P6SMB62AHE3
P6SMB62AHE3, 瞬态电压抑制器, TVS二极管, 参数: Single Uni-Dir 53V 600W,品牌:Vishay,封装:SMB,参数:配置: Single; 方向类型: Uni-Directional; 峰值脉冲功率耗散: 600 W; 最大峰值脉冲电流: 7.1 A; 最大反向漏电流: 1 uA...
SM16LC08CE3
SM16LC08CE3, 瞬态电压抑制器, TVS二极管, 参数: Single Bi-Dir 8V 300W,品牌:Microsemi,封装:SOIC-16,参数:配置: Single; 方向类型: Bi-Directional; 峰值脉冲功率耗散: 300 W; 最大反向漏电流: 1 uA; 最大钳位电压: 16....
TPSMP24AHM3
TPSMP24AHM3, 瞬态电压抑制器, TVS二极管, 参数: Single Uni-Dir 20.5V 400W,品牌:Vishay,封装:DO-220AA,参数:配置: Single; 方向类型: Uni-Directional; 峰值脉冲功率耗散: 400 W; 最大峰值脉冲电流: 12 A; 最大反向漏电流...
P6SMB39AT3G
P6SMB39AT3G, 瞬态电压抑制器, TVS二极管, 参数: Single Uni-Dir 33.3V 600W,品牌:ON,封装:SMB,参数:配置: Single; 方向类型: Uni-Directional; 峰值脉冲功率耗散: 600 W; 最大峰值脉冲电流: 11.2 A; 最大反向漏电流: 5 uA;...
TPD3E001DRSR
TPD3E001DRSR,ESD静电抑制器,二极管阵列,品牌:TI,封装:WSON-6 EP,参数:类型:Diode Arrays; 引脚数量:6; 方向类型:Uni-Directional; 最大钳位电压:105.5 V; 每芯片单元数目:3; ESD保护电压:±15@Air Gap/±8@Contact Disc/...
SMBG15CA-E3
SMBG15CA-E3, 瞬态电压抑制器, TVS二极管, 参数: Single Bi-Dir 15V 600W,品牌:Vishay,封装:SMBG,参数:配置: Single; 方向类型: Bi-Directional; 峰值脉冲功率耗散: 600 W; 最大峰值脉冲电流: 24.6 A; 最大反向漏电流: 1 uA...
SMAJ43CE3
SMAJ43CE3, 瞬态电压抑制器, TVS二极管, 参数: Single Bi-Dir 43V 500W,品牌:Microsemi,封装:DO-214AC,参数:配置: Single; 方向类型: Bi-Directional; 峰值脉冲功率耗散: 500 W; 最大峰值脉冲电流: 6.5 A; 最大反向漏电流: ...
ICTE12CHE3
ICTE12CHE3, 瞬态电压抑制器, TVS二极管, 参数: Single Bi-Dir 12V 1.5KW,品牌:Vishay,封装:2Case,参数:配置: Single; 方向类型: Bi-Directional; 峰值脉冲功率耗散: 1500 W; 最大峰值脉冲电流: 70 A; 最大反向漏电流: 2 uA...
SMBJ100A-13
SMBJ100A-13, 瞬态电压抑制器, TVS二极管, 参数: Single Uni-Dir 100V 600W,品牌:Diodes,封装:SMB,参数:配置: Single; 方向类型: Uni-Directional; 峰值脉冲功率耗散: 600 W; 最大峰值脉冲电流: 3.7 A; 最大反向漏电流: 5 u...
SMA6F18A-M3
SMA6F18A-M3, 瞬态电压抑制器, TVS二极管, 参数: Single Uni-Dir 18V 4KW,品牌:Vishay,封装:2SlimSMA,参数:配置: Single; 方向类型: Uni-Directional; 峰值脉冲功率耗散: 4000 W; 最大峰值脉冲电流: 102 A; 最大反向漏电流:...
