1N6045
1N6045, 瞬态电压抑制器, TVS二极管, 参数: Single Bi-Dir 14V 1.5KW,品牌:Microsemi,封装:DO-13,参数:配置: Single; 方向类型: Bi-Directional; 峰值脉冲功率耗散: 1500 W; 最大峰值脉冲电流: 56.5 A; 最大反向漏电流: 5 u...
SMAJ70A-TR
SMAJ70A-TR, 瞬态电压抑制器, TVS二极管, 参数: Single Uni-Dir 70V 400W,品牌:ST,封装:SMA,参数:配置: Single; 方向类型: Uni-Directional; 峰值脉冲功率耗散: 400 W; 最大峰值脉冲电流: 16 A; 最大反向漏电流: 0.2 uA; 最大...
SZ1SMA16AT3G
SZ1SMA16AT3G, 瞬态电压抑制器, TVS二极管, 参数: Single Uni-Dir 16V 400W,品牌:ON,封装:SMA,参数:配置: Single; 方向类型: Uni-Directional; 峰值脉冲功率耗散: 400 W; 最大峰值脉冲电流: 15.4 A; 最大反向漏电流: 2.5 uA...
SMCJ20AHE3
SMCJ20AHE3, 瞬态电压抑制器, TVS二极管, 参数: Single Uni-Dir 20V 1.5KW,品牌:Vishay,封装:SMC,参数:配置: Single; 方向类型: Uni-Directional; 峰值脉冲功率耗散: 1500 W; 最大峰值脉冲电流: 46.3 A; 最大反向漏电流: 1 ...
P6KA16HE3
P6KA16HE3, 瞬态电压抑制器, TVS二极管, 参数: Single Uni-Dir 12.9V 600W,品牌:Vishay,封装:DO-15,参数:配置: Single; 方向类型: Uni-Directional; 峰值脉冲功率耗散: 600 W; 最大峰值脉冲电流: 25.5 A; 最大反向漏电流: 1...
SM6S36HE3
SM6S36HE3, 瞬态电压抑制器, TVS二极管, 参数: Single Uni-Dir 36V 4.6KW,品牌:Vishay,封装:DO-218AB,参数:配置: Single; 方向类型: Uni-Directional; 峰值脉冲功率耗散: 4600 W; 最大峰值脉冲电流: 72 A; 最大反向漏电流: ...
SMAJ9.0A-13-F
SMAJ9.0A-13-F, 瞬态电压抑制器, TVS二极管, 参数: Single Uni-Dir 9V 400W,品牌:Diodes,封装:SMA,参数:配置: Single; 方向类型: Uni-Directional; 峰值脉冲功率耗散: 400 W; 最大峰值脉冲电流: 26 A; 最大反向漏电流: 5 uA...
SMCJ6045AE3
SMCJ6045AE3, 瞬态电压抑制器, TVS二极管, 参数: Single Bi-Dir 15V 1.5KW,品牌:Microsemi,封装:DO-214AB,参数:配置: Single; 方向类型: Bi-Directional; 峰值脉冲功率耗散: 1500 W; 最大峰值脉冲电流: 59.5 A; 最大反向...
SMBJ30CAHE3
SMBJ30CAHE3, 瞬态电压抑制器, TVS二极管, 参数: Single Bi-Dir 30V 600W,品牌:Vishay,封装:SMB,参数:配置: Single; 方向类型: Bi-Directional; 峰值脉冲功率耗散: 600 W; 最大峰值脉冲电流: 12.4 A; 最大反向漏电流: 1 uA;...
SZNUP2301MW6T1G
SZNUP2301MW6T1G,ESD静电抑制器,品牌:ON,封装:SC-88-6,参数:引脚数量:6; 每芯片单元数目:2; ESD保护电压:15@Air Gap/8@Contact Disc kV; 最大工作电压:70 V; 最大漏电流:2.5 uA; 电容值:3 pF; 最低工作温度:-55 ℃; 最大工作温度:...
1N6119AUS
1N6119AUS, 瞬态电压抑制器, TVS二极管, 参数: Single Bi-Dir 27.4V 500W,品牌:Microsemi,封装:E-MELF-2,参数:配置: Single; 方向类型: Bi-Directional; 峰值脉冲功率耗散: 500 W; 最大峰值脉冲电流: 10 A; 最大反向漏电流:...
SMAJ28CAE3
SMAJ28CAE3, 瞬态电压抑制器, TVS二极管, 参数: Single Bi-Dir 28V 500W,品牌:Microsemi,封装:DO-214AC,参数:配置: Single; 方向类型: Bi-Directional; 峰值脉冲功率耗散: 500 W; 最大峰值脉冲电流: 11 A; 最大反向漏电流: ...
1N6140A
1N6140A, 瞬态电压抑制器, TVS二极管, 参数: Single Bi-Dir 6.2V 1.5KW,品牌:Microsemi,封装:2Case G,参数:配置: Single; 方向类型: Bi-Directional; 峰值脉冲功率耗散: 1500 W; 最大峰值脉冲电流: 124 A; 最大反向漏电流: ...
5KP85CAE3
5KP85CAE3, 瞬态电压抑制器, TVS二极管, 参数: Single Bi-Dir 85V 5KW,品牌:Microsemi,封装:2Case 5A,参数:配置: Single; 方向类型: Bi-Directional; 峰值脉冲功率耗散: 5000 W; 最大峰值脉冲电流: 36 A; 最大反向漏电流: 1...
MMAD1108
MMAD1108,ESD静电抑制器,二极管阵列,品牌:Microsemi,封装:SOIC-16,参数:类型:Diode Arrays; 引脚数量:16; 方向类型:Uni-Directional; 每芯片单元数目:8; ESD保护电压:15@Air Gap/8@Contact Disc kV; 最大工作电压:75 V;...
SMCJ5637AE3
SMCJ5637AE3, 瞬态电压抑制器, TVS二极管, 参数: Single Uni-Dir 12.8V 1.5KW,品牌:Microsemi,封装:DO-214AB,参数:配置: Single; 方向类型: Uni-Directional; 峰值脉冲功率耗散: 1500 W; 最大峰值脉冲电流: 71 A; 最大...
BZW04-19HE3
BZW04-19HE3, 瞬态电压抑制器, TVS二极管, 参数: Single Uni-Dir 18.8V 400W,品牌:Vishay,封装:DO-204AL,参数:配置: Single; 方向类型: Uni-Directional; 峰值脉冲功率耗散: 400 W; 最大峰值脉冲电流: 13 A; 最大反向漏电流...
SMCJ6045A
SMCJ6045A, 瞬态电压抑制器, TVS二极管, 参数: Single Bi-Dir 15V 1.5KW,品牌:Microsemi,封装:DO-214AB,参数:配置: Single; 方向类型: Bi-Directional; 峰值脉冲功率耗散: 1500 W; 最大峰值脉冲电流: 59.5 A; 最大反向漏电...
RF1600-000
RF1600-000,ESD静电抑制器,品牌:TE,封装:SMD-2,参数:引脚数量:2; 方向类型:Bi-Directional; 最大钳位电压:40(Typ) V; ESD保护电压:25@Air Gap/15@Contact Disc KV; 最大工作电压:14 V; 最大漏电流:10 uA; 电容值:0.25(T...
SMBJ350E3
SMBJ350E3, 瞬态电压抑制器, TVS二极管, 参数: Single Uni-Dir 600W,品牌:Microsemi,封装:DO-214AA,参数:配置: Single; 方向类型: Uni-Directional; 峰值脉冲功率耗散: 600 W; 工作温度: -65 to 150 ℃; 安装方式: Su...