SMCJ11CE3, 瞬态电压抑制器, TVS二极管, 参数: Single Bi-Dir 11V 1.5KW,品牌:Microsemi,封装:DO-214AB,参数:配置: Single; 方向类型: Bi-Directional; 峰值脉冲功率耗散: 1500 W; 最大峰值脉冲电流: 74.6 A; 最大反向漏电...
SMAJ100AE3, 瞬态电压抑制器, TVS二极管, 参数: Single Uni-Dir 100V 500W,品牌:Microsemi,封装:DO-214AC,参数:配置: Single; 方向类型: Uni-Directional; 峰值脉冲功率耗散: 500 W; 最大峰值脉冲电流: 3.1 A; 最大反向漏...
TPSMB27HE3T, 瞬态电压抑制器, TVS二极管, 参数: Single Uni-Dir 21.8V 600W,品牌:Vishay,封装:SMB,参数:配置: Single; 方向类型: Uni-Directional; 峰值脉冲功率耗散: 600 W; 最大峰值脉冲电流: 15.3 A; 最大反向漏电流: 1...
SMCJ5660A, 瞬态电压抑制器, TVS二极管, 参数: Single Uni-Dir 111V 1.5KW,品牌:Microsemi,封装:DO-214AB,参数:配置: Single; 方向类型: Uni-Directional; 峰值脉冲功率耗散: 1500 W; 最大峰值脉冲电流: 8.4 A; 最大反向...
SMBJ30CA-TR, 瞬态电压抑制器, TVS二极管, 参数: Single Bi-Dir 30V 600W,品牌:ST,封装:SMB,参数:配置: Single; 方向类型: Bi-Directional; 峰值脉冲功率耗散: 600 W; 最大峰值脉冲电流: 62 A; 最大反向漏电流: 0.2 uA; 最大钳...
SM4T50AY, 瞬态电压抑制器, TVS二极管, 参数: Single Uni-Dir 43V 400W,品牌:ST,封装:SMA,参数:配置: Single; 方向类型: Uni-Directional; 峰值脉冲功率耗散: 400 W; 最大峰值脉冲电流: 25 A; 最大反向漏电流: 0.2 uA; 最大钳位...
1.5KE22CAHE3, 瞬态电压抑制器, TVS二极管, 参数: Single Bi-Dir 18.8V 1.5KW,品牌:Vishay,封装:2Case,参数:配置: Single; 方向类型: Bi-Directional; 峰值脉冲功率耗散: 1500 W; 最大峰值脉冲电流: 49 A; 最大反向漏电流: ...
P6KE6.8A-E3, 瞬态电压抑制器, TVS二极管, 参数: Single Uni-Dir 5.8V 600W,品牌:Vishay,封装:DO-15,参数:配置: Single; 方向类型: Uni-Directional; 峰值脉冲功率耗散: 600 W; 最大峰值脉冲电流: 57.1 A; 最大反向漏电流: ...
1.5KE62CA-B, 瞬态电压抑制器, TVS二极管, 参数: Single Bi-Dir 53V 1.5KW,品牌:Diodes,封装:DO-201,参数:配置: Single; 方向类型: Bi-Directional; 峰值脉冲功率耗散: 1500 W; 最大峰值脉冲电流: 17.7 A; 最大反向漏电流: ...
SMCJ10CA-E3, 瞬态电压抑制器, TVS二极管, 参数: Single Bi-Dir 10V 1.5KW,品牌:Vishay,封装:SMC,参数:配置: Single; 方向类型: Bi-Directional; 峰值脉冲功率耗散: 1500 W; 最大峰值脉冲电流: 88.2 A; 最大反向漏电流: 10 ...
LC20A, 瞬态电压抑制器, TVS二极管, 参数: Single Uni-Dir 20V 1.5KW,品牌:Microsemi,封装:DO-13,参数:配置: Single; 方向类型: Uni-Directional; 峰值脉冲功率耗散: 1500 W; 最大峰值脉冲电流: 46 A; 最大反向漏电流: 10 u...
1SMA15AT3G, 瞬态电压抑制器, TVS二极管, 参数: Single Uni-Dir 15V 400W,品牌:ON,封装:SMA,参数:配置: Single; 方向类型: Uni-Directional; 峰值脉冲功率耗散: 400 W; 最大峰值脉冲电流: 16.4 A; 最大反向漏电流: 2.5 uA; ...
1.5KE39CA-E3, 瞬态电压抑制器, TVS二极管, 参数: Single Bi-Dir 33.3V 1.5KW,品牌:Vishay,封装:2Case,参数:配置: Single; 方向类型: Bi-Directional; 峰值脉冲功率耗散: 1500 W; 最大峰值脉冲电流: 27.8 A; 最大反向漏电流...
PESD0402-060,ESD静电抑制器,品牌:TE,封装:SMD-2,参数:引脚数量:2; 方向类型:Bi-Directional; 最大钳位电压:40(Typ) V; ESD保护电压:25@Air Gap/15@Contact Disc kV; 最大工作电压:6 V; 电容值:0.25(Typ) pF; 最低工作...
SMCJ36A-E3, 瞬态电压抑制器, TVS二极管, 参数: Single Uni-Dir 36V 1.5KW,品牌:Vishay,封装:SMC,参数:配置: Single; 方向类型: Uni-Directional; 峰值脉冲功率耗散: 1500 W; 最大峰值脉冲电流: 25.8 A; 最大反向漏电流: 1 ...
SM16LC03C, 瞬态电压抑制器, TVS二极管, 参数: Octal Bi-Dir 3.3V 300W,品牌:Microsemi,封装:SOIC-16,参数:配置: Octal; 方向类型: Bi-Directional; 峰值脉冲功率耗散: 300 W; 最大峰值脉冲电流: 5 A; 最大反向漏电流: 200 ...
BZG04-33TR3, 瞬态电压抑制器, TVS二极管, 参数: Single 33V 300W,品牌:Vishay,封装:SMA,参数:配置: Single; 峰值脉冲功率耗散: 300 W; 最大峰值脉冲电流: 5.5 A; 最大反向漏电流: 5 uA; 最大钳位电压: 54.1 V; 最大反向关态电压: 33 ...
SZP6SMB200AT3G, 瞬态电压抑制器, TVS二极管, 参数: Single Uni-Dir 171V 600W,品牌:ON,封装:SMB,参数:配置: Single; 方向类型: Uni-Directional; 峰值脉冲功率耗散: 600 W; 最大峰值脉冲电流: 2.2 A; 最大反向漏电流: 5 uA...
SMBJ120AE3, 瞬态电压抑制器, TVS二极管, 参数: Single Uni-Dir 120V 600W,品牌:Microsemi,封装:DO-214AA,参数:配置: Single; 方向类型: Uni-Directional; 峰值脉冲功率耗散: 600 W; 最大峰值脉冲电流: 3.1 A; 最大反向漏...
TPD2E2U06DRLR-P,ESD静电抑制器,二极管阵列,品牌:TI,封装:SOT-2,参数:类型:Diode Arrays; 配置:Dual; 引脚数量:5; 方向类型:Uni-Directional; 最大钳位电压:12.4(Typ) V; 每芯片单元数目:2; ESD保护电压:±30@Air Gap|±25@...
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