CPH5901G-TL-E
CPH5901G-TL-E,NPN外延硅晶体管和N沟道硅结场效应晶体管,品牌:ON,封装:CPH-5,参数:分类:NPN Epitaxial Silicon Transistor and N-Channel Silicon Junction Field Effect Transistor; 引脚数目:5; 工作温度:-...
TIP50
TIP50,功率晶体管,品牌:Fairchild,封装:TO-220AB-3,参数:类型:NPN; 引脚数量:3; 最大集电极发射极电压:400 V; 最大DC直流集电极电流:1 A; 最小DC直流电流增益:30@300mA@10V|10@1A@10V; 最大工作频率:10(Min) MHz; 最大集电极发射极饱和电压...
ULN2003AFWG,O,N,E
ULN2003AFWG,O,N,E,三极管,达林顿管,品牌:Toshiba,封装:SOL-16,参数:配置:Array 7; 类型:NPN; 最大集电极发射极电压:50 V; 峰值DC直流集电极电流:0.5 A; 最小DC直流电流增益:1000@350mA@2V; 最大集电极发射极饱和电压:1.6@350mA|1.3@...
PMBS3906,215
PMBS3906,215,功率晶体管,品牌:NXP,封装:TO-236AB-3,参数:类型:PNP; 引脚数量:3; 最大集电极发射极电压:40 V; 最大DC直流集电极电流:0.1 A; 最小DC直流电流增益:60@0.1mA@1V|80@1mA@1V|100@10mA@1V|60@50mA@1V|30@100mA@...
BSR41,115
BSR41,115,功率晶体管,品牌:NXP,封装:SOT-89-4,参数:类型:NPN; 引脚数量:4; 最大集电极发射极电压:60 V; 最大DC直流集电极电流:1 A; 最小DC直流电流增益:30@100uA@5V|100@100mA@5V|50@500mA@5V; 最大工作频率:100(Min) MHz; 最大...
MPS650G
MPS650G,功率晶体管,品牌:ON,封装:TO-92-3,参数:类型:NPN; 引脚数量:3; 最大集电极发射极电压:40 V; 最大DC直流集电极电流:2 A; 最小DC直流电流增益:75@50mA@2V|75@500mA@2V|75@1A@2V|40@2A@2V; 最大工作频率:75(Min) MHz; 最大集...
2SC1627A
2SC1627A,晶体管,三极管,TO-92MOD封装,参数为:Pcm=800mW,Ic=400mA,BVcbo=80V,BVceo=80V,BVebo=5V,hfe(Min)=70,hfe(Max)=240,Vce(sat)=0.4V,fr=100+MHz,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
RN1406T5LFT
RN1406T5LFT,数字晶体管,品牌:Toshiba,封装:S-Mini-3,参数:配置:Single; 类型:NPN; 最大集电极发射极电压:50 V; 峰值DC直流集电极电流:100 mA; 最小DC直流电流增益:80@10mA@5V; 工作温度:-55 to 150 ℃; 安装方式:Surface Mount...
BC858CDXV6T1G
BC858CDXV6T1G,功率晶体管,品牌:ON,封装:SOT-563-6,参数:类型:PNP; 引脚数量:6; 最大集电极发射极电压:30 V; 最大DC直流集电极电流:0.1 A; 最小DC直流电流增益:420@2mA@5V; 最大工作频率:100(Min) MHz; 最大集电极发射极饱和电压:0.3@0.5mA...
BC640
BC640,晶体管,三极管,TO-92封装,参数为:Pcm=830mW,Ic=1000mA,BVcbo=100V,BVceo=80V,BVebo=5V,hfe(Min)=63,hfe(Max)=250,Vce(sat)=0.5V,fr=100MHz,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
PMSTA3904,115
PMSTA3904,115,功率晶体管,品牌:NXP,封装:SC-70-3,参数:引脚数量:3; 安装方式:Surface Mount. 询报价及购买请致电:0755-83897562
ZTX605STZ
ZTX605STZ,三极管,达林顿管,品牌:Diodes,封装:E-Line-3,参数:配置:Single; 类型:NPN; 最大集电极发射极电压:120 V; 峰值DC直流集电极电流:1 A; 最小DC直流电流增益:2000@50mA@5V|5000@500mA@5V|2000@1A@5V|500@2A@5V; 最大...
CPH3106-TL-E
CPH3106-TL-E,功率晶体管,品牌:ON,封装:CPH-3,参数:类型:PNP; 引脚数量:3; 最大集电极发射极电压:12 V; 最大DC直流集电极电流:3 A; 最小DC直流电流增益:200@500mA@2V; 最大工作频率:280(Typ) MHz; 最大集电极发射极饱和电压:0.165@30mA@1.5...
TIP41CG
TIP41CG,功率晶体管,品牌:ON,封装:TO-220AB-3,参数:类型:NPN; 引脚数量:3; 最大集电极发射极电压:100 V; 最大DC直流集电极电流:6 A; 最小DC直流电流增益:30@300mA@4V|15@3A@4V; 最大工作频率:3(Min) MHz; 最大集电极发射极饱和电压:1.5@600...
RN2405(T5L,M)
RN2405(T5L,M),数字晶体管,品牌:Toshiba,封装:S-Mini-3,参数:配置:Single; 类型:PNP; 最大集电极发射极电压:50 V; 峰值DC直流集电极电流:100 mA; 最小DC直流电流增益:80@10mA@5V; 工作温度:-55 to 150 ℃; 安装方式:Surface Mou...
MJD31C1G
MJD31C1G,功率晶体管,品牌:ON,封装:IPAK-3,参数:类型:NPN; 引脚数量:3; 最大集电极发射极电压:100 V; 最大DC直流集电极电流:3 A; 最小DC直流电流增益:25@1A@4V|10@3A@4V; 最大工作频率:3(Min) MHz; 最大集电极发射极饱和电压:1.2@375mA@3A ...
ST13003
ST13003,功率晶体管,品牌:STMicroelectronics,封装:SOT-32-3,参数:类型:NPN; 引脚数量:3; 最大集电极发射极电压:400 V; 最大DC直流集电极电流:1.5 A; 最小DC直流电流增益:5@1A@2V; 最大集电极发射极饱和电压:0.5@0.1A@0.5A|1@0.25A@1...
PBSS5350SS,115
PBSS5350SS,115,功率晶体管,品牌:NXP,封装:SO-8,参数:类型:NPN|PNP; 引脚数量:8; 最大集电极发射极电压:50 V; 最大DC直流集电极电流:2.7 A; 最小DC直流电流增益:200@100mA@2V|200@500mA@2V|180@1A@2V|130@2A@2V|95@2.7A@...
BSR33
BSR33,贴片晶体管,三极管,SOT-89-3L封装,参数为:Pcm=500mW,Ic=1000mA,BVcbo=90V,BVceo=80V,BVebo=5V,hfe(Min)=100,hfe(Max)=300,Vce(sat)=0.5V,fr=100MHz,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
2SD2098
2SD2098,贴片晶体管,三极管,SOT-89-3L封装,参数为:Pcm=500mW,Ic=5000mA,BVcbo=50V,BVceo=20V,BVebo=6V,hfe(Min)=120,hfe(Max)=390,Vce(sat)=1V,fr=150+MHz,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562