TPSMB7.5AHE3T, 瞬态电压抑制器, TVS二极管, 参数: Single Uni-Dir 6.4V 600W,品牌:Vishay,封装:SMB,参数:配置: Single; 方向类型: Uni-Directional; 峰值脉冲功率耗散: 600 W; 最大峰值脉冲电流: 53.1 A; 最大反向漏电流: ...
SMCJ36CA-E3, 瞬态电压抑制器, TVS二极管, 参数: Single Bi-Dir 36V 1.5KW,品牌:Vishay,封装:SMC,参数:配置: Single; 方向类型: Bi-Directional; 峰值脉冲功率耗散: 1500 W; 最大峰值脉冲电流: 25.8 A; 最大反向漏电流: 1 u...
B72500D 50H160,ESD静电抑制器,品牌:EPCOS(TDK),封装:SOD-523-2,参数:类型:CeraDiode; 引脚数量:2; 方向类型:Bi-Directional; 每芯片单元数目:1; ESD保护电压:15@Air Gap/8@Contact Disc kV; 最大工作电压:5.6 V; ...
TPSMB27AHE3T, 瞬态电压抑制器, TVS二极管, 参数: Single Uni-Dir 23.1V 600W,品牌:Vishay,封装:SMB,参数:配置: Single; 方向类型: Uni-Directional; 峰值脉冲功率耗散: 600 W; 最大峰值脉冲电流: 16 A; 最大反向漏电流: 1 ...
SMBG120AHE3, 瞬态电压抑制器, TVS二极管, 参数: Single Uni-Dir 120V 600W,品牌:Vishay,封装:SMBG,参数:配置: Single; 方向类型: Uni-Directional; 峰值脉冲功率耗散: 600 W; 最大峰值脉冲电流: 3.1 A; 最大反向漏电流: 1 ...
15KP28A/TR8, 瞬态电压抑制器, TVS二极管, 参数: Single Uni-Dir 28V 15KW,品牌:Microsemi,封装:2Case 5A,参数:配置: Single; 方向类型: Uni-Directional; 峰值脉冲功率耗散: 15000 W; 最大峰值脉冲电流: 316 A; 最大反...
1N6156A, 瞬态电压抑制器, TVS二极管, 参数: Single Bi-Dir 29.7V 1.5KW,品牌:Microsemi,封装:2Case G,参数:配置: Single; 方向类型: Bi-Directional; 峰值脉冲功率耗散: 1500 W; 最大峰值脉冲电流: 28 A; 最大反向漏电流: ...
SMAJ110CAHE3, 瞬态电压抑制器, TVS二极管, 参数: Single Bi-Dir 110V 400W,品牌:Vishay,封装:SMA,参数:配置: Single; 方向类型: Bi-Directional; 峰值脉冲功率耗散: 400 W; 最大峰值脉冲电流: 1.7 A; 最大反向漏电流: 1 uA...
TA6F10AHM3, 瞬态电压抑制器, TVS二极管, 参数: Single Uni-Directional 8.55V 600W,品牌:Vishay,封装:DO-221AC,参数:配置: Single; 方向类型: Uni-Directional; 峰值脉冲功率耗散: 600 W; 最大峰值脉冲电流: 41.4 A...
SMCJ6.0AE3, 瞬态电压抑制器, TVS二极管, 参数: Single Uni-Dir 6V 1.5KW,品牌:Microsemi,封装:DO-214AB,参数:配置: Single; 方向类型: Uni-Directional; 峰值脉冲功率耗散: 1500 W; 最大峰值脉冲电流: 145.6 A; 最大反...
PTVS40VS1UR,115, 瞬态电压抑制器, TVS二极管, 参数: Single Uni-Dir 40V 400W,品牌:NXP,封装:SOD-123W,参数:配置: Single; 方向类型: Uni-Directional; 峰值脉冲功率耗散: 400 W; 最大峰值脉冲电流: 6.2 A; 最大反向漏电流...
1SMB28AT3G, 瞬态电压抑制器, TVS二极管, 参数: Single Uni-Dir 28V 600W,品牌:ON,封装:SMB,参数:配置: Single; 方向类型: Uni-Directional; 峰值脉冲功率耗散: 600 W; 最大峰值脉冲电流: 13.2 A; 最大反向漏电流: 5 uA; 最大...
1.5SMC27CAHE3, 瞬态电压抑制器, TVS二极管, 参数: Single Bi-Dir 23.1V 1.5KW,品牌:Vishay,封装:SMC,参数:配置: Single; 方向类型: Bi-Directional; 峰值脉冲功率耗散: 1500 W; 最大峰值脉冲电流: 40 A; 最大反向漏电流: 1...
SMBJ15AE3, 瞬态电压抑制器, TVS二极管, 参数: Single Uni-Dir 15V 600W,品牌:Microsemi,封装:DO-214AA,参数:配置: Single; 方向类型: Uni-Directional; 峰值脉冲功率耗散: 600 W; 最大峰值脉冲电流: 24 A; 最大反向漏电流:...
P6SMB68CAT3G, 瞬态电压抑制器, TVS二极管, 参数: Single Bi-Dir 58.1V 600W,品牌:ON,封装:SMB,参数:配置: Single; 方向类型: Bi-Directional; 峰值脉冲功率耗散: 600 W; 最大峰值脉冲电流: 6.5 A; 最大反向漏电流: 5 uA; 最...
15KPA75AE3, 瞬态电压抑制器, TVS二极管, 参数: Single Uni-Directional 33V 15000W,品牌:Microsemi,封装:2P600,参数:配置: Single; 方向类型: Uni-Directional; 峰值脉冲功率耗散: 15000 W; 最大峰值脉冲电流: 276....
P6SMB250AHE3_A/I, 瞬态电压抑制器, TVS二极管, 参数: Single Uni-Directional 214V 600W,品牌:Vishay,封装:DO-214AA,参数:配置: Single; 方向类型: Uni-Directional; 峰值脉冲功率耗散: 600 W; 最大峰值脉冲电流: 1...
1.5KE110CA-T, 瞬态电压抑制器, TVS二极管, 参数: Single Bi-Dir 94V 1.5KW,品牌:Diodes,封装:DO-201,参数:配置: Single; 方向类型: Bi-Directional; 峰值脉冲功率耗散: 1500 W; 最大峰值脉冲电流: 9.9 A; 最大反向漏电流: ...
SMBJ30E3, 瞬态电压抑制器, TVS二极管, 参数: Single Uni-Dir 30V 600W,品牌:Microsemi,封装:DO-214AA,参数:配置: Single; 方向类型: Uni-Directional; 峰值脉冲功率耗散: 600 W; 最大峰值脉冲电流: 11.2 A; 最大反向漏电流...
SMBJ7.5AE3, 瞬态电压抑制器, TVS二极管, 参数: Single Uni-Dir 7.5V 600W,品牌:Microsemi,封装:DO-214AA,参数:配置: Single; 方向类型: Uni-Directional; 峰值脉冲功率耗散: 600 W; 最大峰值脉冲电流: 46.5 A; 最大反向...
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