SMCJ24AE3, 瞬态电压抑制器, TVS二极管, 参数: Single Uni-Dir 24V 1.5KW,品牌:Microsemi,封装:DO-214AB,参数:配置: Single; 方向类型: Uni-Directional; 峰值脉冲功率耗散: 1500 W; 最大峰值脉冲电流: 38.6 A; 最大反向...
SMCJ24CA-TR, 瞬态电压抑制器, TVS二极管, 参数: Single Bi-Dir 24V 1.5KW,品牌:ST,封装:DO-214AB,参数:配置: Single; 方向类型: Bi-Directional; 峰值脉冲功率耗散: 1500 W; 最大峰值脉冲电流: 200 A; 最大反向漏电流: 0.2...
SMCJ28CA-M3, 瞬态电压抑制器, TVS二极管, 参数: Single Bi-Dir 28V 1.5KW,品牌:Vishay,封装:SMC,参数:配置: Single; 方向类型: Bi-Directional; 峰值脉冲功率耗散: 1500 W; 最大峰值脉冲电流: 33 A; 最大反向漏电流: 1 uA;...
1.5KE22A, 瞬态电压抑制器, TVS二极管, 参数: Single Uni-Dir 18.8V 1.5KW,品牌:ST,封装:DO-201,参数:配置: Single; 方向类型: Uni-Directional; 峰值脉冲功率耗散: 1500 W; 最大峰值脉冲电流: 254 A; 最大反向漏电流: 1 uA...
TMPG06-10AHE3, 瞬态电压抑制器, TVS二极管, 参数: Single Uni-Dir 8.55V 400W,品牌:Vishay,封装:2Case MPG06,参数:配置: Single; 方向类型: Uni-Directional; 峰值脉冲功率耗散: 400 W; 最大峰值脉冲电流: 27.6 A; ...
SMLJ33AE3, 瞬态电压抑制器, TVS二极管, 参数: Single Uni-Dir 33V 3KW,品牌:Microsemi,封装:DO-214AB,参数:配置: Single; 方向类型: Uni-Directional; 峰值脉冲功率耗散: 3000 W; 最大峰值脉冲电流: 56.2 A; 最大反向漏电...
1.5KE10AHE3, 瞬态电压抑制器, TVS二极管, 参数: Single Uni-Dir 8.55V 1.5KW,品牌:Vishay,封装:2Case,参数:配置: Single; 方向类型: Uni-Directional; 峰值脉冲功率耗散: 1500 W; 最大峰值脉冲电流: 103 A; 最大反向漏电流...
1N6370, 瞬态电压抑制器, TVS二极管, 参数: Single Bi-Dir 22V 1.5KW,品牌:Microsemi,封装:DO-13,参数:配置: Single; 方向类型: Bi-Directional; 峰值脉冲功率耗散: 1500 W; 最大峰值脉冲电流: 40 A; 最大反向漏电流: 2 uA;...
5KP100A-E3, 瞬态电压抑制器, TVS二极管, 参数: Single Uni-Dir 100V 5KW,品牌:Vishay,封装:2Case P600,参数:配置: Single; 方向类型: Uni-Directional; 峰值脉冲功率耗散: 5000 W; 最大峰值脉冲电流: 30.9 A; 最大反向漏...
SMDA15C-7E3, 瞬态电压抑制器, TVS二极管, 参数: Array 7 Bi-Dir 15V 300W,品牌:Microsemi,封装:SOIC-8,参数:配置: Array 7; 方向类型: Bi-Directional; 峰值脉冲功率耗散: 300 W; 最大峰值脉冲电流: 5 A; 最大反向漏电流: ...
SMCJ150A, 瞬态电压抑制器, TVS二极管, 参数: Single Uni-Dir 150V 1.5KW,品牌:Bourns,封装:DO-214AB,参数:配置: Single; 方向类型: Uni-Directional; 峰值脉冲功率耗散: 1500(Min) W; 最大峰值脉冲电流: 6.2 A; 最大反...
RCLAMP0522P.TCT,ESD静电抑制器,二极管阵列,品牌:Semtech,封装:SLP-6 EP,参数:类型:Diode Arrays; 引脚数量:6; 方向类型:Uni-Directional; 最大钳位电压:15 V; 每芯片单元数目:2; ESD保护电压:±17@Air Gap/±12@Contact ...
TPD4S014DSQR,ESD静电抑制器,二极管阵列,品牌:TI,封装:WSON-10,参数:类型:Diode Arrays; 引脚数量:10; 方向类型:Uni-Directional; 每芯片单元数目:3; ESD保护电压:±15@Air Gap/±15@Contact Disc/±2@HBM kV; 最大工作电...
SMAJ9.0CE3, 瞬态电压抑制器, TVS二极管, 参数: Single Bi-Dir 9V 500W,品牌:Microsemi,封装:DO-214AC,参数:配置: Single; 方向类型: Bi-Directional; 峰值脉冲功率耗散: 500 W; 最大峰值脉冲电流: 29.5 A; 最大反向漏电流:...
SMBJ160CA, 瞬态电压抑制器, TVS二极管, 参数: Single Bi-Dir 160V 600W,品牌:Fairchild,封装:DO-214AA,参数:配置: Single; 方向类型: Bi-Directional; 峰值脉冲功率耗散: 600 W; 最大峰值脉冲电流: 2.3 A; 最大反向漏电流:...
SA70A-E3, 瞬态电压抑制器, TVS二极管, 参数: Single Uni-Dir 70V 500W,品牌:Vishay,封装:DO-15,参数:配置: Single; 方向类型: Uni-Directional; 峰值脉冲功率耗散: 500 W; 最大峰值脉冲电流: 4.4 A; 最大反向漏电流: 1 uA;...
SMCJ5647A, 瞬态电压抑制器, TVS二极管, 参数: Single Uni-Dir 33.3V 1.5KW,品牌:Microsemi,封装:DO-214AB,参数:配置: Single; 方向类型: Uni-Directional; 峰值脉冲功率耗散: 1500 W; 最大峰值脉冲电流: 28 A; 最大反向...
P6KA6.8AHE3, 瞬态电压抑制器, TVS二极管, 参数: Single Uni-Dir 5.8V 600W,品牌:Vishay,封装:DO-15,参数:配置: Single; 方向类型: Uni-Directional; 峰值脉冲功率耗散: 600 W; 最大峰值脉冲电流: 57.1 A; 最大反向漏电流: ...
1V5KE91CA, 瞬态电压抑制器, TVS二极管, 参数: Single Bi-Dir 77.8V 1.5KW,品牌:Fairchild,封装:DO-201AE,参数:配置: Single; 方向类型: Bi-Directional; 峰值脉冲功率耗散: 1500 W; 最大峰值脉冲电流: 12 A; 最大反向漏电...
SMAJ20CE3, 瞬态电压抑制器, TVS二极管, 参数: Single Bi-Dir 20V 500W,品牌:Microsemi,封装:DO-214AC,参数:配置: Single; 方向类型: Bi-Directional; 峰值脉冲功率耗散: 500 W; 最大峰值脉冲电流: 13.9 A; 最大反向漏电流:...
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