KSC1730
KSC1730,晶体管,三极管,TO-92封装,参数为:Pcm=200mW,Ic=50mA,BVcbo=30V,BVceo=15V,BVebo=5V,hfe(Min)=40,hfe(Max)=240,Vce(sat)=0.5V,fr=800MHz,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
2N5088G
2N5088G,功率晶体管,品牌:ON,封装:TO-92-3,参数:类型:NPN; 引脚数量:3; 最大集电极发射极电压:30 V; 最大DC直流集电极电流:0.05 A; 最小DC直流电流增益:300@100uA@5V|350@1mA@5V|300@10mA@5V; 最大工作频率:50(Min) MHz; 最大集电极...
DCP54-16-13
DCP54-16-13,功率晶体管,品牌:Diodes,封装:SOT-223-4,参数:类型:NPN; 引脚数量:4; 最大集电极发射极电压:45 V; 最大DC直流集电极电流:1 A; 最小DC直流电流增益:100@150mA@2V; 最大工作频率:200(Typ) MHz; 最大集电极发射极饱和电压:0.5@50m...
DP0150ALP4-7
DP0150ALP4-7,功率晶体管,品牌:Diodes,封装:DFN-H4-3,参数:类型:PNP; 引脚数量:3; 最大集电极发射极电压:50 V; 最大DC直流集电极电流:0.1 A; 最小DC直流电流增益:120@2mA@6V; 最大工作频率:80(Min) MHz; 最大集电极发射极饱和电压:0.3@10mA...
MMBTA92-7-F
MMBTA92-7-F,功率晶体管,品牌:Diodes,封装:SOT-23-3,参数:类型:PNP; 引脚数量:3; 最大集电极发射极电压:300 V; 最大DC直流集电极电流:0.5 A; 最小DC直流电流增益:25@1mA@10V|40@10mA@10V|25@30mA@10V; 最大工作频率:50(Min) MH...
PMBTA14,215
PMBTA14,215,三极管,达林顿管,品牌:NXP,封装:TO-236AB-3,参数:配置:Single; 类型:NPN; 最大集电极发射极电压:30 V; 峰值DC直流集电极电流:0.5 A; 最小DC直流电流增益:10000@10mA@5V|20000@100mA@5V; 最大集电极发射极饱和电压:1.5@0....
MCH4013-TL-E
MCH4013-TL-E,功率晶体管,品牌:ON,封装:MCPH-4,参数:类型:NPN; 引脚数量:4; 最大集电极发射极电压:3.5 V; 最大DC直流集电极电流:0.015 A; 最小DC直流电流增益:70@5mA@1V; 最大工作频率:22500(Typ) MHz; 最大集电极基极电压:10 V; 工作温度:-...
SOC2222AHRB
SOC2222AHRB,功率晶体管,品牌:STMicroelectronics,封装:CLCC-3,参数:类型:NPN; 引脚数量:3; 最大集电极发射极电压:40 V; 最大DC直流集电极电流:0.8 A; 最小DC直流电流增益:30@0.1A@10V|75@1mA@10V|100@10mA@10V|100@150m...
BCR133E6327HTSA1
BCR133E6327HTSA1,数字晶体管,品牌:Infineon,封装:SOT-23-3,参数:配置:Single; 类型:NPN; 最大集电极发射极电压:50 V; 峰值DC直流集电极电流:100 mA; 最小DC直流电流增益:30@5mA@5V; 工作温度:-65 to 150 ℃; 安装方式:Surface ...
2N2222A
2N2222A,功率晶体管,品牌:Microsemi,封装:TO-18-3,参数:类型:NPN; 引脚数量:3; 最大集电极发射极电压:50 V; 最大DC直流集电极电流:0.8 A; 最小DC直流电流增益:50@0.1mA@10V|75@1mA@10V|100@10mA@10V|100@150mA@10V|30@50...
