2SC3647S-TD-E,功率晶体管,品牌:ON,封装:PCP-4,参数:类型:NPN; 引脚数量:4; 最大集电极发射极电压:100 V; 最大DC直流集电极电流:1 A; 最小DC直流电流增益:200@100mA@5V; 最大工作频率:120(Typ) MHz; 最大集电极发射极饱和电压:0.4@40mA@400...
BFR193L3E6327,功率晶体管,品牌:Infineon,封装:TSLP-3,参数:类型:NPN; 引脚数量:3; 最大集电极发射极电压:12 V; 最大DC直流集电极电流:0.08 A; 最小DC直流电流增益:70@30mA@8V; 最大工作频率:8000(Typ) MHz; 最大集电极基极电压:20 V; 工...
S9013W,贴片晶体管,三极管,SOT-323封装,参数为:Pcm=200mW,Ic=500mA,BVcbo=40V,BVceo=25V,BVebo=5V,hfe(Min)=120,hfe(Max)=400,Vce(sat)=0.6V,fr=150MHz,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
MJ11028G,三极管,达林顿管,品牌:ON,封装:TO-204-3,参数:配置:Single; 类型:NPN; 最大集电极发射极电压:60 V; 峰值DC直流集电极电流:50 A; 最小DC直流电流增益:400@50A@5V|1000@25A@5V; 最大集电极发射极饱和电压:2.5@250mA@25A|3.5@5...
BC33716BU,功率晶体管,品牌:Fairchild,封装:TO-92-3,参数:类型:NPN; 引脚数量:3; 最大集电极发射极电压:45 V; 最大DC直流集电极电流:0.8 A; 最小DC直流电流增益:100@100mA@1V|60@300mA@1V; 最大工作频率:100(Typ) MHz; 最大集电极发射...
FJV4104RMTF,数字晶体管,品牌:Fairchild,封装:SOT-23-3,参数:配置:Single; 类型:PNP; 最大集电极发射极电压:50 V; 峰值DC直流集电极电流:100 mA; 最小DC直流电流增益:68@5mA@5V; 工作温度:-55 to 150 ℃; 安装方式:Surface Moun...
2SC2060,晶体管,三极管,TO-92MOD封装,参数为:Pcm=750mW,Ic=1000mA,BVcbo=40V,BVceo=32V,BVebo=5V,hfe(Min)=80,hfe(Max)=400,Vce(sat)=0.4V,fr=50MHz,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
PIMC31,115,数字晶体管,品牌:NXP,封装:TSOP-6,参数:配置:Dual; 类型:NPN|PNP; 最大集电极发射极电压:50 V; 峰值DC直流集电极电流:0.5 mA; 最小DC直流电流增益:70@50mA@5V; 工作温度:-55 to 150 ℃; 安装方式:Surface Mount. 询报价...
2SA1162,贴片晶体管,三极管,SOT-23封装,参数为:Pcm=150mW,Ic=150mA,BVcbo=50V,BVceo=50V,BVebo=5V,hfe(Min)=70,hfe(Max)=400,Vce(sat)=0.3V,fr=80MHz,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
2SC6017-E,功率晶体管,品牌:ON,封装:TP-3,参数:类型:NPN; 引脚数量:3; 最大集电极发射极电压:50 V; 最大DC直流集电极电流:10 A; 最小DC直流电流增益:200@1A@2V; 最大工作频率:200(Typ) MHz; 最大集电极发射极饱和电压:0.36@250mA@5A V; 最大集...
MMBT4403LT1G,功率晶体管,品牌:ON,封装:SOT-23-3,参数:类型:PNP; 引脚数量:3; 最大集电极发射极电压:40 V; 最大DC直流集电极电流:0.6 A; 最小DC直流电流增益:30@0.1mA@1V|60@1mA@1V|100@10mA@1V|100@150mA@2V|20@500mA@2...
2SD1835,晶体管,三极管,TO-92封装,参数为:Pcm=750mW,Ic=2000mA,BVcbo=60V,BVceo=50V,BVebo=6V,hfe(Min)=100,hfe(Max)=560,Vce(sat)=0.4V,fr=150+MHz,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
MMBTA70LT1G,功率晶体管,品牌:ON,封装:SOT-23-3,参数:类型:PNP; 引脚数量:3; 最大集电极发射极电压:40 V; 最大DC直流集电极电流:0.1 A; 最小DC直流电流增益:40@5mA@10V; 最大工作频率:125(Min) MHz; 最大集电极发射极饱和电压:0.25@1mA@10m...
2SC2655,晶体管,三极管,TO-92MOD封装,参数为:Pcm=900mW,Ic=2000mA,BVcbo=50V,BVceo=50V,BVebo=5V,hfe(Min)=70,hfe(Max)=240,Vce(sat)=0.5V,fr=100+MHz,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
BCR116S H6327,数字晶体管,品牌:Infineon,封装:SOT-363-6,参数:配置:Dual; 类型:NPN; 最大集电极发射极电压:50 V; 峰值DC直流集电极电流:100 mA; 最小DC直流电流增益:70@5mA@5V; 工作温度:-65 to 150 ℃; 安装方式:Surface Moun...
RN2318(TE85L,F),数字晶体管,品牌:Toshiba,封装:USM-3,参数:配置:Single; 类型:PNP; 最大集电极发射极电压:50 V; 峰值DC直流集电极电流:100 mA; 最小DC直流电流增益:50@10mA@5V; 工作温度:-55 to 150 ℃; 安装方式:Surface Moun...
MMST4401,贴片晶体管,三极管,SOT-323封装,参数为:Pcm=200mW,Ic=600mA,BVcbo=60V,BVceo=40V,BVebo=6V,hfe(Min)=100,hfe(Max)=300,Vce(sat)=0.75V,fr=250MHz,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
SS8550,晶体管,三极管,TO-92封装,参数为:Pcm=1000mW,Ic=1500mA,BVcbo=40V,BVceo=25V,BVebo=5V,hfe(Min)=85,hfe(Max)=400,Vce(sat)=0.5V,fr=100MHz,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
NSV40301MDR2G,功率晶体管,品牌:ON,封装:SOIC-8,参数:类型:NPN; 引脚数量:8; 最大集电极发射极电压:40 V; 最大DC直流集电极电流:3 A; 最小DC直流电流增益:0.9@2A@2V|180@2A@2V|180@1A@2V|200@500mA@2V|200@10mA@2V; 最大集电...
MJD350T4G,功率晶体管,品牌:ON,封装:DPAK-3,参数:类型:PNP; 引脚数量:3; 最大集电极发射极电压:300 V; 最大DC直流集电极电流:0.5 A; 最小DC直流电流增益:30@50mA@10V; 最大集电极发射极饱和电压:1@10mA@100mA V; 最大集电极基极电压:300 V; 工作...
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