TPD2E001DRLR
TPD2E001DRLR,ESD静电抑制器,二极管阵列,品牌:TI,封装:SOT-5,参数:类型:Diode Arrays; 引脚数量:5; 方向类型:Uni-Directional; 最大钳位电压:105.5 V; 每芯片单元数目:2; ESD保护电压:±15@Air Gap/±8@Contact Disc/±15@...
SMCJ12CE3
SMCJ12CE3, 瞬态电压抑制器, TVS二极管, 参数: Single Bi-Dir 12V 1.5KW,品牌:Microsemi,封装:DO-214AB,参数:配置: Single; 方向类型: Bi-Directional; 峰值脉冲功率耗散: 1500 W; 最大峰值脉冲电流: 68.2 A; 最大反向漏电...
SMCJ6047
SMCJ6047, 瞬态电压抑制器, TVS二极管, 参数: Single Bi-Dir 17V 1.5KW,品牌:Microsemi,封装:DO-214AB,参数:配置: Single; 方向类型: Bi-Directional; 峰值脉冲功率耗散: 1500 W; 最大峰值脉冲电流: 47 A; 最大反向漏电流: ...
P6SMB100CAHE3
P6SMB100CAHE3, 瞬态电压抑制器, TVS二极管, 参数: Single Bi-Dir 85.5V 600W,品牌:Vishay,封装:SMB,参数:配置: Single; 方向类型: Bi-Directional; 峰值脉冲功率耗散: 600 W; 最大峰值脉冲电流: 4.4 A; 最大反向漏电流: 1 ...
SMLJ58CA
SMLJ58CA, 瞬态电压抑制器, TVS二极管, 参数: Single Bi-Dir 58V 3KW,品牌:Microsemi,封装:DO-214AB,参数:配置: Single; 方向类型: Bi-Directional; 峰值脉冲功率耗散: 3000 W; 最大峰值脉冲电流: 32 A; 最大反向漏电流: 2 ...
SMBJ10CA-TR
SMBJ10CA-TR, 瞬态电压抑制器, TVS二极管, 参数: Single Bi-Dir 10V 600W,品牌:ST,封装:SMB,参数:配置: Single; 方向类型: Bi-Directional; 峰值脉冲功率耗散: 600 W; 最大峰值脉冲电流: 184 A; 最大反向漏电流: 0.2 uA; 最大...
STIEC45-28AS
STIEC45-28AS,ESD静电抑制器,品牌:STMicroelectronics,封装:DO-214AB-2,参数:引脚数量:2; 最大钳位电压:49 V; ESD保护电压:15@Air Gap/8@Contact Disc/25@HBM KV; 最大工作电压:28 V; 最大漏电流:0.2 uA; 最低工作温度...
P4KA11HE3
P4KA11HE3, 瞬态电压抑制器, TVS二极管, 参数: Single Uni-Dir 8.92V 400W,品牌:Vishay,封装:DO-204AL,参数:配置: Single; 方向类型: Uni-Directional; 峰值脉冲功率耗散: 400 W; 最大峰值脉冲电流: 24.7 A; 最大反向漏电流...
5KASMC24AHM3
5KASMC24AHM3, 瞬态电压抑制器, TVS二极管, 参数: Single Uni-Directional 24V 5KW,品牌:Vishay,封装:DO-214AB,参数:配置: Single; 方向类型: Uni-Directional; 峰值脉冲功率耗散: 5000 W; 最大峰值脉冲电流: 128.5 ...
MAX13202EALT+
MAX13202EALT+,ESD静电抑制器,二极管阵列,品牌:Maxim,封装:UDFN-6,参数:类型:Diode Arrays; 引脚数量:6; 方向类型:Uni-Directional; 每芯片单元数目:4; ESD保护电压:±30@Air Gap/±12@Contact Disc/±15@HBM kV; 最大...
