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PMBS3904,235

PMBS3904,235,功率晶体管,品牌:NXP,封装:TO-236AB-3,参数:类型:NPN; 引脚数量:3; 最大集电极发射极电压:40 V; 最大DC直流集电极电流:0.1 A; 最小DC直流电流增益:40@0.1mA@1V|70@1mA@1V|100@10mA@1V|60@50mA@1V|30@100mA@...

BD912

BD912,功率晶体管,品牌:STMicroelectronics,封装:TO-220-3,参数:类型:PNP; 引脚数量:3; 最大集电极发射极电压:100 V; 最大DC直流集电极电流:15 A; 最小DC直流电流增益:40@500mA@4V|15@5A@4V|5@10A@4V; 最大工作频率:3(Min) MHz...

KSA1015GRTA

KSA1015GRTA,功率晶体管,品牌:Fairchild,封装:TO-92-3,参数:类型:PNP; 引脚数量:3; 最大集电极发射极电压:50 V; 最大DC直流集电极电流:0.15 A; 最小DC直流电流增益:200@2mA@6V; 最大工作频率:80(Min) MHz; 最大集电极发射极饱和电压:0.3@10...

2SC1383

2SC1383,晶体管,三极管,TO-92L封装,参数为:Pcm=750mW,Ic=1000mA,BVcbo=30V,BVceo=25V,BVebo=5V,hfe(Min)=85,hfe(Max)=340,Vce(sat)=1.2V,fr=200+MHz,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562

MJD122

MJD122,达林顿晶体管,由ON原厂生产,TO-251-3L封装,参数为:Pcm=1500mW,Ic=8000mA,BVcbo=100V,BVceo=100V,BVebo=5V,hfe(Min)=100012000,Vce(sat)=2V,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562

BD239CTU

BD239CTU,功率晶体管,品牌:Fairchild,封装:TO-220AB-3,参数:类型:NPN; 引脚数量:3; 最大集电极发射极电压:100 V; 最大DC直流集电极电流:2 A; 最小DC直流电流增益:40@200mA@4V|15@1A@4V; 最大集电极发射极饱和电压:0.7@0.2A@1A V; 工作温...

MSB92T1G

MSB92T1G,功率晶体管,品牌:ON,封装:SC-59-3,参数:类型:PNP; 引脚数量:3; 最大集电极发射极电压:300 V; 最大DC直流集电极电流:0.15 A; 最小DC直流电流增益:25@1mA@10V|40@10mA@10V|25@30mA@10V; 最大工作频率:50(Min) MHz; 最大集电...

2SD1805G-E

2SD1805G-E,功率晶体管,品牌:ON,封装:TP-3,参数:类型:NPN; 引脚数量:3; 最大集电极发射极电压:20 V; 最大DC直流集电极电流:5 A; 最小DC直流电流增益:280@500mA@2V; 最大工作频率:120(Typ) MHz; 最大集电极发射极饱和电压:0.5@60mA@3A V; 最大...

TIP41A

TIP41A,功率晶体管,品牌:Fairchild,封装:TO-220AB-3,参数:类型:NPN; 引脚数量:3; 最大集电极发射极电压:60 V; 最大DC直流集电极电流:6 A; 最小DC直流电流增益:30@300mA@4V|15@3A@4V; 最大工作频率:3(Min) MHz; 最大集电极发射极饱和电压:1....

BF240

BF240,功率晶体管,品牌:Fairchild,封装:TO-92-3,参数:类型:NPN; 引脚数量:3; 最大集电极发射极电压:40 V; 最大DC直流集电极电流:0.05 A; 最小DC直流电流增益:65@1mA@10V; 最大工作频率:1100 MHz; 最大集电极发射极饱和电压:0.65@0.1mA@1mA ...

HDMI2C1-14HD

HDMI2C1-14HD,ESD保护和信号调理,品牌:STMicroelectronics,封装:QFN-36 EP,参数:分类:ESD Protection and Signal Conditioning; 引脚数目:36; 所属系列:HDMI2C1-14HD; 安装方式:Surface Mount. 库存实时更新,...

STE07DE220

STE07DE220,混合型发射极开关双极晶体管,品牌:STMicroelectronics,封装:ISOTOP-4,参数:分类:Hybrid Emitter Switched Bipolar Transistor; 引脚数目:4; 工作温度:-40 to 125 ℃; 所属系列:STE07DE220; 安装方式:Sc...

RN1907,LF(CT)

RN1907,LF(CT),数字晶体管,品牌:Toshiba,封装:US-6,参数:配置:Dual; 类型:NPN; 最大集电极发射极电压:50 V; 峰值DC直流集电极电流:0.1 A; 最小DC直流电流增益:80@10mA@5V; 工作温度:-55 to 150 ℃; 安装方式:Surface Mount. 询报价...

2SD1835T

2SD1835T,功率晶体管,品牌:ON,封装:NP-3,参数:类型:NPN; 引脚数量:3; 最大集电极发射极电压:50 V; 最大DC直流集电极电流:2 A; 最小DC直流电流增益:200@100mA@2V; 最大工作频率:150(Typ) MHz; 最大集电极发射极饱和电压:0.4@50mA@1A V; 最大集电...

NSVMMUN2232LT1G

NSVMMUN2232LT1G,数字晶体管,品牌:ON,封装:SOT-23-3,参数:配置:Single; 类型:NPN; 最大集电极发射极电压:50 V; 峰值DC直流集电极电流:100 mA; 最小DC直流电流增益:15@5mA@10V; 工作温度:-55 to 150 ℃; 安装方式:Surface Mount....

ZXTP2006E6TA

ZXTP2006E6TA,功率晶体管,品牌:Diodes,封装:SOT-23-6,参数:类型:PNP; 引脚数量:6; 最大集电极发射极电压:20 V; 最大DC直流集电极电流:3.5 A; 最小DC直流电流增益:300@10mA@2V|300@1A@2V|150@3.5A@2V|10@10A@2V; 最大工作频率:1...

NSBC123JPDXV6T1G

NSBC123JPDXV6T1G,数字晶体管,品牌:ON,封装:SOT-563-6,参数:配置:Dual; 类型:NPN|PNP; 最大集电极发射极电压:50 V; 峰值DC直流集电极电流:100 mA; 最小DC直流电流增益:80@5mA@10V; 工作温度:-55 to 150 ℃; 安装方式:Surface Mo...

BCR196E6327HTSA1

BCR196E6327HTSA1,数字晶体管,品牌:Infineon,封装:SOT-23-3,参数:配置:Single; 类型:PNP; 最大集电极发射极电压:50 V; 峰值DC直流集电极电流:70 mA; 最小DC直流电流增益:50@5mA@5V; 工作温度:-65 to 150 ℃; 安装方式:Surface M...

NSVMMUN2132LT1G

NSVMMUN2132LT1G,数字晶体管,品牌:ON,封装:SOT-23-3,参数:配置:Single; 类型:PNP; 最大集电极发射极电压:50 V; 峰值DC直流集电极电流:100 mA; 最小DC直流电流增益:15@5mA@10V; 工作温度:-55 to 150 ℃; 安装方式:Surface Mount....

DTA143TUA

DTA143TUA,PNP贴片数字晶体管,由ROHM原厂生产,SOT-323封装,参数为:Pd=200mW,Io=100mA,Vcc=50V,Gi=100,Vo(on)=0.3V,R1=4.7K+欧姆,fr=250+MHz,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562