SMDA15C-7/TR7, 瞬态电压抑制器, TVS二极管, 参数: Array 7 Bi-Dir 15V 300W,品牌:Microsemi,封装:SOIC-8,参数:配置: Array 7; 方向类型: Bi-Directional; 峰值脉冲功率耗散: 300 W; 最大峰值脉冲电流: 5 A; 最大反向漏电流...
SMDA15C-7, 瞬态电压抑制器, TVS二极管, 参数: Array 7 Bi-Dir 15V 300W,品牌:Microsemi,封装:SOIC-8,参数:配置: Array 7; 方向类型: Bi-Directional; 峰值脉冲功率耗散: 300 W; 最大峰值脉冲电流: 5 A; 最大反向漏电流: 1 ...
SMDA12C-8E3/TR7, 瞬态电压抑制器, TVS二极管, 参数: Array 8 Bi-Dir 12V 300W,品牌:Microsemi,封装:SOIC-14,参数:配置: Array 8; 方向类型: Bi-Directional; 峰值脉冲功率耗散: 300 W; 最大峰值脉冲电流: 5 A; 最大反向...
SMDA12C-8/TR7, 瞬态电压抑制器, TVS二极管, 参数: Array 8 Bi-Dir 12V 300W,品牌:Microsemi,封装:SOIC-14,参数:配置: Array 8; 方向类型: Bi-Directional; 峰值脉冲功率耗散: 300 W; 最大峰值脉冲电流: 5 A; 最大反向漏电...
SMDA12C-8, 瞬态电压抑制器, TVS二极管, 参数: Array 8 Bi-Dir 12V 300W,品牌:Microsemi,封装:SOIC-14,参数:配置: Array 8; 方向类型: Bi-Directional; 峰值脉冲功率耗散: 300 W; 最大峰值脉冲电流: 5 A; 最大反向漏电流: 1...
SMDA12C-7E3/TR7, 瞬态电压抑制器, TVS二极管, 参数: Array 7 Bi-Dir 12V 300W,品牌:Microsemi,封装:SOIC-8,参数:配置: Array 7; 方向类型: Bi-Directional; 峰值脉冲功率耗散: 300 W; 最大峰值脉冲电流: 5 A; 最大反向漏...
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SMDA03C-8E3/TR7, 瞬态电压抑制器, TVS二极管, 参数: Array 8 Bi-Dir 3.3V 300W,品牌:Microsemi,封装:SOIC-14,参数:配置: Array 8; 方向类型: Bi-Directional; 峰值脉冲功率耗散: 300 W; 最大峰值脉冲电流: 5 A; 最大反...
SMDA03C-8/TR7, 瞬态电压抑制器, TVS二极管, 参数: Array 8 Bi-Dir 3.3V 300W,品牌:Microsemi,封装:SOIC-14,参数:配置: Array 8; 方向类型: Bi-Directional; 峰值脉冲功率耗散: 300 W; 最大峰值脉冲电流: 5 A; 最大反向漏...
SMDA03C-8, 瞬态电压抑制器, TVS二极管, 参数: Array 8 Bi-Dir 3.3V 300W,品牌:Microsemi,封装:SOIC-14,参数:配置: Array 8; 方向类型: Bi-Directional; 峰值脉冲功率耗散: 300 W; 最大峰值脉冲电流: 5 A; 最大反向漏电流: ...
SMDA03C-7E3/TR7, 瞬态电压抑制器, TVS二极管, 参数: Array 7 Bi-Dir 3.3V 300W,品牌:Microsemi,封装:SOIC-8,参数:配置: Array 7; 方向类型: Bi-Directional; 峰值脉冲功率耗散: 300 W; 最大峰值脉冲电流: 5 A; 最大反向...
SMDA03C-7E3, 瞬态电压抑制器, TVS二极管, 参数: Array 7 Bi-Dir 3.3V 300W,品牌:Microsemi,封装:SOIC-8,参数:配置: Array 7; 方向类型: Bi-Directional; 峰值脉冲功率耗散: 300 W; 最大峰值脉冲电流: 5 A; 最大反向漏电流:...
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