SG2823J-883B
SG2823J-883B,三极管,达林顿管,品牌:Microsemi,封装:CDIP-18,参数:配置:Octal; 类型:NPN; 最大集电极发射极电压:95 V; 峰值DC直流集电极电流:0.5 A; 最小DC直流电流增益:1000@350mA@2V; 最大集电极发射极饱和电压:1.6@500uA@350mA|1....
DZT953-13
DZT953-13,功率晶体管,品牌:Diodes,封装:SOT-223-4,参数:类型:PNP; 引脚数量:4; 最大集电极发射极电压:100 V; 最大DC直流集电极电流:5 A; 最小DC直流电流增益:100@10mA@1V|100@1A@1V|50@3A@1V|30@4A@1V|15(Typ)@10A@1V; ...
BD437
BD437,晶体管,三极管,TO-126封装,参数为:Pcm=1250mW,Ic=4000mA,BVcbo=45V,BVceo=45V,BVebo=5V,hfe(Min)=85,hfe(Max)=375,Vce(sat)=0.6V,fr=3MHz,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
DDTC144WUA-7-F
DDTC144WUA-7-F,数字晶体管,品牌:Diodes,封装:SOT-323-3,参数:配置:Single; 类型:NPN; 峰值DC直流集电极电流:100 mA; 最小DC直流电流增益:56@5mA@5V; 工作温度:-55 to 150 ℃; 安装方式:Surface Mount. 询报价及购买请致电:075...
SBC846BPDW1T1G
SBC846BPDW1T1G,功率晶体管,品牌:ON,封装:SOT-363-6,参数:类型:NPN|PNP; 引脚数量:6; 最大集电极发射极电压:65 V; 最大DC直流集电极电流:0.1 A; 最小DC直流电流增益:200@2mA@5V; 最大工作频率:100(Min) MHz; 最大集电极发射极饱和电压:0.25...
FZTA92TA
FZTA92TA,功率晶体管,品牌:Diodes,封装:SOT-223-4,参数:类型:PNP; 引脚数量:4; 最大集电极发射极电压:300 V; 最大DC直流集电极电流:0.5 A; 最小DC直流电流增益:25@1mA@10V|40@10mA@10V|25@30mA@10V; 最大工作频率:50(Min) MHz;...
MMBT3904T
MMBT3904T,贴片晶体管,三极管,SOT-523封装,参数为:Pcm=150mW,Ic=200mA,BVcbo=60V,BVceo=40V,BVebo=6V,hfe(Min)=100,hfe(Max)=300,Vce(sat)=0.3V,fr=300MHz,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
SN75468N
SN75468N,三极管,达林顿管,品牌:TI,封装:PDIP-16,参数:配置:Array 7; 类型:NPN; 最大集电极发射极电压:100 V; 峰值DC直流集电极电流:0.5 A; 安装方式:Through Hole. 库存实时更新,询报价及购买请致电:0755-83897562
START499TR
START499TR,功率晶体管,品牌:STMicroelectronics,封装:SOT-343-4,参数:类型:NPN; 引脚数量:4; 最大集电极发射极电压:4.5 V; 最大DC直流集电极电流:0.6 A; 最小DC直流电流增益:160(Typ)@160mA@4V; 最大工作频率:42000 MHz; 最大集电...
BCX55-10,115
BCX55-10,115,功率晶体管,品牌:NXP,封装:SOT-89-4,参数:类型:NPN; 引脚数量:4; 最大集电极发射极电压:60 V; 最大DC直流集电极电流:1 A; 最小DC直流电流增益:63@150mA@2V; 最大工作频率:180(Typ) MHz; 最大集电极发射极饱和电压:0.5@50mA@50...
DDTA114YE-7-F
DDTA114YE-7-F,数字晶体管,品牌:Diodes,封装:SOT-523-3,参数:配置:Single; 类型:PNP; 峰值DC直流集电极电流:100 mA; 最小DC直流电流增益:68@10mA@5V; 工作温度:-55 to 150 ℃; 安装方式:Surface Mount. 询报价及购买请致电:075...
TD62083AFNG(5,S,EL)
TD62083AFNG(5,S,EL),三极管,达林顿管,品牌:Toshiba,封装:SSOP-18,参数:配置:Octal; 类型:NPN; 最大集电极发射极电压:50 V; 峰值DC直流集电极电流:0.5 A; 最小DC直流电流增益:1000@350mA@2V; 最大集电极发射极饱和电压:1.6@350mA|1.3...
TIP125
TIP125,达林顿晶体管,由ST原厂生产,TO-220-3L封装,参数为:Pcm=2000mW,Ic=5000mA,BVcbo=60V,BVceo=60V,BVebo=5V,hfe(Min)=1000,Vce(sat)=4V,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
2SB1260T100P
2SB1260T100P,功率晶体管,品牌:Rohm,封装:MPT-4,参数:类型:PNP; 引脚数量:4; 最大集电极发射极电压:80 V; 最大DC直流集电极电流:1 A; 最小DC直流电流增益:82@0.1A@3V; 最大工作频率:100(Typ) MHz; 最大集电极发射极饱和电压:0.4@50mA@500mA...
BCR198SH6327XTSA1
BCR198SH6327XTSA1,数字晶体管,品牌:Infineon,封装:SOT-363-6,参数:配置:Dual; 类型:PNP; 最大集电极发射极电压:50 V; 峰值DC直流集电极电流:100 mA; 最小DC直流电流增益:70@5mA@5V; 工作温度:-65 to 150 ℃; 安装方式:Surface ...
MJD44E3T4G
MJD44E3T4G,三极管,达林顿管,品牌:ON,封装:DPAK-3,参数:配置:Single; 类型:NPN; 最大集电极发射极电压:80 V; 峰值DC直流集电极电流:10 A; 最小DC直流电流增益:1000@5A@5V; 最大集电极发射极饱和电压:1.5@10mA@5A|2@20mA@10A V; 安装方式:...
DTA114EETL
DTA114EETL,数字晶体管,品牌:Rohm,封装:EMT-3,参数:配置:Single; 类型:PNP; 峰值DC直流集电极电流:100 mA; 最小DC直流电流增益:20@5mA@5V; 工作温度:-55 to 150 ℃; 安装方式:Surface Mount. 库存实时更新,询报价及购买请致电:0755-8...
2STN1550
2STN1550,功率晶体管,品牌:ST Micro,封装:SOT-223-4,参数:类型:NPN; 引脚数量:4; 最大集电极发射极电压:50 V; 最大DC直流集电极电流:5 A; 最小DC直流电流增益:100@3A@2V|135@2A@2V; 最大集电极发射极饱和电压:0.45@300mA@3A V; 最大集电极...
SMBT3906L6327
SMBT3906L6327,功率晶体管,品牌:Infineon,封装:SOT-23-3,参数:类型:PNP; 引脚数量:3; 最大集电极发射极电压:40 V; 最大DC直流集电极电流:0.2 A; 最小DC直流电流增益:60@100uA@1V|80@1mA@1V|100@10mA@1V|60@50mA@1V|30@10...
STC04IE170HV
STC04IE170HV,发射极开关双极晶体管,品牌:STMicroelectronics,封装:TO-247-4,参数:分类:Emitter Switched Bipolar Transistor; 引脚数目:4; 工作温度:-40 to 150 ℃; 所属系列:STC04IE170HV; 安装方式:Through ...