D45H11
D45H11,功率晶体管,品牌:ON,封装:TO-220AB-3,参数:类型:PNP; 引脚数量:3; 最大集电极发射极电压:80 V; 最大DC直流集电极电流:10 A; 最小DC直流电流增益:60@2A@1V|40@4A@1V; 最大工作频率:40(Typ) MHz; 最大集电极发射极饱和电压:1@0.4A@8A ...
PDTC123YE,115
PDTC123YE,115,数字晶体管,品牌:NXP,封装:SC-75-3,参数:配置:Single; 类型:NPN; 最大集电极发射极电压:50 V; 峰值DC直流集电极电流:100 mA; 最小DC直流电流增益:35@5mA@5V; 工作温度:-65 to 150 ℃; 安装方式:Surface Mount. 库存...
MJD32CT4-A
MJD32CT4-A,功率晶体管,品牌:STMicroelectronics,封装:TO-252-3,参数:类型:PNP; 引脚数量:3; 最大集电极发射极电压:100 V; 最大DC直流集电极电流:3 A; 最小DC直流电流增益:25@1A@4V|10@3A@4V; 最大集电极发射极饱和电压:1.2@375mA@3A...
MMBT2222A-7
MMBT2222A-7,功率晶体管,品牌:Diodes,封装:SOT-23-3,参数:类型:NPN; 引脚数量:3; 最大集电极发射极电压:40 V; 最大DC直流集电极电流:0.6 A; 最小DC直流电流增益:35@0.1mA@10V|50@1mA@10V|75@10mA@10V|100@150mA@10V|40@5...
PUMD2,115
PUMD2,115,数字晶体管,品牌:NXP,封装:TSSOP-6,参数:配置:Dual; 类型:NPN|PNP; 最大集电极发射极电压:50 V; 峰值DC直流集电极电流:100 mA; 最小DC直流电流增益:60@5mA@5V; 工作温度:-65 to 150 ℃; 安装方式:Surface Mount. 库存实时...
BC857BV,115
BC857BV,115,功率晶体管,品牌:NXP,封装:SOT-666-6,参数:类型:PNP; 引脚数量:6; 最大集电极发射极电压:45 V; 最大DC直流集电极电流:0.1 A; 最小DC直流电流增益:200@2mA@5V; 最大工作频率:100(Min) MHz; 最大集电极发射极饱和电压:0.1@0.5mA@...
ULN2003AFWGSCELM
ULN2003AFWGSCELM,三极管,达林顿管,品牌:Toshiba,封装:SOL-16,参数:配置:Array 7; 类型:NPN; 最大集电极发射极电压:50 V; 峰值DC直流集电极电流:0.5 A; 最小DC直流电流增益:1000@350mA@2V; 最大集电极发射极饱和电压:1.6@350mA|1.3@2...
BCR35PNE6327
BCR35PNE6327,数字晶体管,品牌:Infineon,封装:SOT-363-6,参数:配置:Dual; 类型:NPN|PNP; 最大集电极发射极电压:50 V; 峰值DC直流集电极电流:100 mA; 最小DC直流电流增益:70@5mA@5V; 工作温度:-65 to 150 ℃; 安装方式:Surface M...
ZTX553
ZTX553,功率晶体管,品牌:Diodes,封装:E-Line-3,参数:类型:PNP; 引脚数量:3; 最大集电极发射极电压:100 V; 最大DC直流集电极电流:1 A; 最小DC直流电流增益:40@150mA@10V|10@1A@10V; 最大工作频率:150(Min) MHz; 最大集电极发射极饱和电压:0....
ULN2003A
ULN2003A,三极管,达林顿管,品牌:STMicroelectronics,封装:PDIP-16,参数:配置:Array 7; 类型:NPN; 最大集电极发射极电压:50 V; 峰值DC直流集电极电流:0.5 A; 最小DC直流电流增益:1000@350mA@2V; 最大集电极发射极饱和电压:1.1@250uA@1...