2N5551TF
2N5551TF,功率晶体管,品牌:Fairchild,封装:TO-92-3,参数:类型:NPN; 引脚数量:3; 最大集电极发射极电压:160 V; 最大DC直流集电极电流:0.6 A; 最小DC直流电流增益:80@1mA@5V|80@10mA@5V|30@50mA@5V; 最大工作频率:300 MHz; 最大集电极...
BC856AT,115
BC856AT,115,功率晶体管,品牌:NXP,封装:SC-75-3,参数:类型:PNP; 引脚数量:3; 最大集电极发射极电压:65 V; 最大DC直流集电极电流:0.1 A; 最小DC直流电流增益:125@2mA@5V; 最大工作频率:100(Min) MHz; 最大集电极发射极饱和电压:0.2@0.5mA@10...
BD436
BD436,晶体管,三极管,TO-126封装,参数为:Pcm=1250mW,Ic=4000mA,BVcbo=32V,BVceo=32V,BVebo=5V,hfe(Min)=85,hfe(Max)=375,Vce(sat)=0.5V,fr=3MHz,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
NCV8450STT3G
NCV8450STT3G,自保护高侧驱动器，具有温度和电流限制,品牌:ON,封装:SOT-223-4,参数:分类:Self-Protected High Side Driver with Temperature and Current Limit; 引脚数目:4; 工作温度:-40 to 150 ℃; 所属系列:NCV...
BF820,235
BF820,235,功率晶体管,品牌:NXP,封装:TO-236AB-3,参数:类型:NPN; 引脚数量:3; 最大集电极发射极电压:300 V; 最大DC直流集电极电流:0.05 A; 最小DC直流电流增益:50@25mA@20V; 最大工作频率:60(Min) MHz; 最大集电极发射极饱和电压:0.6@5mA@3...
2SD2061
2SD2061,晶体管,三极管,TO-220-3L封装,参数为:Pcm=2000mW,Ic=3000mA,BVcbo=80V,BVceo=60V,BVebo=5V,hfe(Min)=100,hfe(Max)=320,Vce(sat)=1V,fr=8+MHz,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
MJD340G
MJD340G,功率晶体管,品牌:ON,封装:DPAK-3,参数:类型:NPN; 引脚数量:3; 最大集电极发射极电压:300 V; 最大DC直流集电极电流:0.5 A; 最小DC直流电流增益:30@50mA@10V; 最大集电极发射极饱和电压:1@10mA@100mA V; 最大集电极基极电压:300 V; 工作温度...
BF420
BF420,功率晶体管,品牌:STMicroelectronics,封装:TO-92-3,参数:类型:NPN; 引脚数量:3; 最大集电极发射极电压:300 V; 最大DC直流集电极电流:0.5 A; 最小DC直流电流增益:50@25mA@20V; 最大工作频率:60(Min) MHz; 最大集电极发射极饱和电压:0....
DTC114WSA
DTC114WSA,NPN数字晶体管,由ROHM原厂生产,TO-92S封装,参数为:Pd=300mW,Io=100mA,Vcc=50V,Gi=24,Vo(on)=0.3V,R1=10K+欧姆,R2=4.7K+欧姆,fr=250+MHz,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
BCX71J,215
BCX71J,215,功率晶体管,品牌:NXP,封装:TO-236AB-3,参数:类型:PNP; 引脚数量:3; 最大集电极发射极电压:45 V; 最大DC直流集电极电流:0.1 A; 最小DC直流电流增益:40@10uA@5V|250@2mA@5V|100@50mA@1V; 最大工作频率:100(Min) MHz; ...
BCX70JT116
BCX70JT116,功率晶体管,品牌:Rohm,封装:SST-3,参数:类型:NPN; 引脚数量:3; 最大集电极发射极电压:45 V; 最大DC直流集电极电流:0.2 A; 最小DC直流电流增益:250@2mA@5V|90@50mA@5V; 最大工作频率:125(Min) MHz; 最大集电极发射极饱和电压:0.3...
BC847C-13-F
BC847C-13-F,功率晶体管,品牌:Diodes,封装:SOT-23-3,参数:类型:NPN; 引脚数量:3; 最大集电极发射极电压:45 V; 最大DC直流集电极电流:0.1 A; 最小DC直流电流增益:420@2mA@5V; 最大工作频率:300(Typ) MHz; 最大集电极发射极饱和电压:0.25@0.5...
ZXTC6718MCTA
ZXTC6718MCTA,功率晶体管,品牌:Diodes,封装:DFN-8 EP,参数:类型:NPN|PNP; 引脚数量:8; 最大集电极发射极电压:20 V; 最大DC直流集电极电流:5@NPN|3.8@PNP A; 最小DC直流电流增益:200@10mA@2V@NPN|300@200mA@2V@NPN|200@2A...
BC55PA,115
BC55PA,115,功率晶体管,品牌:NXP,封装:HUSON-3,参数:类型:NPN; 引脚数量:3; 最大集电极发射极电压:60 V; 最大DC直流集电极电流:1 A; 最小DC直流电流增益:63@5mA@2V|63@150mA@2V|40@500mA@2V; 最大工作频率:180(Typ) MHz; 最大集电极...
PBSS4160QAZ
PBSS4160QAZ,功率晶体管,品牌:NXP,封装:DFN-3,参数:类型:NPN; 引脚数量:3; 最大集电极发射极电压:60 V; 最大DC直流集电极电流:1 A; 最小DC直流电流增益:230@100mA@2V|150@500mA@2V|85@1A@2V; 最大集电极发射极饱和电压:0.125@50mA@50...
DTA143TMT2L
DTA143TMT2L,数字晶体管,品牌:Rohm,封装:VMT-3,参数:配置:Single; 类型:PNP; 最大集电极发射极电压:50 V; 峰值DC直流集电极电流:100 mA; 最小DC直流电流增益:100@1mA@5V; 工作温度:-55 to 150 ℃; 安装方式:Surface Mount. 询报价及...
LMN400B01-7
LMN400B01-7,PNP晶体管和N-MOSFET，带有栅极下拉电阻,品牌:Diodes,封装:SOT-26-6,参数:分类:PNP Transistor and N-MOSFET with Gate Pull Down Resistor; 引脚数目:6; 工作温度:-55 to 150 ℃; 所属系列:LMN40...
NSVT45011MW6T3G
NSVT45011MW6T3G,功率晶体管,品牌:ON,封装:SOT-363-6,参数:类型:NPN; 引脚数量:6; 最大集电极发射极电压:45 V; 最大DC直流集电极电流:0.1 A; 最小DC直流电流增益:150@10uA@5V|200@2mA@5V|0.9@2mA@5V; 最大集电极发射极饱和电压:0.25@...
BCX70H,235
BCX70H,235,功率晶体管,品牌:NXP,封装:TO-236AB-3,参数:类型:NPN; 引脚数量:3; 最大集电极发射极电压:45 V; 最大DC直流集电极电流:0.1 A; 最小DC直流电流增益:40@10uA@5V|180@2mA@5V|70@50mA@1V; 最大工作频率:250(Typ) MHz; 最...
ZXTP2012ASTZ
ZXTP2012ASTZ,功率晶体管,品牌:Diodes,封装:E-Line-3,参数:类型:PNP; 引脚数量:3; 最大集电极发射极电压:60 V; 最大DC直流集电极电流:3.5 A; 最小DC直流电流增益:100@10mA@1V|100@1A@1V|65@4A@1V|10@10A@1V; 最大工作频率:120(...