• 登录
社交账号登录

2SA1235A

2SA1235A,贴片晶体管,三极管,SOT-23封装,参数为:Pcm=200mW,Ic=200mA,BVcbo=60V,BVceo=50V,BVebo=6V,hfe(Min)=150,hfe(Max)=500,Vce(sat)=0.3V,fr=200+MHz,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562

PBSS4350X,147

PBSS4350X,147,功率晶体管,品牌:NXP,封装:SOT-89-4,参数:类型:NPN; 引脚数量:4; 最大集电极发射极电压:50 V; 最大DC直流集电极电流:3 A; 最小DC直流电流增益:300@0.1A@2V|300@0.5A@2V|300@1A@2V|200@2A@2V|100@3A@2V; 最大...

DTC143TSATP

DTC143TSATP,数字晶体管,品牌:Rohm,封装:SPT-3,参数:配置:Single; 类型:NPN; 最大集电极发射极电压:50 V; 峰值DC直流集电极电流:100 mA; 最小DC直流电流增益:100@1mA@5V; 工作温度:-55 to 150 ℃; 安装方式:Through Hole. 询报价及购...

2SD1683T

2SD1683T,功率晶体管,品牌:ON,封装:TO-126ML-3,参数:类型:NPN; 引脚数量:3; 最大集电极发射极电压:50 V; 最大DC直流集电极电流:4 A; 最小DC直流电流增益:200@100mA@2V; 最大工作频率:150(Typ) MHz; 最大集电极发射极饱和电压:0.5@100mA@2A ...

NST848BF3T5G

NST848BF3T5G,功率晶体管,品牌:ON,封装:SOT-1123-3,参数:类型:NPN; 引脚数量:3; 最大集电极发射极电压:30 V; 最大DC直流集电极电流:0.1 A; 最小DC直流电流增益:200@2mA@5V; 最大工作频率:100(Min) MHz; 最大集电极发射极饱和电压:0.25@0.5m...

RN1406,LF

RN1406,LF,数字晶体管,品牌:Toshiba,封装:S-Mini-3,参数:配置:Single; 类型:NPN; 最大集电极发射极电压:50 V; 峰值DC直流集电极电流:100 mA; 最小DC直流电流增益:80@10mA@5V; 工作温度:-55 to 150 ℃; 安装方式:Surface Mount. ...

SS8050

SS8050,贴片晶体管,三极管,SOT-23封装,参数为:Pcm=300mW,Ic=1500mA,BVcbo=40V,BVceo=25V,BVebo=5V,hfe(Min)=120,hfe(Max)=400,Vce(sat)=0.5V,fr=100MHz,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562

DCP56-13

DCP56-13,功率晶体管,品牌:Diodes,封装:SOT-223-4,参数:类型:NPN; 引脚数量:4; 最大集电极发射极电压:80 V; 最大DC直流集电极电流:1 A; 最小DC直流电流增益:25@5mA@2V|40@150mA@2V|25@500mA@2V; 最大工作频率:200(Typ) MHz; 最大...

PHE13003C,126

PHE13003C,126,功率晶体管,品牌:NXP,封装:SPT-3,参数:类型:NPN; 引脚数量:3; 最大集电极发射极电压:400 V; 最大DC直流集电极电流:1.5 A; 最小DC直流电流增益:8@0.5A@2V|5@1A@2V; 最大集电极发射极饱和电压:0.5@0.1A@0.5A|1@0.25A@1A|...

2SC1740S

2SC1740S,晶体管,三极管,TO-92S封装,参数为:Pcm=300mW,Ic=150mA,BVcbo=60V,BVceo=50V,BVebo=7V,hfe(Min)=120,hfe(Max)=560,Vce(sat)=0.4V,fr=100MHz,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562

BD680

BD680,三极管,达林顿管,品牌:STMicroelectronics,封装:SOT-32-3,参数:配置:Single; 类型:PNP; 最大集电极发射极电压:80 V; 峰值DC直流集电极电流:4 A; 最小DC直流电流增益:750@1.5A@3V; 最大集电极发射极饱和电压:2.5@30mA@1.5A V; 最...

SPZTA42T1G

SPZTA42T1G,功率晶体管,品牌:ON,封装:SOT-223-4,参数:类型:NPN; 引脚数量:4; 最大集电极发射极电压:300 V; 最大DC直流集电极电流:0.05 A; 最小DC直流电流增益:25@1mA@10V|40@10mA@10V|40@30mA@10V; 最大工作频率:50(Min) MHz; ...

PEMD30,315

PEMD30,315,数字晶体管,品牌:NXP,封装:SOT-666-6,参数:配置:Dual; 类型:NPN|PNP; 最大集电极发射极电压:50 V; 峰值DC直流集电极电流:100 mA; 最小DC直流电流增益:30@20mA@5V; 工作温度:-65 to 150 ℃; 安装方式:Surface Mount. ...

KSA931

KSA931,晶体管,三极管,TO-92MOD封装,参数为:Pcm=1000mW,Ic=700mA,BVcbo=80V,BVceo=60V,BVebo=8V,hfe(Min)=40,hfe(Max)=320,Vce(sat)=0.7V,fr=100+MHz,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562

SBC817-16LT3G

SBC817-16LT3G,功率晶体管,品牌:ON,封装:SOT-23-3,参数:类型:NPN; 引脚数量:3; 最大集电极发射极电压:45 V; 最大DC直流集电极电流:0.5 A; 最小DC直流电流增益:100@100mA@1V|40@500mA@1V; 最大工作频率:100(Min) MHz; 最大集电极发射极饱...

ZXTN25040DFLTA

ZXTN25040DFLTA,功率晶体管,品牌:Diodes,封装:SOT-23-3,参数:类型:NPN; 引脚数量:3; 最大集电极发射极电压:130 V; 最大DC直流集电极电流:1.5 A; 最小DC直流电流增益:300@10mA@2V|300@1A@2V|170@1.5A@2V|25@4A@2V; 最大工作频率...

IMD10AT108

IMD10AT108,数字晶体管,品牌:Rohm,封装:SMT-6,参数:配置:Dual; 类型:NPN|PNP; 最大集电极发射极电压:50@NPN V; 峰值DC直流集电极电流:100@NPN|500@PNP mA; 最小DC直流电流增益:100@1mA@5V@NPN|68@100mA@5V@PNP; 工作温度:-...

NJW21193G

NJW21193G,功率晶体管,品牌:ON,封装:TO-3P-3,参数:类型:PNP; 引脚数量:3; 最大集电极发射极电压:250 V; 最大DC直流集电极电流:16 A; 最小DC直流电流增益:20@8A@5V; 最大工作频率:4(Min) MHz; 最大集电极发射极饱和电压:1.4@0.8A@8A|4@3.2A@...

STL73D

STL73D,功率晶体管,品牌:STMicroelectronics,封装:TO-92-3,参数:类型:NPN; 引脚数量:3; 最大集电极发射极电压:400 V; 最大DC直流集电极电流:1.5 A; 最小DC直流电流增益:10@0.6A@3V|4@1.2A@5V; 最大集电极发射极饱和电压:0.4@60mA@0.3...

ZTX948

ZTX948,功率晶体管,品牌:Diodes,封装:E-Line-3,参数:类型:PNP; 引脚数量:3; 最大集电极发射极电压:20 V; 最大DC直流集电极电流:4.5 A; 最小DC直流电流增益:100@10mA@1V|100@1A@1V|75@5A@1V|60@10A@1V|15@20A@1V; 最大工作频率:...