SMCJ6044E3, 瞬态电压抑制器, TVS二极管, 参数: Single Bi-Dir 12V 1.5KW,品牌:Microsemi,封装:DO-214AB,参数:配置: Single; 方向类型: Bi-Directional; 峰值脉冲功率耗散: 1500 W; 最大峰值脉冲电流: 64 A; 最大反向漏电流...
SMBG13AHE3, 瞬态电压抑制器, TVS二极管, 参数: Single Uni-Dir 13V 600W,品牌:Vishay,封装:SMBG,参数:配置: Single; 方向类型: Uni-Directional; 峰值脉冲功率耗散: 600 W; 最大峰值脉冲电流: 27.9 A; 最大反向漏电流: 1 u...
1.5KE68A-HE3, 瞬态电压抑制器, TVS二极管, 参数: Single Uni-Dir 58.1V 1.5KW,品牌:Vishay,封装:2Case,参数:配置: Single; 方向类型: Uni-Directional; 峰值脉冲功率耗散: 1500 W; 最大峰值脉冲电流: 16.3 A; 最大反向漏...
TPSMP30HM3, 瞬态电压抑制器, TVS二极管, 参数: Single Uni-Dir 24.3V 400W,品牌:Vishay,封装:DO-220AA,参数:配置: Single; 方向类型: Uni-Directional; 峰值脉冲功率耗散: 400 W; 最大峰值脉冲电流: 9.2 A; 最大反向漏电流...
SRDA05-6.TBT,ESD静电抑制器,二极管阵列,品牌:Semtech,封装:SOIC-8,参数:类型:Diode Arrays; 引脚数量:8; 方向类型:Uni-Directional; 最大钳位电压:20 V; 每芯片单元数目:6; ESD保护电压:±15@Air Gap/±8@Contact Disc K...
SMB10J33AHE3, 瞬态电压抑制器, TVS二极管, 参数: Single Uni-Dir 33V 1KW,品牌:Vishay,封装:SMB,参数:配置: Single; 方向类型: Uni-Directional; 峰值脉冲功率耗散: 1000 W; 最大峰值脉冲电流: 18.8 A; 最大反向漏电流: 1 ...
P6SMB160CAHE3, 瞬态电压抑制器, TVS二极管, 参数: Single Bi-Dir 136V 600W,品牌:Vishay,封装:SMB,参数:配置: Single; 方向类型: Bi-Directional; 峰值脉冲功率耗散: 600 W; 最大峰值脉冲电流: 2.7 A; 最大反向漏电流: 1 u...
SMBJ90CAE3, 瞬态电压抑制器, TVS二极管, 参数: Single Bi-Dir 90V 600W,品牌:Microsemi,封装:DO-214AA,参数:配置: Single; 方向类型: Bi-Directional; 峰值脉冲功率耗散: 600 W; 最大峰值脉冲电流: 4.1 A; 最大反向漏电流:...
SMLJ8.0CE3, 瞬态电压抑制器, TVS二极管, 参数: Single Bi-Dir 8V 3KW,品牌:Microsemi,封装:DO-214AB,参数:配置: Single; 方向类型: Bi-Directional; 峰值脉冲功率耗散: 3000 W; 最大峰值脉冲电流: 200 A; 最大反向漏电流: ...
P4SMA440A-E3, 瞬态电压抑制器, TVS二极管, 参数: Single Uni-Dir 376V 400W,品牌:Vishay,封装:SMA,参数:配置: Single; 方向类型: Uni-Directional; 峰值脉冲功率耗散: 400 W; 最大峰值脉冲电流: 0.5 A; 最大反向漏电流: 1 ...
SMBJ60CA-E3, 瞬态电压抑制器, TVS二极管, 参数: Single Bi-Dir 60V 600W,品牌:Vishay,封装:SMB,参数:配置: Single; 方向类型: Bi-Directional; 峰值脉冲功率耗散: 600 W; 最大峰值脉冲电流: 6.2 A; 最大反向漏电流: 1 uA; ...
SMA5J12CAHE3, 瞬态电压抑制器, TVS二极管, 参数: Single Bi-Dir 12V 500W,品牌:Vishay,封装:SMA,参数:配置: Single; 方向类型: Bi-Directional; 峰值脉冲功率耗散: 500 W; 最大峰值脉冲电流: 25.1 A; 最大反向漏电流: 1 uA...
SMB8J24CA-E3, 瞬态电压抑制器, TVS二极管, 参数: Single Bi-Dir 24V 800W,品牌:Vishay,封装:SMB,参数:配置: Single; 方向类型: Bi-Directional; 峰值脉冲功率耗散: 800 W; 最大峰值脉冲电流: 20.6 A; 最大反向漏电流: 1 uA...
1.5KE300ARL, 瞬态电压抑制器, TVS二极管, 参数: Single Uni-Dir 256V 1.5KW,品牌:ST,封装:DO-201,参数:配置: Single; 方向类型: Uni-Directional; 峰值脉冲功率耗散: 1500 W; 最大峰值脉冲电流: 19 A; 最大反向漏电流: 1 u...
ICT-10, 瞬态电压抑制器, TVS二极管, 参数: Single Uni-Dir 10V 1.5KW,品牌:Microsemi,封装:DO-13,参数:配置: Single; 方向类型: Uni-Directional; 峰值脉冲功率耗散: 1500 W; 最大峰值脉冲电流: 90 A; 最大反向漏电流: 2 u...
LC10A, 瞬态电压抑制器, TVS二极管, 参数: Single Uni-Dir 10V 1.5KW,品牌:Microsemi,封装:DO-13,参数:配置: Single; 方向类型: Uni-Directional; 峰值脉冲功率耗散: 1500 W; 最大峰值脉冲电流: 88 A; 最大反向漏电流: 10 u...
5KP9.0E3, 瞬态电压抑制器, TVS二极管, 参数: Single Uni-Dir 9V 5KW,品牌:Microsemi,封装:2Case 5A,参数:配置: Single; 方向类型: Uni-Directional; 峰值脉冲功率耗散: 5000 W; 最大峰值脉冲电流: 295 A; 最大反向漏电流: ...
CDNBS16-T03, 瞬态电压抑制器, TVS二极管, 参数: Octal Uni-Dir 3V 500W,品牌:Bourns,封装:SOIC-16 N,参数:配置: Octal; 方向类型: Uni-Directional; 峰值脉冲功率耗散: 500 W; 最大峰值脉冲电流: 43 A; 最大反向漏电流: 12...
TPD2E001DRSR,ESD静电抑制器,二极管阵列,品牌:TI,封装:WSON-6 EP,参数:类型:Diode Arrays; 引脚数量:6; 方向类型:Uni-Directional; 最大钳位电压:105.5 V; 每芯片单元数目:2; ESD保护电压:±15@Air Gap/±8@Contact Disc/...
1.5KE20CA-T, 瞬态电压抑制器, TVS二极管, 参数: Single Bi-Dir 17.1V 1.5KW,品牌:Diodes,封装:DO-201,参数:配置: Single; 方向类型: Bi-Directional; 峰值脉冲功率耗散: 1500 W; 最大峰值脉冲电流: 54 A; 最大反向漏电流: ...
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