EMX2T2R
EMX2T2R,功率晶体管,品牌:Rohm,封装:EMT-6,参数:类型:NPN; 引脚数量:6; 最大集电极发射极电压:50 V; 最大DC直流集电极电流:0.15 A; 最小DC直流电流增益:120@1mA@6V; 最大工作频率:180(Typ) MHz; 最大集电极发射极饱和电压:0.4@5mA@50mA V; ...
ZXTN25050DFHTA
ZXTN25050DFHTA,功率晶体管,品牌:Diodes,封装:SOT-23-3,参数:类型:NPN; 引脚数量:3; 最大集电极发射极电压:50 V; 最大DC直流集电极电流:4 A; 最小DC直流电流增益:300@10mA@2V|240@1A@2V|20@4A@2V; 最大工作频率:200(Typ) MHz; ...
SBC807-25WT1G
SBC807-25WT1G,功率晶体管,品牌:ON,封装:SC-70-3,参数:类型:PNP; 引脚数量:3; 最大集电极发射极电压:45 V; 最大DC直流集电极电流:0.5 A; 最小DC直流电流增益:160@100mA@1V|40@500mA@1V; 最大工作频率:100(Min) MHz; 最大集电极发射极饱和...
NJVMJD44H11G
NJVMJD44H11G,功率晶体管,品牌:ON,封装:DPAK-3,参数:类型:NPN; 引脚数量:3; 最大集电极发射极电压:80 V; 最大DC直流集电极电流:8 A; 最小DC直流电流增益:60@2A@1V|40@4A@1V; 最大工作频率:85(Typ) MHz; 最大集电极发射极饱和电压:1@0.4A@8A...
2SA1163-GR(T5L,F,T)
2SA1163-GR(T5L,F,T),功率晶体管,品牌:Toshiba,封装:S-Mini-3,参数:类型:PNP; 引脚数量:3; 最大集电极发射极电压:120 V; 最大DC直流集电极电流:0.1 A; 最小DC直流电流增益:350@2mA@6V; 最大工作频率:100(Typ) MHz; 最大集电极发射极饱和电...
MMBTH24
MMBTH24,功率晶体管,品牌:Fairchild,封装:SOT-23-3,参数:类型:NPN; 引脚数量:3; 最大集电极发射极电压:30 V; 最大DC直流集电极电流:0.05 A; 最小DC直流电流增益:30@8mA@10V; 最大工作频率:400(Min) MHz; 最大集电极基极电压:40 V; 工作温度:...
ZXTN26070CV-7
ZXTN26070CV-7,功率晶体管,品牌:Diodes,封装:SOT-666-6,参数:类型:NPN; 引脚数量:6; 最大集电极发射极电压:70 V; 最大DC直流集电极电流:2 A; 最小DC直流电流增益:190@10mA@5V|200@100mA@5V|75@2A@5V; 最大工作频率:200(Typ) MH...
RN2314(TE85L,F)
RN2314(TE85L,F),数字晶体管,品牌:Toshiba,封装:USM-3,参数:配置:Single; 类型:PNP; 最大集电极发射极电压:50 V; 峰值DC直流集电极电流:100 mA; 最小DC直流电流增益:50@10mA@5V; 工作温度:-55 to 150 ℃; 安装方式:Surface Moun...
MMBT2222ATT1G
MMBT2222ATT1G,功率晶体管,品牌:ON,封装:SOT-416-3,参数:类型:NPN; 引脚数量:3; 最大集电极发射极电压:40 V; 最大DC直流集电极电流:0.6 A; 最小DC直流电流增益:35@0.1mA@10V|50@1mA@10V|75@10mA@10V|100@150mA@10V|40@50...
BCR183UE6327
BCR183UE6327,数字晶体管,品牌:Infineon,封装:SC-74-6,参数:配置:Dual; 类型:PNP; 最大集电极发射极电压:50 V; 峰值DC直流集电极电流:100 mA; 最小DC直流电流增益:30@5mA@5V; 工作温度:-65 to 150 ℃; 安装方式:Surface Mount. ...
BC858
BC858,贴片晶体管,三极管,SOT-23封装,参数为:Pcm=200mW,Ic=100mA,BVcbo=30V,BVceo=30V,BVebo=5V,hfe(Min)=125,hfe(Max)=800,Vce(sat)=0.5V,fr=100MHz,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
NSVB124XPDXV6T1G
NSVB124XPDXV6T1G,数字晶体管,品牌:ON,封装:SOT-563-6,参数:配置:Dual; 类型:NPN|PNP; 最大集电极发射极电压:50 V; 峰值DC直流集电极电流:0.1 A; 最小DC直流电流增益:0.25@1mA@10mA; 工作温度:-55 to 150 ℃; 安装方式:Surface ...
DDTA123YUA-7-F
DDTA123YUA-7-F,数字晶体管,品牌:Diodes,封装:SOT-323-3,参数:配置:Single; 类型:PNP; 峰值DC直流集电极电流:100 mA; 最小DC直流电流增益:33@10mA@5V; 工作温度:-55 to 150 ℃; 安装方式:Surface Mount. 询报价及购买请致电:07...
DTC143EKA
DTC143EKA,NPN贴片数字晶体管,由ROHM原厂生产,SOT-23-3L封装,参数为:Pd=200mW,Io=100mA,Vcc=50V,Gi=20,Vo(on)=0.3V,R1=4.7K+欧姆,R2=4.7K+欧姆,fr=250+MHz,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
ZXTN04120HKTC
ZXTN04120HKTC,三极管,达林顿管,品牌:Diodes,封装:TO-252-3,参数:配置:Single; 类型:NPN; 最大集电极发射极电压:120 V; 峰值DC直流集电极电流:1.5 A; 最小DC直流电流增益:2000@50mA@5V|5000@500mA@5V|2000@1A@5V|500@2A@...
NZT44H8
NZT44H8,功率晶体管,品牌:Fairchild,封装:SOT-223-4,参数:类型:NPN; 引脚数量:4; 最大集电极发射极电压:60 V; 最大DC直流集电极电流:8 A; 最小DC直流电流增益:60@2A@1V|40@4A@1V; 最大工作频率:50(Min) MHz; 最大集电极发射极饱和电压:1@0....
S9018
S9018,晶体管,三极管,TO-92封装,参数为:Pcm=400mW,Ic=50mA,BVcbo=25V,BVceo=18V,BVebo=4V,hfe(Min)=28,hfe(Max)=270,Vce(sat)=0.5V,fr=800+MHz,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
2N4124
2N4124,晶体管,三极管,TO-92封装,参数为:Pcm=350mW,Ic=200mA,BVcbo=30V,BVceo=25V,BVebo=5V,hfe(Min)=120,hfe(Max)=360,Vce(sat)=0.3V,fr=300MHz,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
HM879
HM879,贴片晶体管,三极管,SOT-89-3L封装,参数为:Pcm=500mW,Ic=3000mA,BVcbo=30V,BVceo=10V,BVebo=6V,hfe(Min)=140,hfe(Max)=-,Vce(sat)=0.4V,fr=200+MHz,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
PEMH19,115
PEMH19,115,数字晶体管,品牌:NXP,封装:SOT-666-6,参数:配置:Dual; 类型:NPN; 最大集电极发射极电压:50 V; 峰值DC直流集电极电流:100 mA; 最小DC直流电流增益:100@1mA@5V; 工作温度:-65 to 150 ℃; 安装方式:Surface Mount. 询报价及...