SMCJ170CE3, 瞬态电压抑制器, TVS二极管, 参数: Single Bi-Dir 170V 1.5KW,品牌:Microsemi,封装:DO-214AB,参数:配置: Single; 方向类型: Bi-Directional; 峰值脉冲功率耗散: 1500 W; 最大峰值脉冲电流: 4.9 A; 最大反向漏...
SMCG7.0CA-E3, 瞬态电压抑制器, TVS二极管, 参数: Single Bi-Dir 7V 1.5KW,品牌:Vishay,封装:SMCG,参数:配置: Single; 方向类型: Bi-Directional; 峰值脉冲功率耗散: 1500 W; 最大峰值脉冲电流: 125 A; 最大反向漏电流: 400...
P6KE13ARLG, 瞬态电压抑制器, TVS二极管, 参数: Single Uni-Dir 11.1V 600W,品牌:ON,封装:2Case,参数:配置: Single; 方向类型: Uni-Directional; 峰值脉冲功率耗散: 600 W; 最大峰值脉冲电流: 33 A; 最大反向漏电流: 5 uA; ...
5KP170AHE3, 瞬态电压抑制器, TVS二极管, 参数: Single Uni-Dir 170V 5KW,品牌:Vishay,封装:2Case P600,参数:配置: Single; 方向类型: Uni-Directional; 峰值脉冲功率耗散: 5000 W; 最大峰值脉冲电流: 18.2 A; 最大反向漏...
1N6169A, 瞬态电压抑制器, TVS二极管, 参数: Single Bi-Dir 98.8V 1.5KW,品牌:Microsemi,封装:2Case G,参数:配置: Single; 方向类型: Bi-Directional; 峰值脉冲功率耗散: 1500 W; 最大峰值脉冲电流: 8.4 A; 最大反向漏电流:...
SMBJ28A-TR, 瞬态电压抑制器, TVS二极管, 参数: Single Uni-Dir 28V 600W,品牌:ST,封装:SMB,参数:配置: Single; 方向类型: Uni-Directional; 峰值脉冲功率耗散: 600 W; 最大峰值脉冲电流: 68 A; 最大反向漏电流: 0.2 uA; 最大...
SMBJ9.0E3, 瞬态电压抑制器, TVS二极管, 参数: Single Uni-Dir 9V 600W,品牌:Microsemi,封装:DO-214AA,参数:配置: Single; 方向类型: Uni-Directional; 峰值脉冲功率耗散: 600 W; 最大峰值脉冲电流: 35.5 A; 最大反向漏电流...
VPORT0603220MV05,多层压敏电阻ESD抑制器,品牌:INPAQ,封装:0603,参数:类型:Multilayer Varistor; 配置:Single; 引脚数量:2; 方向类型:Bi-Directional; 最大钳位电压:30 V; 每芯片单元数目:1; 最大工作电压:5 V; 最大漏电流:15 u...
P6KE51ARLG, 瞬态电压抑制器, TVS二极管, 参数: Single Uni-Dir 43.6V 600W,品牌:ON,封装:2Case,参数:配置: Single; 方向类型: Uni-Directional; 峰值脉冲功率耗散: 600 W; 最大峰值脉冲电流: 8.6 A; 最大反向漏电流: 5 uA;...
SMB10J17AHE3, 瞬态电压抑制器, TVS二极管, 参数: Single Uni-Dir 17V 1KW,品牌:Vishay,封装:SMB,参数:配置: Single; 方向类型: Uni-Directional; 峰值脉冲功率耗散: 1000 W; 最大峰值脉冲电流: 36.2 A; 最大反向漏电流: 1 ...
5KASMC18AHM3, 瞬态电压抑制器, TVS二极管, 参数: Single Uni-Directional 18V 5KW,品牌:Vishay,封装:DO-214AB,参数:配置: Single; 方向类型: Uni-Directional; 峰值脉冲功率耗散: 5000 W; 最大峰值脉冲电流: 171.2 ...
P6KE180CA-T, 瞬态电压抑制器, TVS二极管, 参数: Single Bi-Dir 154V 600W,品牌:Diodes,封装:DO-15,参数:配置: Single; 方向类型: Bi-Directional; 峰值脉冲功率耗散: 600 W; 最大峰值脉冲电流: 2.4 A; 最大反向漏电流: 5 u...
SMCJ90CA-13-F, 瞬态电压抑制器, TVS二极管, 参数: Single Bi-Dir 90V 1.5KW,品牌:Diodes,封装:SMC,参数:配置: Single; 方向类型: Bi-Directional; 峰值脉冲功率耗散: 1500 W; 最大峰值脉冲电流: 10.3 A; 最大反向漏电流: 5...
PJQA6V8-R1-00001,ESD静电抑制器,二极管阵列,品牌:Panjit,封装:SOT-23-6,参数:类型:Diode Arrays; 配置:Array 5; 引脚数量:6; 方向类型:Bi-Directional; 每芯片单元数目:5; 最大工作电压:5 V; 最大漏电流:1 uA; 电容值:240 pF...
SZ1SMB16AT3G, 瞬态电压抑制器, TVS二极管, 参数: Single Uni-Dir 16V 600W,品牌:ON,封装:SMB,参数:配置: Single; 方向类型: Uni-Directional; 峰值脉冲功率耗散: 600 W; 最大峰值脉冲电流: 23.1 A; 最大反向漏电流: 5 uA; ...
1.5KE68A-E3, 瞬态电压抑制器, TVS二极管, 参数: Single Uni-Dir 58.1V 1.5KW,品牌:Vishay,封装:2Case,参数:配置: Single; 方向类型: Uni-Directional; 峰值脉冲功率耗散: 1500 W; 最大峰值脉冲电流: 16.3 A; 最大反向漏电...
CD214C-T120ALF, 瞬态电压抑制器, TVS二极管, 参数: Single Uni-Dir 120V 1.5KW,品牌:Bourns,封装:DO-214AB,参数:配置: Single; 方向类型: Uni-Directional; 峰值脉冲功率耗散: 1500(Min) W; 最大峰值脉冲电流: 7.9 ...
D24V0L1B2LPSQ-7B, 瞬态电压抑制器, TVS二极管, 参数: Single Bi-Directional 24V 90W,品牌:Diodes,封装:DFN-2,参数:配置: Single; 方向类型: Bi-Directional; 峰值脉冲功率耗散: 90 W; 最大峰值脉冲电流: 2 A; 最大反向...
5KP110CE3, 瞬态电压抑制器, TVS二极管, 参数: Single Bi-Dir 110V 5KW,品牌:Microsemi,封装:2Case 5A,参数:配置: Single; 方向类型: Bi-Directional; 峰值脉冲功率耗散: 5000 W; 最大峰值脉冲电流: 26 A; 最大反向漏电流: ...
SMCJ6044E3, 瞬态电压抑制器, TVS二极管, 参数: Single Bi-Dir 12V 1.5KW,品牌:Microsemi,封装:DO-214AB,参数:配置: Single; 方向类型: Bi-Directional; 峰值脉冲功率耗散: 1500 W; 最大峰值脉冲电流: 64 A; 最大反向漏电流...
产品展示
Product show