STN0214
STN0214,功率晶体管,品牌:STMicroelectronics,封装:SOT-223-4,参数:类型:NPN; 引脚数量:4; 最大集电极发射极电压:1200 V; 最大DC直流集电极电流:0.2 A; 最小DC直流电流增益:20(Typ)@1mA@2V|3(Typ)@200mA@2V; 最大集电极发射极饱和电...
MJD112T4
MJD112T4,三极管,达林顿管,品牌:ST Micro,封装:TO-252-3,参数:配置:Single; 类型:NPN; 最大集电极发射极电压:100 V; 峰值DC直流集电极电流:2 A; 最小DC直流电流增益:200@4A@3V|500@500mA@3V|1000@2A@3V; 最大集电极发射极饱和电压:2@...
BUL416T
BUL416T,功率晶体管,品牌:STMicroelectronics,封装:TO-220-3,参数:类型:NPN; 引脚数量:3; 最大集电极发射极电压:800 V; 最大DC直流集电极电流:6 A; 最小DC直流电流增益:10@10mA@5V|18@0.7A@5V; 最大集电极发射极饱和电压:1@0.4A@2A|1...
D882
D882,晶体管,三极管,TO-251-3L封装,参数为:Pcm=1250mW,Ic=3000mA,BVcbo=40V,BVceo=30V,BVebo=5V,hfe(Min)=60,hfe(Max)=400,Vce(sat)=0.5V,fr=90+MHz,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
MPSA05
MPSA05,晶体管,三极管,TO-92封装,参数为:Pcm=625mW,Ic=500mA,BVcbo=60V,BVceo=60V,BVebo=4V,hfe(Min)=100,hfe(Max)=-,Vce(sat)=0.25V,fr=100MHz,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
NSVDTC143ZET1G
NSVDTC143ZET1G,数字晶体管,品牌:ON,封装:SC-75-3,参数:配置:Single; 类型:NPN; 最大集电极发射极电压:50 V; 峰值DC直流集电极电流:0.1 A; 最小DC直流电流增益:80@5mA@10V; 工作温度:-55 to 150 ℃; 安装方式:Surface Mount. 询报...
2SB1181TLQ
2SB1181TLQ,功率晶体管,品牌:Rohm,封装:CPT-3,参数:类型:PNP; 引脚数量:3; 最大集电极发射极电压:80 V; 最大DC直流集电极电流:1 A; 最小DC直流电流增益:120@0.1A@3V; 最大工作频率:100(Typ) MHz; 最大集电极发射极饱和电压:0.4@50mA@500mA ...
RN4904,LF
RN4904,LF,功率晶体管,品牌:Toshiba,封装:US-6,参数:类型:NPN|PNP; 引脚数量:6; 最大集电极发射极电压:50 V; 最大DC直流集电极电流:0.1 A; 最小DC直流电流增益:80@10mA@5V; 最大集电极发射极饱和电压:0.3@0.25mA@5mA V; 最大集电极基极电压:50...
BFR360L3E6765
BFR360L3E6765,功率晶体管,品牌:Infineon,封装:TSLP-3,参数:类型:NPN; 引脚数量:3; 最大集电极发射极电压:6 V; 最大DC直流集电极电流:0.035 A; 最小DC直流电流增益:90@15mA@3V; 最大工作频率:14000(Typ) MHz; 最大集电极基极电压:15 V; ...
DDB6U134N16RR
DDB6U134N16RR,二极管模块带有斩波IGBT,品牌:Infineon,封装:Module-19,参数:分类:Diode Module with Chopper-IGBT; 引脚数目:19; 工作温度:-40 to 150 ℃; 所属系列:DDB6U134N16RR; 安装方式:Screw. 询报价及购买请致电...
BD140
BD140,功率晶体管,品牌:ST Micro,封装:SOT-32-3,参数:类型:PNP; 引脚数量:3; 最大集电极发射极电压:80 V; 最大DC直流集电极电流:3 A; 最小DC直流电流增益:25@5mA@2V|40@150mA@2V|25@500mA@2V; 最大集电极发射极饱和电压:0.5@0.05A@0....
2PC4617QM,315
2PC4617QM,315,功率晶体管,品牌:NXP,封装:DFN-3,参数:类型:NPN; 引脚数量:3; 最大集电极发射极电压:50 V; 最大DC直流集电极电流:0.1 A; 最小DC直流电流增益:120@1mA@6V; 最大工作频率:100(Min) MHz; 最大集电极发射极饱和电压:0.2@5mA@50mA...
KSE340STU
KSE340STU,功率晶体管,品牌:Fairchild,封装:TO-126-3,参数:类型:NPN; 引脚数量:3; 最大集电极发射极电压:300 V; 最大DC直流集电极电流:0.5 A; 最小DC直流电流增益:30@50mA@10V; 最大集电极基极电压:300 V; 工作温度:-65 to 150 ℃; 最大功...
PBSS5320D,115
PBSS5320D,115,功率晶体管,品牌:NXP,封装:TSOP-6,参数:类型:PNP; 引脚数量:6; 最大集电极发射极电压:20 V; 最大DC直流集电极电流:3 A; 最小DC直流电流增益:200@100mA@2V|200@500mA@2V|200@1000mA@2V|150@2000mA@2V; 最大工作...
PDTC115TMB,315
PDTC115TMB,315,数字晶体管,品牌:NXP,封装:DFN-3,参数:配置:Single; 类型:NPN; 最大集电极发射极电压:50 V; 峰值DC直流集电极电流:100 mA; 最小DC直流电流增益:100@1mA@5V; 工作温度:-65 to 150 ℃; 安装方式:Surface Mount. 询报...
PBSS5240ZF
PBSS5240ZF,功率晶体管,品牌:NXP,封装:SOT-223-4,参数:类型:PNP; 引脚数量:4; 最大集电极发射极电压:40 V; 最大DC直流集电极电流:2 A; 最小DC直流电流增益:300@1mA@5V|215@500mA@5V|145@1A@5V|55@2A@5V; 最大集电极发射极饱和电压:0....
KTA968A
KTA968A,晶体管,三极管,TO-220-3L封装,参数为:Pcm=2000mW,Ic=1500mA,BVcbo=180V,BVceo=180V,BVebo=5V,hfe(Min)=70,hfe(Max)=240,Vce(sat)=1.5V,fr=100+MHz,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-838975...
PDTB123YUX
PDTB123YUX,数字晶体管,品牌:NXP,封装:SOT-323-3,参数:配置:Single; 类型:PNP; 最大集电极发射极电压:50 V; 峰值DC直流集电极电流:500 mA; 最小DC直流电流增益:70@50mA@5V; 工作温度:-55 to 175 ℃; 安装方式:Surface Mount. 询报...
MMBT6517LT1G
MMBT6517LT1G,功率晶体管,品牌:ON,封装:SOT-23-3,参数:类型:NPN; 引脚数量:3; 最大集电极发射极电压:350 V; 最大DC直流集电极电流:0.1 A; 最小DC直流电流增益:20@0.1mA@10V|30@10mA@10V|30@30mA@10V|20@50mA@10V|15@100m...
FCX491ATA
FCX491ATA,功率晶体管,品牌:Diodes,封装:SOT-89-4,参数:类型:NPN; 引脚数量:4; 最大集电极发射极电压:40 V; 最大DC直流集电极电流:1 A; 最小DC直流电流增益:300@1mA@5V|300@500mA@5V|200@1A@5V|35@2A@5V; 最大工作频率:150(Min...