SA15AG, 瞬态电压抑制器, TVS二极管, 参数: Single Uni-Dir 15V 500W,品牌:ON,封装:2Case 59AA-01,参数:配置: Single; 方向类型: Uni-Directional; 峰值脉冲功率耗散: 500 W; 最大峰值脉冲电流: 20.6 A; 最大反向漏电流: 1 ...
SMBJ75A-E3, 瞬态电压抑制器, TVS二极管, 参数: Single Uni-Dir 75V 600W,品牌:Vishay,封装:SMB,参数:配置: Single; 方向类型: Uni-Directional; 峰值脉冲功率耗散: 600 W; 最大峰值脉冲电流: 5 A; 最大反向漏电流: 1 uA; 最...
SMBJ8.5CE3, 瞬态电压抑制器, TVS二极管, 参数: Single Bi-Dir 8.5V 600W,品牌:Microsemi,封装:DO-214AA,参数:配置: Single; 方向类型: Bi-Directional; 峰值脉冲功率耗散: 600 W; 最大峰值脉冲电流: 37.7 A; 最大反向漏电...
TPD2E001DRSR,ESD静电抑制器,二极管阵列,品牌:TI,封装:WSON-6 EP,参数:类型:Diode Arrays; 引脚数量:6; 方向类型:Uni-Directional; 最大钳位电压:105.5 V; 每芯片单元数目:2; ESD保护电压:±15@Air Gap/±8@Contact Disc/...
SMAJ7.0CA-13-F, 瞬态电压抑制器, TVS二极管, 参数: Single Bi-Dir 7V 400W,品牌:Diodes,封装:SMA,参数:配置: Single; 方向类型: Bi-Directional; 峰值脉冲功率耗散: 400 W; 最大峰值脉冲电流: 33.3 A; 最大反向漏电流: 400...
1.5KE6V8CARL, 瞬态电压抑制器, TVS二极管, 参数: Single Bi-Dir 5.8V 1.5KW,品牌:ST,封装:DO-201,参数:配置: Single; 方向类型: Bi-Directional; 峰值脉冲功率耗散: 1500 W; 最大峰值脉冲电流: 746 A; 最大反向漏电流: 100...
SMDA24CDR2G,ESD静电抑制器,二极管阵列,品牌:ON,封装:SOIC-8 N,参数:类型:Diode Arrays; 引脚数量:8; 方向类型:Bi-Directional; 最大钳位电压:55 V; 每芯片单元数目:4; ESD保护电压:±15@Air Gap/±8@Contact Disc kV; 最大...
1N6161A, 瞬态电压抑制器, TVS二极管, 参数: Single Bi-Dir 47.1V 1.5KW,品牌:Microsemi,封装:2Case G,参数:配置: Single; 方向类型: Bi-Directional; 峰值脉冲功率耗散: 1500 W; 最大峰值脉冲电流: 17.6 A; 最大反向漏电流...
CG0603MLC-12LEA,ESD静电抑制器,品牌:Bourns,封装:2-Pin Case 0603,参数:引脚数量:2; 最大钳位电压:25(Typ) V; 每芯片单元数目:1; ESD保护电压:±25(Min)@Air Gap/±8(Min)@Contact Disc kV; 最大工作电压:12(Typ) V...
SA160CAHE3, 瞬态电压抑制器, TVS二极管, 参数: Single Bi-Dir 160V 500W,品牌:Vishay,封装:DO-15,参数:配置: Single; 方向类型: Bi-Directional; 峰值脉冲功率耗散: 500 W; 最大峰值脉冲电流: 1.9 A; 最大反向漏电流: 1 uA...
SM15T12CA, 瞬态电压抑制器, TVS二极管, 参数: Single Bi-Dir 10.2V 1.5KW,品牌:ST,封装:SMC,参数:配置: Single; 方向类型: Bi-Directional; 峰值脉冲功率耗散: 1500 W; 最大峰值脉冲电流: 461 A; 最大反向漏电流: 0.2 uA; ...
1N6302A-E3, 瞬态电压抑制器, TVS二极管, 参数: Single Uni-Dir 154V 1.5KW,品牌:Vishay,封装:2Case,参数:配置: Single; 方向类型: Uni-Directional; 峰值脉冲功率耗散: 1500 W; 最大峰值脉冲电流: 6.1 A; 最大反向漏电流: ...
PUSBM30VX4-TL,115,ESD静电抑制器,二极管阵列,品牌:NXP,封装:HXSON-6 EP,参数:类型:Diode Arrays; 引脚数量:6; 方向类型:Uni-Directional; 每芯片单元数目:3; ESD保护电压:±8@Contact Disc kV; 最大工作电压:30 V; 最大漏电...
P4SMA510AHE3_A/H, 瞬态电压抑制器, TVS二极管, 参数: Single Uni-Directional 434V 400W,品牌:Vishay,封装:DO-214AC,参数:配置: Single; 方向类型: Uni-Directional; 峰值脉冲功率耗散: 400 W; 最大峰值脉冲电流: 0...
TVS515SM, 瞬态电压抑制器, TVS二极管, 参数: Single 15V 500W,品牌:Microsemi,封装:2Case B-(WT),参数:配置: Single; 峰值脉冲功率耗散: 500 W; 最大峰值脉冲电流: 19.8 A; 最大反向漏电流: 5 uA; 最大钳位电压: 25.2 V; 最大反...
SM6T200AHE3, 瞬态电压抑制器, TVS二极管, 参数: Single Uni-Dir 171V 600W,品牌:Vishay,封装:SMB,参数:配置: Single; 方向类型: Uni-Directional; 峰值脉冲功率耗散: 600 W; 最大峰值脉冲电流: 11.3 A; 最大反向漏电流: 1 ...
P4KE130CA-E3, 瞬态电压抑制器, TVS二极管, 参数: Single Bi-Dir 111V 400W,品牌:Vishay,封装:DO-204AL,参数:配置: Single; 方向类型: Bi-Directional; 峰值脉冲功率耗散: 400 W; 最大峰值脉冲电流: 2.2 A; 最大反向漏电流:...
SMLJ54CA, 瞬态电压抑制器, TVS二极管, 参数: Single Bi-Dir 54V 3KW,品牌:Bourns,封装:DO-214AB,参数:配置: Single; 方向类型: Bi-Directional; 峰值脉冲功率耗散: 3000(Min) W; 最大峰值脉冲电流: 34.4 A; 最大反向漏电流...
1N5649A, 瞬态电压抑制器, TVS二极管, 参数: Single Uni-Dir 40.2V 1.5KW,品牌:Microsemi,封装:DO-13,参数:配置: Single; 方向类型: Uni-Directional; 峰值脉冲功率耗散: 1500 W; 最大峰值脉冲电流: 23.2 A; 最大反向漏电流...
JANS1N6156AUS, 瞬态电压抑制器, TVS二极管, 参数: Single Bi-Dir 29.7V 1.5KW,品牌:Semtech,封装:2SMD,参数:配置: Single; 方向类型: Bi-Directional; 峰值脉冲功率耗散: 1500 W; 最大峰值脉冲电流: 28 A; 最大反向漏电流:...
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