TIP30C-S
TIP30C-S,功率晶体管,品牌:Bourns,封装:TO-220-3,参数:类型:PNP; 引脚数量:3; 最大集电极发射极电压:100 V; 最大DC直流集电极电流:1 A; 最小DC直流电流增益:40@0.2A@4V|15@1A@4V; 最大集电极发射极饱和电压:0.7@0.125A@1A V; 最大集电极基极...
PMBS3906,215
PMBS3906,215,功率晶体管,品牌:NXP,封装:TO-236AB-3,参数:类型:PNP; 引脚数量:3; 最大集电极发射极电压:40 V; 最大DC直流集电极电流:0.1 A; 最小DC直流电流增益:60@0.1mA@1V|80@1mA@1V|100@10mA@1V|60@50mA@1V|30@100mA@...
DDC143TU-7-F
DDC143TU-7-F,数字晶体管,品牌:Diodes,封装:SOT-363-6,参数:配置:Dual; 类型:NPN; 最大集电极发射极电压:50 V; 峰值DC直流集电极电流:100 mA; 最小DC直流电流增益:100@1mA@5V; 工作温度:-55 to 150 ℃; 安装方式:Surface Mount....
DDTB123YC-7-F
DDTB123YC-7-F,数字晶体管,品牌:Diodes,封装:SOT-23-3,参数:配置:Single; 类型:PNP; 峰值DC直流集电极电流:500 mA; 最小DC直流电流增益:56@50mA@5V; 工作温度:-55 to 150 ℃; 安装方式:Surface Mount. 询报价及购买请致电:0755...
ULN2002D1013TR
ULN2002D1013TR,三极管,达林顿管,品牌:STMicroelectronics,封装:SO-16,参数:配置:Array 7; 类型:NPN; 最大集电极发射极电压:50 V; 峰值DC直流集电极电流:0.5 A; 最小DC直流电流增益:1000@350mA@2V; 最大集电极发射极饱和电压:1.1@250...
BC856B-7-F
BC856B-7-F,功率晶体管,品牌:Diodes,封装:SOT-23-3,参数:类型:PNP; 引脚数量:3; 最大集电极发射极电压:65 V; 最大DC直流集电极电流:0.1 A; 最小DC直流电流增益:220@2mA@5V; 最大工作频率:200(Typ) MHz; 最大集电极发射极饱和电压:0.3@0.5mA...
BC847W,115
BC847W,115,功率晶体管,品牌:NXP,封装:SC-70-3,参数:类型:NPN; 引脚数量:3; 最大集电极发射极电压:45 V; 最大DC直流集电极电流:0.1 A; 最小DC直流电流增益:110@2mA@5V; 最大工作频率:100(Min) MHz; 最大集电极发射极饱和电压:0.2@0.5mA@10m...
BFP182RE7764HTSA1
BFP182RE7764HTSA1,功率晶体管,品牌:Infineon,封装:SOT-143R-4,参数:类型:NPN; 引脚数量:4; 最大集电极发射极电压:12 V; 最大DC直流集电极电流:0.035 A; 最小DC直流电流增益:70@10mA@8V; 最大工作频率:8000(Typ) MHz; 最大集电极基极电...
BCV62BE6433HTMA1
BCV62BE6433HTMA1,功率晶体管,品牌:Infineon,封装:SOT-143-4,参数:类型:PNP; 引脚数量:4; 最大集电极发射极电压:30 V; 最大DC直流集电极电流:0.1 A; 最小DC直流电流增益:100@1mA@10V|220@2mA@5V; 最大工作频率:250(Typ) MHz; 最...
BCX52-10,115
BCX52-10,115,功率晶体管,品牌:NXP,封装:SOT-89-4,参数:类型:PNP; 引脚数量:4; 最大集电极发射极电压:60 V; 最大DC直流集电极电流:1 A; 最小DC直流电流增益:63@150mA@2V; 最大工作频率:145(Typ) MHz; 最大集电极发射极饱和电压:0.5@50mA@50...
