SMCJ11CE3, 瞬态电压抑制器, TVS二极管, 参数: Single Bi-Dir 11V 1.5KW,品牌:Microsemi,封装:DO-214AB,参数:配置: Single; 方向类型: Bi-Directional; 峰值脉冲功率耗散: 1500 W; 最大峰值脉冲电流: 74.6 A; 最大反向漏电...
1N6042A, 瞬态电压抑制器, TVS二极管, 参数: Single Bi-Dir 11V 1.5KW,品牌:Microsemi,封装:DO-13,参数:配置: Single; 方向类型: Bi-Directional; 峰值脉冲功率耗散: 1500 W; 最大峰值脉冲电流: 82 A; 最大反向漏电流: 5 uA...
P4SMA9.1CA-E3, 瞬态电压抑制器, TVS二极管, 参数: Single Bi-Dir 7.78V 400W,品牌:Vishay,封装:SMA,参数:配置: Single; 方向类型: Bi-Directional; 峰值脉冲功率耗散: 400 W; 最大峰值脉冲电流: 29.9 A; 最大反向漏电流: 1...
SMLJ36C, 瞬态电压抑制器, TVS二极管, 参数: Single Bi-Dir 36V 3KW,品牌:Microsemi,封装:DO-214AB,参数:配置: Single; 方向类型: Bi-Directional; 峰值脉冲功率耗散: 3000 W; 最大峰值脉冲电流: 46.6 A; 最大反向漏电流: 2...
ECLAMP2522P.TCT, 瞬态电压抑制器, TVS二极管, 参数: Quad Bi-Dir 5.5V,品牌:Semtech,封装:6SLP EP,参数:配置: Quad; 方向类型: Bi-Directional; 最大反向漏电流: 1 uA; 最大反向关态电压: 5.5 V; 最小击穿电压: 6 V; 测试电...
BZW04-7V8BHE3, 瞬态电压抑制器, TVS二极管, 参数: Single Bi-Dir 7.78V 400W,品牌:Vishay,封装:DO-204AL,参数:配置: Single; 方向类型: Bi-Directional; 峰值脉冲功率耗散: 400 W; 最大峰值脉冲电流: 30 A; 最大反向漏电流...
1.5KE12CA-T, 瞬态电压抑制器, TVS二极管, 参数: Single Bi-Dir 10.2V 1.5KW,品牌:Diodes,封装:DO-201,参数:配置: Single; 方向类型: Bi-Directional; 峰值脉冲功率耗散: 1500 W; 最大峰值脉冲电流: 90 A; 最大反向漏电流: ...
SMA6J10CA-TR, 瞬态电压抑制器, TVS二极管, 参数: Single Bi-Dir 10V 600W,品牌:ST,封装:SMA,参数:配置: Single; 方向类型: Bi-Directional; 峰值脉冲功率耗散: 600 W; 最大峰值脉冲电流: 184 A; 最大反向漏电流: 0.2 uA; 最...
P4KE24A-E3, 瞬态电压抑制器, TVS二极管, 参数: Single Uni-Dir 20.5V 400W,品牌:Vishay,封装:DO-204AL,参数:配置: Single; 方向类型: Uni-Directional; 峰值脉冲功率耗散: 400 W; 最大峰值脉冲电流: 12 A; 最大反向漏电流:...
BZW04-28-E3, 瞬态电压抑制器, TVS二极管, 参数: Single Uni-Dir 28.2V 400W,品牌:Vishay,封装:DO-204AL,参数:配置: Single; 方向类型: Uni-Directional; 峰值脉冲功率耗散: 400 W; 最大峰值脉冲电流: 8.8 A; 最大反向漏电...
SMAJ43A-TR, 瞬态电压抑制器, TVS二极管, 参数: Single Uni-Dir 43V 400W,品牌:ST,封装:SMA,参数:配置: Single; 方向类型: Uni-Directional; 峰值脉冲功率耗散: 400 W; 最大峰值脉冲电流: 25 A; 最大反向漏电流: 0.2 uA; 最大...
BZG04-13TR, 瞬态电压抑制器, TVS二极管, 参数: Single 13V 300W,品牌:Vishay,封装:SMA,参数:配置: Single; 峰值脉冲功率耗散: 300 W; 最大峰值脉冲电流: 13.1 A; 最大反向漏电流: 5 uA; 最大钳位电压: 22.9 V; 最大反向关态电压: 13 ...
1N6105A, 瞬态电压抑制器, TVS二极管, 参数: Single Bi-Dir 6.9V 500W,品牌:Microsemi,封装:2Case E,参数:配置: Single; 方向类型: Bi-Directional; 峰值脉冲功率耗散: 500 W; 最大峰值脉冲电流: 37.3 A; 最大反向漏电流: 2...
SMBJ16E3, 瞬态电压抑制器, TVS二极管, 参数: Single Uni-Dir 16V 600W,品牌:Microsemi,封装:DO-214AA,参数:配置: Single; 方向类型: Uni-Directional; 峰值脉冲功率耗散: 600 W; 最大峰值脉冲电流: 20.8 A; 最大反向漏电流...
SMCJ5629E3, 瞬态电压抑制器, TVS二极管, 参数: Single Uni-Dir 5.5V 1.5KW,品牌:Microsemi,封装:DO-214AB,参数:配置: Single; 方向类型: Uni-Directional; 峰值脉冲功率耗散: 1500 W; 最大峰值脉冲电流: 139 A; 最大反...
90KS200CH3, 瞬态电压抑制器, TVS二极管, 参数: Single Bi-Dir 180V 90KW,品牌:Microsemi,封装:2Case,参数:配置: Single; 方向类型: Bi-Directional; 峰值脉冲功率耗散: 90000 W; 最大峰值脉冲电流: 270 A; 最大反向漏电流:...
P6KE130CA-E3, 瞬态电压抑制器, TVS二极管, 参数: Single Bi-Dir 111V 600W,品牌:Vishay,封装:DO-15,参数:配置: Single; 方向类型: Bi-Directional; 峰值脉冲功率耗散: 600 W; 最大峰值脉冲电流: 3.4 A; 最大反向漏电流: 1 ...
SMBJ8.5CE3, 瞬态电压抑制器, TVS二极管, 参数: Single Bi-Dir 8.5V 600W,品牌:Microsemi,封装:DO-214AA,参数:配置: Single; 方向类型: Bi-Directional; 峰值脉冲功率耗散: 600 W; 最大峰值脉冲电流: 37.7 A; 最大反向漏电...
SMBJ18CE3, 瞬态电压抑制器, TVS二极管, 参数: Single Bi-Dir 18V 600W,品牌:Microsemi,封装:DO-214AA,参数:配置: Single; 方向类型: Bi-Directional; 峰值脉冲功率耗散: 600 W; 最大峰值脉冲电流: 18.6 A; 最大反向漏电流:...
SMCJ6038AE3, 瞬态电压抑制器, TVS二极管, 参数: Single Bi-Dir 7.5V 1.5KW,品牌:Microsemi,封装:DO-214AB,参数:配置: Single; 方向类型: Bi-Directional; 峰值脉冲功率耗散: 1500 W; 最大峰值脉冲电流: 112 A; 最大反向...
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