MPT-15C
MPT-15C, 瞬态电压抑制器, TVS二极管, 参数: Single Bi-Dir 15V 1.5KW,品牌:Microsemi,封装:DO-13,参数:配置: Single; 方向类型: Bi-Directional; 峰值脉冲功率耗散: 1500 W; 最大峰值脉冲电流: 60 A; 最大反向漏电流: 2 uA...
CD214B-T51ALF
CD214B-T51ALF, 瞬态电压抑制器, TVS二极管, 参数: Single Uni-Dir 51V 600W,品牌:Bourns,封装:SMB,参数:配置: Single; 方向类型: Uni-Directional; 峰值脉冲功率耗散: 600 W; 最大峰值脉冲电流: 7.3 A; 最大反向漏电流: 5 ...
SMCJ85AE3
SMCJ85AE3, 瞬态电压抑制器, TVS二极管, 参数: Single Uni-Dir 85V 1.5KW,品牌:Microsemi,封装:DO-214AB,参数:配置: Single; 方向类型: Uni-Directional; 峰值脉冲功率耗散: 1500 W; 最大峰值脉冲电流: 10.4 A; 最大反向...
SMBJ7.5CE3
SMBJ7.5CE3, 瞬态电压抑制器, TVS二极管, 参数: Single Bi-Dir 7.5V 600W,品牌:Microsemi,封装:DO-214AA,参数:配置: Single; 方向类型: Bi-Directional; 峰值脉冲功率耗散: 600 W; 最大峰值脉冲电流: 42 A; 最大反向漏电流:...
P6KE47CA-E3
P6KE47CA-E3, 瞬态电压抑制器, TVS二极管, 参数: Single Bi-Dir 40.2V 600W,品牌:Vishay,封装:DO-15,参数:配置: Single; 方向类型: Bi-Directional; 峰值脉冲功率耗散: 600 W; 最大峰值脉冲电流: 9.3 A; 最大反向漏电流: 1 ...
SMBG7.5A-E3
SMBG7.5A-E3, 瞬态电压抑制器, TVS二极管, 参数: Single Uni-Dir 7.5V 600W,品牌:Vishay,封装:SMBG,参数:配置: Single; 方向类型: Uni-Directional; 峰值脉冲功率耗散: 600 W; 最大峰值脉冲电流: 46.5 A; 最大反向漏电流: 1...
IP4283CZ10-TBR,115
IP4283CZ10-TBR,115,ESD静电抑制器,二极管阵列,品牌:NXP,封装:XSON-10,参数:类型:Diode Arrays; 引脚数量:10; 方向类型:Uni-Directional; 最大钳位电压:8(Typ) V; 每芯片单元数目:4; ESD保护电压:±15@Air Gap/±8@Contac...
UCLAMP3311Z.TNT
UCLAMP3311Z.TNT, 瞬态电压抑制器, TVS二极管, 参数: Single Bi-Dir 3.3V 30W,品牌:Semtech,封装:2SLP,参数:配置: Single; 方向类型: Bi-Directional; 峰值脉冲功率耗散: 30 W; 最大峰值脉冲电流: 4 A; 最大反向漏电流: 0.0...
1.5KE75ARL4G
1.5KE75ARL4G, 瞬态电压抑制器, TVS二极管, 参数: Single Uni-Dir 64.1V 1.5KW,品牌:ON,封装:2Case 41A-04,参数:配置: Single; 方向类型: Uni-Directional; 峰值脉冲功率耗散: 1500 W; 最大峰值脉冲电流: 14.6 A; 最大...
SMCJ6045
SMCJ6045, 瞬态电压抑制器, TVS二极管, 参数: Single Bi-Dir 14V 1.5KW,品牌:Microsemi,封装:DO-214AB,参数:配置: Single; 方向类型: Bi-Directional; 峰值脉冲功率耗散: 1500 W; 最大峰值脉冲电流: 56.5 A; 最大反向漏电流...