2SA1048,晶体管,三极管,TO-92封装,参数为:Pcm=200mW,Ic=150mA,BVcbo=50V,BVceo=50V,BVebo=5V,hfe(Min)=70,hfe(Max)=400,Vce(sat)=0.3V,fr=80MHz,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
MJ3001,三极管,达林顿管,品牌:STMicroelectronics,封装:TO-3P,参数:配置:Single; 类型:NPN; 最大集电极发射极电压:80 V; 峰值DC直流集电极电流:10 A; 最小DC直流电流增益:1000@5A@3V; 最大集电极发射极饱和电压:2@20mA@5A|4@50mA@10A...
PBSS4250X,115,功率晶体管,品牌:NXP,封装:SOT-89-4,参数:类型:NPN; 引脚数量:4; 最大集电极发射极电压:50 V; 最大DC直流集电极电流:2 A; 最小DC直流电流增益:300@0.1A@2V|300@0.5A@2V|300@1A@2V|150@2A@2V; 最大工作频率:100(M...
2SD1835,晶体管,三极管,TO-92封装,参数为:Pcm=750mW,Ic=2000mA,BVcbo=60V,BVceo=50V,BVebo=6V,hfe(Min)=100,hfe(Max)=560,Vce(sat)=0.4V,fr=150+MHz,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
BCP5516H6327XTSA1,功率晶体管,品牌:Infineon,封装:SOT-223-4,参数:类型:NPN; 引脚数量:4; 最大集电极发射极电压:60 V; 最大DC直流集电极电流:1 A; 最小DC直流电流增益:25@5mA@2V|100@150mA@2V|25@500mA@2V; 最大集电极发射极饱和电...
MPSH10/11,晶体管,三极管,TO-92封装,参数为:Pcm=350mW,Ic=40mA,BVcbo=30V,BVceo=25V,BVebo=3V,hfe(Min)=60,hfe(Max)=-,Vce(sat)=0.5V,fr=650MHz,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
MMBT2222ATT1G,功率晶体管,品牌:ON,封装:SOT-416-3,参数:类型:NPN; 引脚数量:3; 最大集电极发射极电压:40 V; 最大DC直流集电极电流:0.6 A; 最小DC直流电流增益:35@0.1mA@10V|50@1mA@10V|75@10mA@10V|100@150mA@10V|40@50...
MMST5551,贴片晶体管,三极管,SOT-323封装,参数为:Pcm=200mW,Ic=600mA,BVcbo=180V,BVceo=160V,BVebo=6V,hfe(Min)=80,hfe(Max)=300,Vce(sat)=0.2V,fr=100MHz,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
BC393,功率晶体管,品牌:STMicroelectronics,封装:TO-18-3,参数:类型:PNP; 引脚数量:3; 最大集电极发射极电压:180 V; 最大DC直流集电极电流:0.1 A; 最小DC直流电流增益:85(Typ)@1mA@10V|50@10mA@10V; 最大工作频率:95(Typ) MHz;...
SPZT2907AT1G,功率晶体管,品牌:ON,封装:SOT-223-4,参数:类型:PNP; 引脚数量:4; 最大集电极发射极电压:60 V; 最大DC直流集电极电流:0.6 A; 最小DC直流电流增益:75@0.1mA@10V|100@1mA@10V|100@10mA@10V|100@150mA@10V|50@5...
BCR133SE6393,数字晶体管,品牌:Infineon,封装:SOT-363-6,参数:配置:Dual; 类型:NPN; 最大集电极发射极电压:50 V; 峰值DC直流集电极电流:100 mA; 最小DC直流电流增益:30@5mA@5V; 工作温度:-65 to 150 ℃; 安装方式:Surface Mount...
DZT651-13,功率晶体管,品牌:Diodes,封装:SOT-223-4,参数:类型:NPN; 引脚数量:4; 最大集电极发射极电压:60 V; 最大DC直流集电极电流:3 A; 最小DC直流电流增益:70@50mA@2V|100@500mA@2V|80@1A@2V|40@2A@2V; 最大工作频率:200(Typ...
BSP61E6327,三极管,达林顿管,品牌:Infineon,封装:SOT-223-4,参数:配置:Single Dual Collector; 类型:PNP; 最大集电极发射极电压:60 V; 峰值DC直流集电极电流:1 A; 最小DC直流电流增益:1000@150mA@10V|2000@500mA@10V; 最大...
BC557BTF,功率晶体管,品牌:Fairchild,封装:TO-92-3,参数:类型:PNP; 引脚数量:3; 最大集电极发射极电压:45 V; 最大DC直流集电极电流:0.1 A; 最小DC直流电流增益:200@2mA@5V; 最大工作频率:150(Typ) MHz; 最大集电极发射极饱和电压:0.3@0.5mA...
MMBT2222A-13,功率晶体管,品牌:Diodes,封装:SOT-23-3,参数:类型:NPN; 引脚数量:3; 最大集电极发射极电压:40 V; 最大DC直流集电极电流:0.6 A; 最小DC直流电流增益:35@0.1mA@10V|50@1mA@10V|75@10mA@10V|100@150mA@10V|40@...
EMX1T2R,功率晶体管,品牌:Rohm,封装:EMT-6,参数:类型:NPN; 引脚数量:6; 最大集电极发射极电压:50 V; 最大DC直流集电极电流:0.15 A; 最小DC直流电流增益:120@1mA@6V; 最大工作频率:180(Typ) MHz; 最大集电极发射极饱和电压:0.4@5mA@50mA V; ...
BD237,功率晶体管,品牌:ST Micro,封装:SOT-32-3,参数:类型:NPN; 引脚数量:3; 最大集电极发射极电压:80 V; 最大DC直流集电极电流:2 A; 最小DC直流电流增益:40@150mA@2V|25@1A@2V; 最大工作频率:3(Min) MHz; 最大集电极发射极饱和电压:0.6@0....
KSB564A,晶体管,三极管,TO-92封装,参数为:Pcm=800mW,Ic=1000mA,BVcbo=30V,BVceo=25V,BVebo=5V,hfe(Min)=70,hfe(Max)=400,Vce(sat)=0.5V,fr=110+MHz,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
PBR951,215,功率晶体管,品牌:NXP,封装:TO-236AB-3,参数:类型:NPN; 引脚数量:3; 最大集电极发射极电压:10 V; 最大DC直流集电极电流:0.1 A; 最小DC直流电流增益:50@5mA@6V; 最大工作频率:8000(Typ) MHz; 最大集电极基极电压:20 V; 工作温度:-6...
ULN2802A,三极管,达林顿管,品牌:STMicroelectronics,封装:PDIP-18,参数:配置:Octal Common Emitter; 类型:NPN; 最大集电极发射极电压:50 V; 峰值DC直流集电极电流:0.5 A; 最大集电极发射极饱和电压:1.1@250uA@100mA|1.3@350u...
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