ZXTP2014ZTA
ZXTP2014ZTA,功率晶体管,品牌:Diodes,封装:SOT-89-4,参数:类型:PNP; 引脚数量:4; 最大集电极发射极电压:140 V; 最大DC直流集电极电流:3 A; 最小DC直流电流增益:100@10mA@5V|100@1A@5V|45@3A@5V; 最大工作频率:120(Typ) MHz; 最大...
BA12003BF-E2
BA12003BF-E2,三极管,达林顿管,品牌:Rohm,封装:SOP-16,参数:配置:Array 7; 类型:NPN; 最大集电极发射极电压:60 V; 峰值DC直流集电极电流:0.5 A; 最小DC直流电流增益:1000@350mA@2V; 最大集电极发射极饱和电压:1.1@250uA@100mA|1.3@35...
ULQ2003ATDG4Q1
ULQ2003ATDG4Q1,三极管,达林顿管,品牌:TI,封装:SOIC-16,参数:配置:Array 7; 类型:NPN; 最大集电极发射极电压:50 V; 峰值DC直流集电极电流:0.5 A; 最大集电极发射极饱和电压:1.2@100mA|1.4@200mA|1.7@350mA V; 安装方式:Surface M...
FZT560TC
FZT560TC,功率晶体管,品牌:Diodes,封装:SOT-223-4,参数:类型:PNP; 引脚数量:4; 最大集电极发射极电压:500 V; 最大DC直流集电极电流:0.15 A; 最小DC直流电流增益:100@1mA@10V|80@50mA@10V; 最大工作频率:60(Min) MHz; 最大集电极发射极饱...
APT13005DT-G1
APT13005DT-G1,功率晶体管,品牌:Diodes,封装:TO-220AB-3,参数:类型:NPN; 引脚数量:3; 最大集电极发射极电压:450 V; 最大DC直流集电极电流:4 A; 最小DC直流电流增益:15@1A@5V|8@2A@5V; 最大集电极发射极饱和电压:0.3@0.2A@1A|0.6@0.5@...
DXT458P5-13
DXT458P5-13,功率晶体管,品牌:Diodes,封装:PowerDI 5-3,参数:类型:NPN; 引脚数量:3; 最大集电极发射极电压:400 V; 最大DC直流集电极电流:0.3 A; 最小DC直流电流增益:100@1mA@10V|100@50mA@10V|15@100mA@10V; 最大工作频率:50(M...
ZXT11N15DFTA
ZXT11N15DFTA,功率晶体管,品牌:Diodes,封装:SOT-23-3,参数:类型:NPN; 引脚数量:3; 最大集电极发射极电压:15 V; 最大DC直流集电极电流:3 A; 最小DC直流电流增益:200@10mA@2V|300@200mA@2V|250@1A@2V|200@3A@2V|150@5A@2V;...
BC858AW-7-F
BC858AW-7-F,功率晶体管,品牌:Diodes,封装:SOT-323-3,参数:类型:PNP; 引脚数量:3; 最大集电极发射极电压:30 V; 最大DC直流集电极电流:0.1 A; 最小DC直流电流增益:125@2mA@5V; 最大工作频率:200(Typ) MHz; 最大集电极发射极饱和电压:0.3@0.5...
KTD1304
KTD1304,贴片晶体管,三极管,SOT-23封装,参数为:Pcm=200mW,Ic=300mA,BVcbo=25V,BVceo=20V,BVebo=12V,hfe(Min)=200,hfe(Max)=1000,Vce(sat)=0.25V,fr=60+MHz,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
KSA1150
KSA1150,晶体管,三极管,TO-92S封装,参数为:Pcm=300mW,Ic=500mA,BVcbo=40V,BVceo=20V,BVebo=5V,hfe(Min)=40,hfe(Max)=400,Vce(sat)=0.4V,fr=150MHz,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
2SC5865TLQ
2SC5865TLQ,功率晶体管,品牌:Rohm,封装:TSMT-3,参数:类型:NPN; 引脚数量:3; 最大集电极发射极电压:60 V; 最大DC直流集电极电流:1 A; 最小DC直流电流增益:120@100mA@2V; 最大工作频率:250(Typ) MHz; 最大集电极发射极饱和电压:0.5@50mA@500m...
MMST3904T146
MMST3904T146,功率晶体管,品牌:Rohm,封装:SMT-3,参数:类型:NPN; 引脚数量:3; 最大集电极发射极电压:40 V; 最大DC直流集电极电流:0.2 A; 最小DC直流电流增益:40@0.1mA@1V|70@1mA@1V|100@10mA@1V|60@50mA@1V|30@100mA@1V; ...
BD242BG
BD242BG,功率晶体管,品牌:ON,封装:TO-220AB-3,参数:类型:PNP; 引脚数量:3; 最大集电极发射极电压:80 V; 最大DC直流集电极电流:3 A; 最小DC直流电流增益:25@1A@4V|10@3A@4V; 最大工作频率:3(Min) MHz; 最大集电极发射极饱和电压:1.2@0.6A@3A...
BC846BWT1G
BC846BWT1G,功率晶体管,品牌:ON,封装:SC-70-3,参数:类型:NPN; 引脚数量:3; 最大集电极发射极电压:65 V; 最大DC直流集电极电流:0.1 A; 最小DC直流电流增益:200@2mA@5V; 最大工作频率:100(Min) MHz; 最大集电极发射极饱和电压:0.25@0.5mA@10m...
KSA931
KSA931,晶体管,三极管,TO-92MOD封装,参数为:Pcm=1000mW,Ic=700mA,BVcbo=80V,BVceo=60V,BVebo=8V,hfe(Min)=40,hfe(Max)=320,Vce(sat)=0.7V,fr=100+MHz,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
TIP147T
TIP147T,三极管,达林顿管,品牌:Fairchild,封装:TO-220AB-3,参数:配置:Single; 类型:PNP; 最大集电极发射极电压:100 V; 峰值DC直流集电极电流:10 A; 最小DC直流电流增益:1000@5A@4V|500@10A@4V; 最大集电极发射极饱和电压:2@10mA@5A|3...
KTC3198
KTC3198,晶体管,三极管,TO-92封装,参数为:Pcm=625mW,Ic=150mA,BVcbo=60V,BVceo=50V,BVebo=5V,hfe(Min)=70,hfe(Max)=700,Vce(sat)=0.25V,fr=80MHz,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
2SAR542PT100
2SAR542PT100,功率晶体管,品牌:Rohm,封装:SOT-89-3,参数:类型:PNP; 引脚数量:3; 最大集电极发射极电压:30 V; 最大DC直流集电极电流:5 A; 最小DC直流电流增益:200@500mA@2V; 最大集电极发射极饱和电压:0.4@100mA@2A V; 最大集电极基极电压:30 V...
MMST2907A-7-F
MMST2907A-7-F,功率晶体管,品牌:Diodes,封装:SOT-323-3,参数:类型:PNP; 引脚数量:3; 最大集电极发射极电压:60 V; 最大DC直流集电极电流:0.6 A; 最小DC直流电流增益:75@0.1mA@10V|100@1mA@10V|100@10mA@10V|100@150mA@10V...
STE07DE220
STE07DE220,混合型发射极开关双极晶体管,品牌:STMicroelectronics,封装:ISOTOP-4,参数:分类:Hybrid Emitter Switched Bipolar Transistor; 引脚数目:4; 工作温度:-40 to 125 ℃; 所属系列:STE07DE220; 安装方式:Sc...