDTC144VM,315
PDTC144VM,315,数字晶体管,品牌:NXP,封装:DFN-3,参数:配置:Single; 类型:NPN; 最大集电极发射极电压:50 V; 峰值DC直流集电极电流:100 mA; 最小DC直流电流增益:40@5mA@5V; 工作温度:-65 to 150 ℃; 安装方式:Surface Mount. 询报价及...
MUN2232T1G
MUN2232T1G,数字晶体管,品牌:ON,封装:SC-59-3,参数:配置:Single; 类型:NPN; 最大集电极发射极电压:50 V; 峰值DC直流集电极电流:100 mA; 最小DC直流电流增益:15@5mA@10V; 工作温度:-55 to 150 ℃; 安装方式:Surface Mount. 询报价及购...
SMMBT3904LT1G
SMMBT3904LT1G,功率晶体管,品牌:ON,封装:SOT-23-3,参数:类型:NPN; 引脚数量:3; 最大集电极发射极电压:40 V; 最大DC直流集电极电流:0.2 A; 最小DC直流电流增益:40@0.1mA@1V|70@1mA@1V|100@10mA@1V|60@50mA@1V|30@100mA@1V...
SMBT3906B5003
SMBT3906B5003,功率晶体管,品牌:Infineon,封装:SOT-23-3,参数:类型:PNP; 引脚数量:3; 最大集电极发射极电压:40 V; 最大DC直流集电极电流:0.2 A; 最小DC直流电流增益:60@100uA@1V|80@1mA@1V|100@10mA@1V|60@50mA@1V|30@10...
DDTC113TE-7-F
DDTC113TE-7-F,数字晶体管,品牌:Diodes,封装:SOT-523-3,参数:配置:Single; 类型:NPN; 最大集电极发射极电压:50 V; 峰值DC直流集电极电流:100 mA; 最小DC直流电流增益:100@1mA@5V; 工作温度:-55 to 150 ℃; 安装方式:Surface Mou...
PDTA123YT,215
PDTA123YT,215,数字晶体管,品牌:NXP,封装:TO-236AB-3,参数:配置:Single; 类型:PNP; 最大集电极发射极电压:50 V; 峰值DC直流集电极电流:100 mA; 最小DC直流电流增益:35@5mA@5V; 工作温度:-65 to 150 ℃; 安装方式:Surface Mount....
MMUN2238LT1G
MMUN2238LT1G,数字晶体管,品牌:ON,封装:SOT-23-3,参数:配置:Single; 类型:NPN; 最大集电极发射极电压:50 V; 峰值DC直流集电极电流:100 mA; 最小DC直流电流增益:160@5mA@10V; 工作温度:-55 to 150 ℃; 安装方式:Surface Mount. 询...
HN4C06J
HN4C06J,功率晶体管,品牌:Toshiba,封装:SMV-5,参数:类型:NPN; 引脚数量:5; 最大集电极发射极电压:120 V; 最大DC直流集电极电流:0.1 A; 最大工作频率:100(Typ) MHz; 最大集电极发射极饱和电压:0.3@1mA@10mA V; 最大集电极基极电压:120 V; 工作温...
NUS5530MNR2G
NUS5530MNR2G,集成功率MOSFET具有PNP,品牌:ON,封装:DFN-8 EP,参数:分类:Integrated Power MOSFET with PNP; 引脚数目:8; 工作温度:-55 to 150 ℃; 所属系列:NUS5530MN; 安装方式:Surface Mount. 询报价及购买请致电:...
MMBTH24-7-F
MMBTH24-7-F,功率晶体管,品牌:Diodes,封装:SOT-23-3,参数:类型:NPN; 引脚数量:3; 最大集电极发射极电压:40 V; 最大DC直流集电极电流:0.05 A; 最小DC直流电流增益:30@8mA@10V; 最大工作频率:400(Min) MHz; 最大集电极发射极饱和电压:0.5@400...