P6KE30ARLG, 瞬态电压抑制器, TVS二极管, 参数: Single Uni-Dir 25.6V 600W,品牌:ON,封装:2Case,参数:配置: Single; 方向类型: Uni-Directional; 峰值脉冲功率耗散: 600 W; 最大峰值脉冲电流: 14.4 A; 最大反向漏电流: 5 uA...
SMCJ5635AE3, 瞬态电压抑制器, TVS二极管, 参数: Single Uni-Dir 10.2V 1.5KW,品牌:Microsemi,封装:DO-214AB,参数:配置: Single; 方向类型: Uni-Directional; 峰值脉冲功率耗散: 1500 W; 最大峰值脉冲电流: 90 A; 最大...
SMBJ22E3, 瞬态电压抑制器, TVS二极管, 参数: Single Uni-Dir 22V 600W,品牌:Microsemi,封装:DO-214AA,参数:配置: Single; 方向类型: Uni-Directional; 峰值脉冲功率耗散: 600 W; 最大峰值脉冲电流: 15.2 A; 最大反向漏电流...
P6SMB350A-E3, 瞬态电压抑制器, TVS二极管, 参数: Single Uni-Dir 300V 600W,品牌:Vishay,封装:SMB,参数:配置: Single; 方向类型: Uni-Directional; 峰值脉冲功率耗散: 600 W; 最大峰值脉冲电流: 1.24 A; 最大反向漏电流: 1...
P6KE110A-E3, 瞬态电压抑制器, TVS二极管, 参数: Single Uni-Dir 94V 600W,品牌:Vishay,封装:DO-15,参数:配置: Single; 方向类型: Uni-Directional; 峰值脉冲功率耗散: 600 W; 最大峰值脉冲电流: 3.9 A; 最大反向漏电流: 1 ...
P6KE9V1CA-B, 瞬态电压抑制器, TVS二极管, 参数: Single Bi-Dir 7.78V 600W,品牌:Diodes,封装:DO-15,参数:配置: Single; 方向类型: Bi-Directional; 峰值脉冲功率耗散: 600 W; 最大峰值脉冲电流: 45 A; 最大反向漏电流: 100...
SA20ARLG, 瞬态电压抑制器, TVS二极管, 参数: Single Uni-Dir 20V 500W,品牌:ON,封装:2Case 59AA-01,参数:配置: Single; 方向类型: Uni-Directional; 峰值脉冲功率耗散: 500 W; 最大峰值脉冲电流: 15.4 A; 最大反向漏电流: ...
SMAJ17CAE3, 瞬态电压抑制器, TVS二极管, 参数: Single Bi-Dir 17V 500W,品牌:Microsemi,封装:DO-214AC,参数:配置: Single; 方向类型: Bi-Directional; 峰值脉冲功率耗散: 500 W; 最大峰值脉冲电流: 18.1 A; 最大反向漏电流...
SRV05-4ATCT,ESD静电抑制器,二极管阵列,品牌:Semtech,封装:SOT-23-6,参数:类型:Diode Arrays; 引脚数量:6; 方向类型:Uni-Directional; 最大钳位电压:17.5 V; 每芯片单元数目:4; ESD保护电压:15@Air Gap/8@Contact Disc ...
SMA5J10AHE3, 瞬态电压抑制器, TVS二极管, 参数: Single Uni-Dir 10V 500W,品牌:Vishay,封装:SMA,参数:配置: Single; 方向类型: Uni-Directional; 峰值脉冲功率耗散: 500 W; 最大峰值脉冲电流: 29.4 A; 最大反向漏电流: 1 u...
SMBJ70A-E3, 瞬态电压抑制器, TVS二极管, 参数: Single Uni-Dir 70V 600W,品牌:Vishay,封装:SMB,参数:配置: Single; 方向类型: Uni-Directional; 峰值脉冲功率耗散: 600 W; 最大峰值脉冲电流: 5.3 A; 最大反向漏电流: 1 uA;...
1N6172US, 瞬态电压抑制器, TVS二极管, 参数: Single Bi-Dir 136.8V 1.5KW,品牌:Microsemi,封装:2G-MELF,参数:配置: Single; 方向类型: Bi-Directional; 峰值脉冲功率耗散: 1500 W; 最大峰值脉冲电流: 6.1 A; 最大反向漏电...
1V5KE62A, 瞬态电压抑制器, TVS二极管, 参数: Single Uni-Dir 53V 1.5KW,品牌:Fairchild,封装:DO-201AE,参数:配置: Single; 方向类型: Uni-Directional; 峰值脉冲功率耗散: 1500 W; 最大峰值脉冲电流: 17.7 A; 最大反向漏...
P4KE9.1CAHE3, 瞬态电压抑制器, TVS二极管, 参数: Single Bi-Dir 7.78V 400W,品牌:Vishay,封装:DO-204AL,参数:配置: Single; 方向类型: Bi-Directional; 峰值脉冲功率耗散: 400 W; 最大峰值脉冲电流: 29.9 A; 最大反向漏电...
1N6039A, 瞬态电压抑制器, TVS二极管, 参数: Single Bi-Dir 8.5V 1.5KW,品牌:Microsemi,封装:DO-13,参数:配置: Single; 方向类型: Bi-Directional; 峰值脉冲功率耗散: 1500 W; 最大峰值脉冲电流: 103 A; 最大反向漏电流: 50...
SMCJ6060E3, 瞬态电压抑制器, TVS二极管, 参数: Single Bi-Dir 60V 1.5KW,品牌:Microsemi,封装:DO-214AB,参数:配置: Single; 方向类型: Bi-Directional; 峰值脉冲功率耗散: 1500 W; 最大峰值脉冲电流: 13.9 A; 最大反向漏...
TGL41-39A-E3, 瞬态电压抑制器, TVS二极管, 参数: Single Uni-Dir 33.3V 400W,品牌:Vishay,封装:DO-213AB,参数:配置: Single; 方向类型: Uni-Directional; 峰值脉冲功率耗散: 400 W; 最大峰值脉冲电流: 7.4 A; 最大反向漏...
RCLAMP7002M.TBT,ESD静电抑制器,二极管阵列,品牌:Semtech,封装:MSOP-8,参数:类型:Diode Arrays; 引脚数量:8; 方向类型:Uni-Directional; 最大钳位电压:14.3 V; 每芯片单元数目:4; ESD保护电压:15@Air Gap/8@Contact Dis...
SMAJ13AE3, 瞬态电压抑制器, TVS二极管, 参数: Single Uni-Dir 13V 500W,品牌:Microsemi,封装:DO-214AC,参数:配置: Single; 方向类型: Uni-Directional; 峰值脉冲功率耗散: 500 W; 最大峰值脉冲电流: 23.2 A; 最大反向漏电...
1N6117A, 瞬态电压抑制器, TVS二极管, 参数: Single Bi-Dir 22.8V 500W,品牌:Microsemi,封装:2Case E,参数:配置: Single; 方向类型: Bi-Directional; 峰值脉冲功率耗散: 500 W; 最大峰值脉冲电流: 12 A; 最大反向漏电流: 1 ...
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