2SC2881-O(TE12L,CF)
2SC2881-O(TE12L,CF),功率晶体管,品牌:Toshiba,封装:PW-Mini-4,参数:类型:NPN; 引脚数量:4; 最大集电极发射极电压:120 V; 最大DC直流集电极电流:0.8 A; 最小DC直流电流增益:80@100mA@5V; 最大工作频率:120(Typ) MHz; 最大集电极发射极饱...
BC858BE6327HTSA1
BC858BE6327HTSA1,功率晶体管,品牌:Infineon,封装:SOT-23-3,参数:类型:PNP; 引脚数量:3; 最大集电极发射极电压:30 V; 最大DC直流集电极电流:0.1 A; 最小DC直流电流增益:220@2mA@5V; 最大工作频率:250(Typ) MHz; 最大集电极发射极饱和电压:0...
PDTC114TE,115
PDTC114TE,115,数字晶体管,品牌:NXP,封装:SC-75-3,参数:配置:Single; 类型:NPN; 最大集电极发射极电压:50 V; 峰值DC直流集电极电流:100 mA; 最小DC直流电流增益:200@1mA@5V; 工作温度:-65 to 150 ℃; 安装方式:Surface Mount. 询...
2SD1664T100R
2SD1664T100R,功率晶体管,品牌:Rohm,封装:MPT-4,参数:类型:NPN; 引脚数量:4; 最大集电极发射极电压:32 V; 最大DC直流集电极电流:1 A; 最小DC直流电流增益:180@100mA@3V; 最大工作频率:150(Typ) MHz; 最大集电极发射极饱和电压:0.4@50mA@500...
2DD2661-13
2DD2661-13,功率晶体管,品牌:Diodes,封装:SOT-89-4,参数:类型:NPN; 引脚数量:4; 最大集电极发射极电压:12 V; 最大DC直流集电极电流:2 A; 最小DC直流电流增益:270@200mA@2V; 最大工作频率:170(Typ) MHz; 最大集电极发射极饱和电压:0.18@50mA...
FZT790ATA
FZT790ATA,功率晶体管,品牌:Diodes,封装:SOT-223-4,参数:类型:PNP; 引脚数量:4; 最大集电极发射极电压:40 V; 最大DC直流集电极电流:3 A; 最小DC直流电流增益:300@10mA@2V|250@500mA@2V|200@1A@2V|150@2A@2V; 最大工作频率:100(...
LMN400B01-7
LMN400B01-7,PNP晶体管和N-MOSFET，带有栅极下拉电阻,品牌:Diodes,封装:SOT-26-6,参数:分类:PNP Transistor and N-MOSFET with Gate Pull Down Resistor; 引脚数目:6; 工作温度:-55 to 150 ℃; 所属系列:LMN40...
2SA673A
2SA673A,晶体管,三极管,TO-92封装,参数为:Pcm=400mW,Ic=500mA,BVcbo=50V,BVceo=50V,BVebo=4V,hfe(Min)=60,hfe(Max)=320,Vce(sat)=0.6V,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
HFA3127BZ
HFA3127BZ,功率晶体管,品牌:Intersil,封装:SOIC-16 N,参数:类型:NPN; 引脚数量:16; 最大集电极发射极电压:8 V; 最大DC直流集电极电流:0.065 A; 最小DC直流电流增益:40@10mA@2V; 最大工作频率:8000(Typ) MHz; 最大集电极发射极饱和电压:0.5@...
MPSW01AG
MPSW01AG,功率晶体管,品牌:ON,封装:TO-92-3,参数:类型:NPN; 引脚数量:3; 最大集电极发射极电压:40 V; 最大DC直流集电极电流:1 A; 最小DC直流电流增益:55@10mA@1V|60@100mA@1V|50@1000mA@1V; 最大工作频率:50(Min) MHz; 最大集电极发射...