B72500D 50H160,ESD静电抑制器,品牌:EPCOS(TDK),封装:SOD-523-2,参数:类型:CeraDiode; 引脚数量:2; 方向类型:Bi-Directional; 每芯片单元数目:1; ESD保护电压:15@Air Gap/8@Contact Disc kV; 最大工作电压:5.6 V; ...
SMBJ170CE3, 瞬态电压抑制器, TVS二极管, 参数: Single Bi-Dir 170V 600W,品牌:Microsemi,封装:DO-214AA,参数:配置: Single; 方向类型: Bi-Directional; 峰值脉冲功率耗散: 600 W; 最大峰值脉冲电流: 2 A; 最大反向漏电流: ...
1N6063A, 瞬态电压抑制器, TVS二极管, 参数: Single Bi-Dir 82V 1.5KW,品牌:Microsemi,封装:DO-13,参数:配置: Single; 方向类型: Bi-Directional; 峰值脉冲功率耗散: 1500 W; 最大峰值脉冲电流: 11 A; 最大反向漏电流: 5 uA...
P6SMB8.2A-E3, 瞬态电压抑制器, TVS二极管, 参数: Single Uni-Dir 7.02V 600W,品牌:Vishay,封装:SMB,参数:配置: Single; 方向类型: Uni-Directional; 峰值脉冲功率耗散: 600 W; 最大峰值脉冲电流: 49.6 A; 最大反向漏电流: ...
P6KE160ARLG, 瞬态电压抑制器, TVS二极管, 参数: Single Uni-Dir 136V 600W,品牌:ON,封装:2Case,参数:配置: Single; 方向类型: Uni-Directional; 峰值脉冲功率耗散: 600 W; 最大峰值脉冲电流: 2.7 A; 最大反向漏电流: 5 uA;...
SMBJ20CE3, 瞬态电压抑制器, TVS二极管, 参数: Single Bi-Dir 20V 600W,品牌:Microsemi,封装:DO-214AA,参数:配置: Single; 方向类型: Bi-Directional; 峰值脉冲功率耗散: 600 W; 最大峰值脉冲电流: 16.7 A; 最大反向漏电流:...
CD214A-T26ALF, 瞬态电压抑制器, TVS二极管, 参数: Single Uni-Dir 26V 400W,品牌:Bourns,封装:SMA,参数:配置: Single; 方向类型: Uni-Directional; 峰值脉冲功率耗散: 400(Min) W; 最大峰值脉冲电流: 9.5 A; 最大反向漏电...
SMBJ22CA-E3, 瞬态电压抑制器, TVS二极管, 参数: Single Bi-Dir 22V 600W,品牌:Vishay,封装:SMB,参数:配置: Single; 方向类型: Bi-Directional; 峰值脉冲功率耗散: 600 W; 最大峰值脉冲电流: 16.9 A; 最大反向漏电流: 1 uA;...
SMBJ6.5E3, 瞬态电压抑制器, TVS二极管, 参数: Single Uni-Dir 6.5V 600W,品牌:Microsemi,封装:DO-214AA,参数:配置: Single; 方向类型: Uni-Directional; 峰值脉冲功率耗散: 600 W; 最大峰值脉冲电流: 48.7 A; 最大反向漏...
SMBJ26CA-TR, 瞬态电压抑制器, TVS二极管, 参数: Single Bi-Dir 26V 600W,品牌:Fairchild,封装:DO-214AA,参数:配置: Single; 方向类型: Bi-Directional; 峰值脉冲功率耗散: 600 W; 最大峰值脉冲电流: 14.3 A; 最大反向漏电...
RCLAMP0502A.TCT, 瞬态电压抑制器, TVS二极管, 参数: Single Uni-Dir 5V 50W,品牌:Semtech,封装:6SC-89,参数:配置: Single; 方向类型: Uni-Directional; 峰值脉冲功率耗散: 50 W; 最大峰值脉冲电流: 3 A; 最大反向漏电流: 1...
SMAJ60CE3, 瞬态电压抑制器, TVS二极管, 参数: Single Bi-Dir 60V 500W,品牌:Microsemi,封装:DO-214AC,参数:配置: Single; 方向类型: Bi-Directional; 峰值脉冲功率耗散: 500 W; 最大峰值脉冲电流: 4.7 A; 最大反向漏电流: ...
CD214B-T150ALF, 瞬态电压抑制器, TVS二极管, 参数: Single Uni-Dir 150V 600W,品牌:Bourns,封装:SMB,参数:配置: Single; 方向类型: Uni-Directional; 峰值脉冲功率耗散: 600 W; 最大峰值脉冲电流: 2.5 A; 最大反向漏电流: ...
DVIULC6-4SC6,ESD静电抑制器,二极管阵列,品牌:STMicroelectronics,封装:SOT-23-6,参数:类型:Diode Arrays; 引脚数量:6; 方向类型:Uni-Directional; 最大钳位电压:17 V; 每芯片单元数目:4; ESD保护电压:±15@Air Gap/±15@...
VPORT0603470MV12,多层压敏电阻ESD抑制器,品牌:INPAQ,封装:0603,参数:类型:Multilayer Varistor; 配置:Single; 引脚数量:2; 方向类型:Bi-Directional; 最大钳位电压:38 V; 每芯片单元数目:1; 最大工作电压:12 V; 最大漏电流:15 ...
1N6278AHE3, 瞬态电压抑制器, TVS二极管, 参数: Single Uni-Dir 17.1V 1.5KW,品牌:Vishay,封装:2Case,参数:配置: Single; 方向类型: Uni-Directional; 峰值脉冲功率耗散: 1500 W; 最大峰值脉冲电流: 54.2 A; 最大反向漏电流...
SMBG18AHE3, 瞬态电压抑制器, TVS二极管, 参数: Single Uni-Dir 18V 600W,品牌:Vishay,封装:SMBG,参数:配置: Single; 方向类型: Uni-Directional; 峰值脉冲功率耗散: 600 W; 最大峰值脉冲电流: 20.5 A; 最大反向漏电流: 1 u...
SMBJ8.5AE3, 瞬态电压抑制器, TVS二极管, 参数: Single Uni-Dir 8.5V 600W,品牌:Microsemi,封装:DO-214AA,参数:配置: Single; 方向类型: Uni-Directional; 峰值脉冲功率耗散: 600 W; 最大峰值脉冲电流: 41.7 A; 最大反向...
SMCG15AHE3, 瞬态电压抑制器, TVS二极管, 参数: Single Uni-Dir 15V 1.5KW,品牌:Vishay,封装:SMCG,参数:配置: Single; 方向类型: Uni-Directional; 峰值脉冲功率耗散: 1500 W; 最大峰值脉冲电流: 61.5 A; 最大反向漏电流: 1...
1.5SMC10AT3G, 瞬态电压抑制器, TVS二极管, 参数: Single Uni-Dir 8.55V 1.5KW,品牌:ON,封装:SMC,参数:配置: Single; 方向类型: Uni-Directional; 峰值脉冲功率耗散: 1500 W; 最大峰值脉冲电流: 103 A; 最大反向漏电流: 10 ...
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