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SMDA03C-7E3

SMDA03C-7E3, 瞬态电压抑制器, TVS二极管, 参数: Array 7 Bi-Dir 3.3V 300W,品牌:Microsemi,封装:SOIC-8,参数:配置: Array 7; 方向类型: Bi-Directional; 峰值脉冲功率耗散: 300 W; 最大峰值脉冲电流: 5 A; 最大反向漏电流: 200 uA; 最大钳位电压: 9 V; 最大反向关态电压: 3.3 V; 最小击穿电压: 4 V; 测试电流: 1 mA; 工作温度: -55 to 150 ℃; 安装方式: Surface Mount; 咨询购买请致电:0755-83897562

  • Description:Diode TVS Array 7 Bi-Dir 3.3V 300W 8-Pin SOIC T/R
  • 品牌:Microsemi
  • 封装:SOIC-8
  • 描述:瞬态电压抑制器, TVS二极管, 参数: Array 7 Bi-Dir 3.3V 300W

电气特性 Features

  • 配置: Array 7
  • 方向类型: Bi-Directional
  • 峰值脉冲功率耗散: 300 W
  • 最大峰值脉冲电流: 5 A
  • 最大反向漏电流: 200 uA
  • 最大钳位电压: 9 V
  • 最大反向关态电压: 3.3 V
  • 最小击穿电压: 4 V
  • 测试电流: 1 mA
  • 工作温度: -55 to 150 ℃
  • 安装方式: Surface Mount
  • Description:Diode TVS Array 7 Bi-Dir 3.3V 300W 8-Pin SOIC T/R
  • 品牌:Microsemi
  • 封装:SOIC-8
  • 描述:瞬态电压抑制器, TVS二极管, 参数: Array 7 Bi-Dir 3.3V 300W
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