CM1213A-01SO,ESD静电抑制器,二极管阵列,品牌:ON,封装:SOT-23-3,参数:类型:Diode Arrays; 引脚数量:3; 方向类型:Uni-Directional; 最大钳位电压:10 V; 每芯片单元数目:1; ESD保护电压:8@Contact Disc kV; 最大工作电压:5.5 V;...
1N6173A, 瞬态电压抑制器, TVS二极管, 参数: Single Bi-Dir 152V 1.5KW,品牌:Microsemi,封装:2Case G,参数:配置: Single; 方向类型: Bi-Directional; 峰值脉冲功率耗散: 1500 W; 最大峰值脉冲电流: 5.5 A; 最大反向漏电流: ...
SM15T68CAHE3, 瞬态电压抑制器, TVS二极管, 参数: Single Bi-Dir 58.1V 1.5KW,品牌:Vishay,封装:SMC,参数:配置: Single; 方向类型: Bi-Directional; 峰值脉冲功率耗散: 1500 W; 最大峰值脉冲电流: 83 A; 最大反向漏电流: 1 ...
SMCJ188AHE3, 瞬态电压抑制器, TVS二极管, 参数: Single Uni-Dir 188V 1.5KW,品牌:Vishay,封装:SMC,参数:配置: Single; 方向类型: Uni-Directional; 峰值脉冲功率耗散: 1500 W; 最大峰值脉冲电流: 4.6 A; 最大反向漏电流: 1...
SMAJ45CE3, 瞬态电压抑制器, TVS二极管, 参数: Single Bi-Dir 45V 500W,品牌:Microsemi,封装:DO-214AC,参数:配置: Single; 方向类型: Bi-Directional; 峰值脉冲功率耗散: 500 W; 最大峰值脉冲电流: 6.2 A; 最大反向漏电流: ...
P6SMB36AT3G, 瞬态电压抑制器, TVS二极管, 参数: Single Uni-Dir 30.8V 600W,品牌:ON,封装:SMB,参数:配置: Single; 方向类型: Uni-Directional; 峰值脉冲功率耗散: 600 W; 最大峰值脉冲电流: 12 A; 最大反向漏电流: 5 uA; 最...
1.5KE180CA-B, 瞬态电压抑制器, TVS二极管, 参数: Single Bi-Dir 154V 1.5KW,品牌:Diodes,封装:DO-201,参数:配置: Single; 方向类型: Bi-Directional; 峰值脉冲功率耗散: 1500 W; 最大峰值脉冲电流: 6.1 A; 最大反向漏电流:...
1N5629A, 瞬态电压抑制器, TVS二极管, 参数: Single Uni-Dir 5.8V 1.5KW,品牌:Microsemi,封装:DO-13,参数:配置: Single; 方向类型: Uni-Directional; 峰值脉冲功率耗散: 1500 W; 最大峰值脉冲电流: 143 A; 最大反向漏电流: ...
SMCJ150CA, 瞬态电压抑制器, TVS二极管, 参数: Single Bi-Dir 150V 1.5KW,品牌:Fairchild,封装:DO-214AB,参数:配置: Single; 方向类型: Bi-Directional; 峰值脉冲功率耗散: 1500 W; 最大峰值脉冲电流: 6.2 A; 最大反向漏电...
5KP10CE3, 瞬态电压抑制器, TVS二极管, 参数: Single Bi-Dir 10V 5KW,品牌:Microsemi,封装:2Case 5A,参数:配置: Single; 方向类型: Bi-Directional; 峰值脉冲功率耗散: 5000 W; 最大峰值脉冲电流: 266 A; 最大反向漏电流: 1...
SMAJ22A, 瞬态电压抑制器, TVS二极管, 参数: Single Uni-Dir 22V 400W,品牌:Bourns,封装:SMA,参数:配置: Single; 方向类型: Uni-Directional; 峰值脉冲功率耗散: 400(Min) W; 最大峰值脉冲电流: 11.2 A; 最大反向漏电流: 5 ...
SA10A-E3, 瞬态电压抑制器, TVS二极管, 参数: Single Uni-Dir 10V 500W,品牌:Vishay,封装:DO-15,参数:配置: Single; 方向类型: Uni-Directional; 峰值脉冲功率耗散: 500 W; 最大峰值脉冲电流: 29.4 A; 最大反向漏电流: 1 uA...
BZW04-154BHE3, 瞬态电压抑制器, TVS二极管, 参数: Single Bi-Dir 154V 400W,品牌:Vishay,封装:DO-204AL,参数:配置: Single; 方向类型: Bi-Directional; 峰值脉冲功率耗散: 400 W; 最大峰值脉冲电流: 1.6 A; 最大反向漏电流...
1.5SMC15CAHE3, 瞬态电压抑制器, TVS二极管, 参数: Single Bi-Dir 12.8V 1.5KW,品牌:Vishay,封装:SMC,参数:配置: Single; 方向类型: Bi-Directional; 峰值脉冲功率耗散: 1500 W; 最大峰值脉冲电流: 70.8 A; 最大反向漏电流:...
SZ1SMA13AT3G, 瞬态电压抑制器, TVS二极管, 参数: Single Uni-Dir 13V 400W,品牌:ON,封装:SMA,参数:配置: Single; 方向类型: Uni-Directional; 峰值脉冲功率耗散: 400 W; 最大峰值脉冲电流: 18.6 A; 最大反向漏电流: 2.5 uA...
5KP130CE3, 瞬态电压抑制器, TVS二极管, 参数: Single Bi-Dir 5KW,品牌:Microsemi,封装:2Case 5A,参数:配置: Single; 方向类型: Bi-Directional; 峰值脉冲功率耗散: 5000 W; 工作温度: -65 to 150 ℃; 安装方式: Thro...
SM16LC12, 瞬态电压抑制器, TVS二极管, 参数: Octal Uni-Dir 12V 500W,品牌:Microsemi,封装:SOIC-16,参数:配置: Octal; 方向类型: Uni-Directional; 峰值脉冲功率耗散: 500 W; 最大峰值脉冲电流: 5 A; 最大反向漏电流: 1 uA...
SA26A-E3, 瞬态电压抑制器, TVS二极管, 参数: Single Uni-Dir 26V 500W,品牌:Vishay,封装:DO-15,参数:配置: Single; 方向类型: Uni-Directional; 峰值脉冲功率耗散: 500 W; 最大峰值脉冲电流: 11.9 A; 最大反向漏电流: 1 uA...
DF2B6.8E,L3F,ESD静电抑制器,二极管阵列,品牌:Toshiba,封装:ESC-2,参数:类型:Diode Arrays; 配置:Single; 引脚数量:2; 方向类型:Bi-Directional; 每芯片单元数目:1; ESD保护电压:±8@Contact Disc kV; 最大工作电压:5 V; 最...
1N6037A, 瞬态电压抑制器, TVS二极管, 参数: Single Bi-Dir 7V 1.5KW,品牌:Microsemi,封装:DO-13,参数:配置: Single; 方向类型: Bi-Directional; 峰值脉冲功率耗散: 1500 W; 最大峰值脉冲电流: 124 A; 最大反向漏电流: 500 ...
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