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SMBJ6.5CE3

SMBJ6.5CE3, 瞬态电压抑制器, TVS二极管, 参数: Single Bi-Dir 6.5V 600W,品牌:Microsemi,封装:DO-214AA,参数:配置: Single; 方向类型: Bi-Directional; 峰值脉冲功率耗散: 600 W; 最大峰值脉冲电流: 48.7 A; 最大反向漏电流: 500 uA; 最大钳位电压: 12.3 V; 最大反向关态电压: 6.5 V; 最小击穿电压: 7.22 V; 测试电流: 10 mA; 工作温度: -65 to 150 ℃; 安装方式: Surface Mount; 咨询购买请致电:0755-83897562

  • Description:Diode TVS Single Bi-Dir 6.5V 600W 2-Pin DO-214AA T/R
  • 品牌:Microsemi
  • 封装:DO-214AA
  • 描述:瞬态电压抑制器, TVS二极管, 参数: Single Bi-Dir 6.5V 600W
  • DataSheet:数据手册 pdf

电气特性 Features

  • 配置: Single
  • 方向类型: Bi-Directional
  • 峰值脉冲功率耗散: 600 W
  • 最大峰值脉冲电流: 48.7 A
  • 最大反向漏电流: 500 uA
  • 最大钳位电压: 12.3 V
  • 最大反向关态电压: 6.5 V
  • 最小击穿电压: 7.22 V
  • 测试电流: 10 mA
  • 工作温度: -65 to 150 ℃
  • 安装方式: Surface Mount
  • Description:Diode TVS Single Bi-Dir 6.5V 600W 2-Pin DO-214AA T/R
  • 品牌:Microsemi
  • 封装:DO-214AA
  • 描述:瞬态电压抑制器, TVS二极管, 参数: Single Bi-Dir 6.5V 600W
  • DataSheet:数据手册 pdf

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