KTA1267
KTA1267,晶体管,三极管,TO-92S封装,参数为:Pcm=400mW,Ic=150mA,BVcbo=50V,BVceo=50V,BVebo=5V,hfe(Min)=70,hfe(Max)=400,Vce(sat)=0.3V,fr=80MHz,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
RN2130MFV,L3F
RN2130MFV,L3F,数字晶体管,品牌:Toshiba,封装:VESM-3,参数:配置:Single; 类型:PNP; 最大集电极发射极电压:50 V; 峰值DC直流集电极电流:0.1 A; 最小DC直流电流增益:100@10mA@5V; 工作温度:-55 to 150 ℃; 安装方式:Surface Mount...
DTA123YETL
DTA123YETL,数字晶体管,品牌:Rohm,封装:EMT-3,参数:配置:Single; 类型:PNP; 峰值DC直流集电极电流:100 mA; 最小DC直流电流增益:33@10mA@5V; 工作温度:-55 to 150 ℃; 安装方式:Surface Mount. 询报价及购买请致电:0755-8389756...
DCX144EUQ-7-F
DCX144EUQ-7-F,功率晶体管,品牌:Diodes,封装:SOT-363-6,参数:类型:NPN|PNP; 引脚数量:6; 最大集电极发射极电压:50 V; 最大DC直流集电极电流:0.1 A; 最小DC直流电流增益:68@5mA@5V@NPN|68@5mA@5V@PNP; 最大集电极基极电压:50 V; 工作...
FMMT549
FMMT549,功率晶体管,品牌:Fairchild,封装:SuperSOT-3,参数:类型:PNP; 引脚数量:3; 最大集电极发射极电压:30 V; 最大DC直流集电极电流:1 A; 最小DC直流电流增益:70@50mA@2V|100@500mA@2V|80@1A@2V|40@2A@2V; 最大工作频率:100(M...
DTD123EKT146
DTD123EKT146,数字晶体管,品牌:Rohm,封装:SMT-3,参数:配置:Single; 类型:NPN; 峰值DC直流集电极电流:500 mA; 最小DC直流电流增益:39@50mA@5V; 工作温度:-55 to 150 ℃; 安装方式:Surface Mount. 询报价及购买请致电:0755-83897...
BCX70HE6327HTSA1
BCX70HE6327HTSA1,功率晶体管,品牌:Infineon,封装:SOT-23-3,参数:类型:NPN; 引脚数量:3; 最大集电极发射极电压:45 V; 最大DC直流集电极电流:0.1 A; 最小DC直流电流增益:20@10uA@5V|180@2mA@5V|70@50mA@1V; 最大工作频率:250(Ty...
TTC012(Q)
TTC012(Q),功率晶体管,品牌:Toshiba,封装:New PW-Mold2-3,参数:类型:NPN; 引脚数量:3; 最大集电极发射极电压:375 V; 最大DC直流集电极电流:2 A; 最小DC直流电流增益:100@0.3A@5V; 最大集电极发射极饱和电压:0.5@62.5mA@0.5A V; 最大集电极...
ULN2003ANE4
ULN2003ANE4,三极管,达林顿管,品牌:TI,封装:PDIP-16,参数:配置:Array 7; 类型:NPN; 最大集电极发射极电压:50 V; 峰值DC直流集电极电流:0.5 A; 最大集电极发射极饱和电压:1.1@100mA|1.3@200mA|1.6@350mA V; 安装方式:Through Hole...
MMBT3904-R1-00001
MMBT3904-R1-00001,功率晶体管,品牌:Panjit,封装:SOT-23-3,参数:类型:NPN; 引脚数量:3; 最大集电极发射极电压:40 V; 最大DC直流集电极电流:0.2 A; 最小DC直流电流增益:40@0.1mA@1V|70@1mA@1V|100@10mA@1V|60@50mA@1V|30@...
PDTA144VMB,315
PDTA144VMB,315,数字晶体管,品牌:NXP,封装:DFN-3,参数:配置:Single; 类型:PNP; 最大集电极发射极电压:50 V; 峰值DC直流集电极电流:100 mA; 最小DC直流电流增益:40@5mA@5V; 工作温度:-65 to 150 ℃; 安装方式:Surface Mount. 询报价...
RN2117MFV,L3F
RN2117MFV,L3F,数字晶体管,品牌:Toshiba,封装:VESM-3,参数:配置:Single; 类型:PNP; 最大集电极发射极电压:50 V; 峰值DC直流集电极电流:0.1 A; 最小DC直流电流增益:30@10mA@5V; 工作温度:-55 to 150 ℃; 安装方式:Surface Mount....
2SD2137
2SD2137,晶体管,三极管,TO-220F封装,参数为:Pcm=2000mW,Ic=3000mA,BVcbo=60V,BVceo=60V,BVebo=6V,hfe(Min)=70,hfe(Max)=320,Vce(sat)=1.2V,fr=30+MHz,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
BD243B-S
BD243B-S,功率晶体管,品牌:Bourns,封装:TO-220-3,参数:类型:NPN; 引脚数量:3; 最大集电极发射极电压:80 V; 最大DC直流集电极电流:6 A; 最小DC直流电流增益:30@0.3A@4V|15@3A@4V; 最大集电极发射极饱和电压:1.5@1A@6A V; 工作温度:-65 to ...
BCR191E6327HTSA1
BCR191E6327HTSA1,数字晶体管,品牌:Infineon,封装:SOT-23-3,参数:配置:Single; 类型:PNP; 最大集电极发射极电压:50 V; 峰值DC直流集电极电流:100 mA; 最小DC直流电流增益:50@5mA@5V; 工作温度:-65 to 150 ℃; 安装方式:Surface ...
BUV20
BUV20,功率晶体管,品牌:STMicroelectronics,封装:TO-3P,参数:类型:NPN; 引脚数量:3; 最大集电极发射极电压:125 V; 最大DC直流集电极电流:50 A; 最小DC直流电流增益:20@25A@2V|10@50A@4V; 最大集电极发射极饱和电压:0.6@2.5A@25A|1.2@...
2SD669
2SD669,晶体管,三极管,TO-126封装,参数为:Pcm=1000mW,Ic=1500mA,BVcbo=180V,BVceo=120V,BVebo=5V,hfe(Min)=60,hfe(Max)=320,Vce(sat)=1V,fr=140+MHz,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
PMST4401,135
PMST4401,135,功率晶体管,品牌:NXP,封装:SC-70-3,参数:类型:NPN; 引脚数量:3; 最大集电极发射极电压:40 V; 最大DC直流集电极电流:0.6 A; 最小DC直流电流增益:20@0.1mA@1V|40@1mA@1V|80@10mA@1V|100@150mA@1V|40@500mA@2V...
ULN2003AIDRG4
ULN2003AIDRG4,三极管,达林顿管,品牌:TI,封装:SOIC-16,参数:配置:Array 7; 类型:NPN; 最大集电极发射极电压:50 V; 峰值DC直流集电极电流:0.5 A; 最大集电极发射极饱和电压:1.1@100mA|1.3@200mA|1.6@350mA V; 安装方式:Surface Mo...
PMBTA92,235
PMBTA92,235,功率晶体管,品牌:NXP,封装:TO-236AB-3,参数:类型:PNP; 引脚数量:3; 最大集电极发射极电压:300 V; 最大DC直流集电极电流:0.1 A; 最小DC直流电流增益:25@1mA@10V|40@10mA@10V|25@30mA@10V; 最大工作频率:50(Min) MHz...