SMBJ24CE3, 瞬态电压抑制器, TVS二极管, 参数: Single Bi-Dir 24V 600W,品牌:Microsemi,封装:DO-214AA,参数:配置: Single; 方向类型: Bi-Directional; 峰值脉冲功率耗散: 600 W; 最大峰值脉冲电流: 14 A; 最大反向漏电流: 1...
LCDA15C-8.TBT, 瞬态电压抑制器, TVS二极管, 参数: Octal Bi-Dir 15V 500W,品牌:Semtech,封装:SOIC-16,参数:配置: Octal; 方向类型: Bi-Directional; 峰值脉冲功率耗散: 500 W; 最大峰值脉冲电流: 15 A; 最大反向漏电流: 5 ...
0402ESDA-MLP1,聚合物ESD静电抑制器,品牌:Cooper Bussmann,封装:SMD-2,参数:类型:Polymer; 引脚数量:2; 方向类型:Bi-Directional; 最大钳位电压:35(Typ) V; ESD保护电压:15(Typ)@Air Gap/8(Typ)@Contact Disc ...
SMAJ18CAE3, 瞬态电压抑制器, TVS二极管, 参数: Single Bi-Dir 18V 500W,品牌:Microsemi,封装:DO-214AC,参数:配置: Single; 方向类型: Bi-Directional; 峰值脉冲功率耗散: 500 W; 最大峰值脉冲电流: 17.2 A; 最大反向漏电流...
1N6270AHE3, 瞬态电压抑制器, TVS二极管, 参数: Single Uni-Dir 7.78V 1.5KW,品牌:Vishay,封装:2Case,参数:配置: Single; 方向类型: Uni-Directional; 峰值脉冲功率耗散: 1500 W; 最大峰值脉冲电流: 112 A; 最大反向漏电流:...
SMBJ13AE3, 瞬态电压抑制器, TVS二极管, 参数: Single Uni-Dir 13V 600W,品牌:Microsemi,封装:DO-214AA,参数:配置: Single; 方向类型: Uni-Directional; 峰值脉冲功率耗散: 600 W; 最大峰值脉冲电流: 27.9 A; 最大反向漏电...
P4SMA100CA-E3, 瞬态电压抑制器, TVS二极管, 参数: Single Bi-Dir 85.5V 400W,品牌:Vishay,封装:SMA,参数:配置: Single; 方向类型: Bi-Directional; 峰值脉冲功率耗散: 400 W; 最大峰值脉冲电流: 2.2 A; 最大反向漏电流: 1 ...
P4SMA43AHE3, 瞬态电压抑制器, TVS二极管, 参数: Single Uni-Dir 36.8V 400W,品牌:Vishay,封装:SMA,参数:配置: Single; 方向类型: Uni-Directional; 峰值脉冲功率耗散: 400 W; 最大峰值脉冲电流: 6.7 A; 最大反向漏电流: 1 ...
1N6468US, 瞬态电压抑制器, TVS二极管, 参数: Single Uni-Dir 51.6V 500W,品牌:Microsemi,封装:E-MELF-2,参数:配置: Single; 方向类型: Uni-Directional; 峰值脉冲功率耗散: 500 W; 最大峰值脉冲电流: 35 A; 最大反向漏电流...
P4SMA220CAHE3, 瞬态电压抑制器, TVS二极管, 参数: Single Bi-Dir 185V 400W,品牌:Vishay,封装:SMA,参数:配置: Single; 方向类型: Bi-Directional; 峰值脉冲功率耗散: 400 W; 最大峰值脉冲电流: 0.9 A; 最大反向漏电流: 1 u...
SMBJ150CA, 瞬态电压抑制器, TVS二极管, 参数: Single Bi-Dir 150V 600W,品牌:Fairchild,封装:DO-214AA,参数:配置: Single; 方向类型: Bi-Directional; 峰值脉冲功率耗散: 600 W; 最大峰值脉冲电流: 2.5 A; 最大反向漏电流:...
1N6150AUS, 瞬态电压抑制器, TVS二极管, 参数: Single Bi-Dir 16.7V 1.5KW,品牌:Microsemi,封装:2G-MELF,参数:配置: Single; 方向类型: Bi-Directional; 峰值脉冲功率耗散: 1500 W; 最大峰值脉冲电流: 49.2 A; 最大反向漏...
SMCJ7.5CAE3, 瞬态电压抑制器, TVS二极管, 参数: Single Bi-Dir 7.5V 1.5KW,品牌:Microsemi,封装:DO-214AB,参数:配置: Single; 方向类型: Bi-Directional; 峰值脉冲功率耗散: 1500 W; 最大峰值脉冲电流: 116.3 A; 最大...
P6KE16AHE3, 瞬态电压抑制器, TVS二极管, 参数: Single Uni-Dir 13.6V 600W,品牌:Vishay,封装:DO-15,参数:配置: Single; 方向类型: Uni-Directional; 峰值脉冲功率耗散: 600 W; 最大峰值脉冲电流: 26.7 A; 最大反向漏电流: ...
RSB6.8CST2R,稳压型ES抑制器,品牌:Rohm,封装:VMN-2,参数:类型:Zener; 引脚数量:2; 方向类型:Bi-Directional; 每芯片单元数目:1; 最大工作电压:5.78 V; 最大漏电流:0.5 uA; 电容值:15(Typ) pF; 最低工作温度:-55 ℃; 最大工作温度:150...
SMCJ130AHE3, 瞬态电压抑制器, TVS二极管, 参数: Single Uni-Dir 130V 1.5KW,品牌:Vishay,封装:SMC,参数:配置: Single; 方向类型: Uni-Directional; 峰值脉冲功率耗散: 1500 W; 最大峰值脉冲电流: 7.2 A; 最大反向漏电流: 1...
BZW04-10, 瞬态电压抑制器, TVS二极管, 参数: Single Uni-Dir 10.2V 400W,品牌:ST,封装:DO-15,参数:配置: Single; 方向类型: Uni-Directional; 峰值脉冲功率耗散: 400 W; 最大峰值脉冲电流: 106 A; 最大反向漏电流: 5 uA; 最...
SA7.0ARLG, 瞬态电压抑制器, TVS二极管, 参数: Single Uni-Dir 7V 500W,品牌:ON,封装:2Case 59AA-01,参数:配置: Single; 方向类型: Uni-Directional; 峰值脉冲功率耗散: 500 W; 最大峰值脉冲电流: 41.7 A; 最大反向漏电流: ...
DF2B6.8E,L3F,ESD静电抑制器,二极管阵列,品牌:Toshiba,封装:ESC-2,参数:类型:Diode Arrays; 配置:Single; 引脚数量:2; 方向类型:Bi-Directional; 每芯片单元数目:1; ESD保护电压:±8@Contact Disc kV; 最大工作电压:5 V; 最...
SMCJ6057AE3, 瞬态电压抑制器, TVS二极管, 参数: Single Bi-Dir 47V 1.5KW,品牌:Microsemi,封装:DO-214AB,参数:配置: Single; 方向类型: Bi-Directional; 峰值脉冲功率耗散: 1500 W; 最大峰值脉冲电流: 19.5 A; 最大反向...
产品展示
Product show