SMBJ75CE3
SMBJ75CE3, 瞬态电压抑制器, TVS二极管, 参数: Single Bi-Dir 75V 600W,品牌:Microsemi,封装:DO-214AA,参数:配置: Single; 方向类型: Bi-Directional; 峰值脉冲功率耗散: 600 W; 最大峰值脉冲电流: 4.5 A; 最大反向漏电流: ...
1.5KE39A-B
1.5KE39A-B, 瞬态电压抑制器, TVS二极管, 参数: Single Uni-Dir 33.3V 1.5KW,品牌:Diodes,封装:DO-201,参数:配置: Single; 方向类型: Uni-Directional; 峰值脉冲功率耗散: 1500 W; 最大峰值脉冲电流: 28 A; 最大反向漏电流:...
SMBJ24CA-13-F
SMBJ24CA-13-F, 瞬态电压抑制器, TVS二极管, 参数: Single Bi-Dir 24V 600W,品牌:Diodes,封装:SMB,参数:配置: Single; 方向类型: Bi-Directional; 峰值脉冲功率耗散: 600 W; 最大峰值脉冲电流: 15.4 A; 最大反向漏电流: 5 u...
TVS528SM
TVS528SM, 瞬态电压抑制器, TVS二极管, 参数: Single 28V 150W,品牌:Microsemi,封装:E-MELF-2,参数:配置: Single; 峰值脉冲功率耗散: 150 W; 最大峰值脉冲电流: 10.7 A; 最大反向漏电流: 5 uA; 最大钳位电压: 46.5 V; 最大反向关态电...
SMCJ7.0E3
SMCJ7.0E3, 瞬态电压抑制器, TVS二极管, 参数: Single Uni-Dir 7V 1.5KW,品牌:Microsemi,封装:DO-214AB,参数:配置: Single; 方向类型: Uni-Directional; 峰值脉冲功率耗散: 1500 W; 最大峰值脉冲电流: 112.8 A; 最大反向...
SM6T18AY
SM6T18AY, 瞬态电压抑制器, TVS二极管, 参数: Single Uni-Dir 15.3V 600W,品牌:ST,封装:SMB,参数:配置: Single; 方向类型: Uni-Directional; 峰值脉冲功率耗散: 600 W; 最大峰值脉冲电流: 123 A; 最大反向漏电流: 0.2 uA; 最...
SMCJ170CAE3
SMCJ170CAE3, 瞬态电压抑制器, TVS二极管, 参数: Single Bi-Dir 170V 1.5KW,品牌:Microsemi,封装:DO-214AB,参数:配置: Single; 方向类型: Bi-Directional; 峰值脉冲功率耗散: 1500 W; 最大峰值脉冲电流: 5.5 A; 最大反向...
SMCJ28A-13-F
SMCJ28A-13-F, 瞬态电压抑制器, TVS二极管, 参数: Single Uni-Dir 28V 1.5KW,品牌:Diodes,封装:SMC,参数:配置: Single; 方向类型: Uni-Directional; 峰值脉冲功率耗散: 1500 W; 最大峰值脉冲电流: 33 A; 最大反向漏电流: 5 ...
1SMC9.0AT3G
1SMC9.0AT3G, 瞬态电压抑制器, TVS二极管, 参数: Single Uni-Dir 9V 1.5KW,品牌:ON,封装:SMC,参数:配置: Single; 方向类型: Uni-Directional; 峰值脉冲功率耗散: 1500 W; 最大峰值脉冲电流: 97.4 A; 最大反向漏电流: 10 uA;...
CD143A-SR2.8
CD143A-SR2.8,ESD静电抑制器,二极管阵列,品牌:Bourns,封装:SOT-143-4,参数:类型:Diode Arrays; 引脚数量:4; 方向类型:Uni-Directional; 最大钳位电压:8.5 V; 每芯片单元数目:2; ESD保护电压:±30@Air Gap/±30@Contact Di...