SMA5J33CA-M3, 瞬态电压抑制器, TVS二极管, 参数: Single Bi-Dir 33V 500W,品牌:Vishay,封装:SMA,参数:配置: Single; 方向类型: Bi-Directional; 峰值脉冲功率耗散: 500 W; 最大峰值脉冲电流: 9.4 A; 最大反向漏电流: 1 uA;...
P2SMA130A-M3T, 瞬态电压抑制器, TVS二极管, 参数: Single Uni-Dir 111V 200W,品牌:Vishay,封装:SMA,参数:配置: Single; 方向类型: Uni-Directional; 峰值脉冲功率耗散: 200 W; 最大峰值脉冲电流: 179 A; 最大反向漏电流: 1...
1.5KE27CAHE3, 瞬态电压抑制器, TVS二极管, 参数: Single Bi-Dir 23.1V 1.5KW,品牌:Vishay,封装:2Case,参数:配置: Single; 方向类型: Bi-Directional; 峰值脉冲功率耗散: 1500 W; 最大峰值脉冲电流: 40 A; 最大反向漏电流: ...
SMBJ130AE3, 瞬态电压抑制器, TVS二极管, 参数: Single Uni-Dir 130V 600W,品牌:Microsemi,封装:DO-214AA,参数:配置: Single; 方向类型: Uni-Directional; 峰值脉冲功率耗散: 600 W; 最大峰值脉冲电流: 2.9 A; 最大反向漏...
P6KE180CA, 瞬态电压抑制器, TVS二极管, 参数: Single Bi-Dir 154V 600W,品牌:Fairchild,封装:DO-15,参数:配置: Single; 方向类型: Bi-Directional; 峰值脉冲功率耗散: 600 W; 最大峰值脉冲电流: 2.4 A; 最大反向漏电流: 5 ...
LC7.0A, 瞬态电压抑制器, TVS二极管, 参数: Single Uni-Dir 7V 1.5KW,品牌:Microsemi,封装:DO-13,参数:配置: Single; 方向类型: Uni-Directional; 峰值脉冲功率耗散: 1500 W; 最大峰值脉冲电流: 100 A; 最大反向漏电流: 10 ...
SMLJ26CAE3, 瞬态电压抑制器, TVS二极管, 参数: Single Bi-Dir 26V 3KW,品牌:Microsemi,封装:DO-214AB,参数:配置: Single; 方向类型: Bi-Directional; 峰值脉冲功率耗散: 3000 W; 最大峰值脉冲电流: 71.2 A; 最大反向漏电流...
SMBJ5.0CAE3, 瞬态电压抑制器, TVS二极管, 参数: Single Bi-Dir 5V 600W,品牌:Microsemi,封装:DO-214AA,参数:配置: Single; 方向类型: Bi-Directional; 峰值脉冲功率耗散: 600 W; 最大峰值脉冲电流: 65.2 A; 最大反向漏电流...
SMLJ8.0E3, 瞬态电压抑制器, TVS二极管, 参数: Single Uni-Dir 8V 3KW,品牌:Microsemi,封装:DO-214AB,参数:配置: Single; 方向类型: Uni-Directional; 峰值脉冲功率耗散: 3000 W; 最大峰值脉冲电流: 200 A; 最大反向漏电流:...
SMCJ51AHE3, 瞬态电压抑制器, TVS二极管, 参数: Single Uni-Dir 51V 1.5KW,品牌:Vishay,封装:SMC,参数:配置: Single; 方向类型: Uni-Directional; 峰值脉冲功率耗散: 1500 W; 最大峰值脉冲电流: 18.2 A; 最大反向漏电流: 1 ...
BZG04-47TR3, 瞬态电压抑制器, TVS二极管, 参数: Single 47V 300W,品牌:Vishay,封装:SMA,参数:配置: Single; 峰值脉冲功率耗散: 300 W; 最大峰值脉冲电流: 3.8 A; 最大反向漏电流: 5 uA; 最大钳位电压: 78.6 V; 最大反向关态电压: 47 ...
SMC3K36CA-M3, 瞬态电压抑制器, TVS二极管, 参数: Single Bi-Directional 36V 3KW,品牌:Vishay,封装:DO-214AB,参数:配置: Single; 方向类型: Bi-Directional; 峰值脉冲功率耗散: 3000 W; 最大峰值脉冲电流: 51.6 A; ...
PESD12VS5UD,115,ESD静电抑制器,二极管阵列,品牌:NXP,封装:TSOP-6,参数:类型:Diode Arrays; 引脚数量:6; 方向类型:Uni-Directional; 最大钳位电压:24 V; 每芯片单元数目:5; ESD保护电压:30@Contact Disc/10@HBM kV; 最大工...
P6KE200AE3, 瞬态电压抑制器, TVS二极管, 参数: Single Uni-Dir 171V 600W,品牌:Microsemi,封装:2Case T-18,参数:配置: Single; 方向类型: Uni-Directional; 峰值脉冲功率耗散: 600 W; 最大峰值脉冲电流: 2.2 A; 最大反...
SMCJ5656E3, 瞬态电压抑制器, TVS二极管, 参数: Single Uni-Dir 73.7V 1.5KW,品牌:Microsemi,封装:DO-214AB,参数:配置: Single; 方向类型: Uni-Directional; 峰值脉冲功率耗散: 1500 W; 最大峰值脉冲电流: 11.4 A; 最...
P6KE110A-B, 瞬态电压抑制器, TVS二极管, 参数: Single Uni-Dir 94V 600W,品牌:Diodes,封装:DO-15,参数:配置: Single; 方向类型: Uni-Directional; 峰值脉冲功率耗散: 600 W; 最大峰值脉冲电流: 4 A; 最大反向漏电流: 5 uA;...
SMLJ75AE3, 瞬态电压抑制器, TVS二极管, 参数: Single Uni-Dir 75V 3KW,品牌:Microsemi,封装:DO-214AB,参数:配置: Single; 方向类型: Uni-Directional; 峰值脉冲功率耗散: 3000 W; 最大峰值脉冲电流: 24.8 A; 最大反向漏电...
SMBG10A-E3, 瞬态电压抑制器, TVS二极管, 参数: Single Uni-Dir 10V 600W,品牌:Vishay,封装:SMBG,参数:配置: Single; 方向类型: Uni-Directional; 峰值脉冲功率耗散: 600 W; 最大峰值脉冲电流: 35.3 A; 最大反向漏电流: 5 u...
5KP150E3, 瞬态电压抑制器, TVS二极管, 参数: Single Uni-Dir 5KW,品牌:Microsemi,封装:2Case 5R,参数:配置: Single; 方向类型: Uni-Directional; 峰值脉冲功率耗散: 5000 W; 工作温度: -65 to 150 ℃; 安装方式: Thr...
SMB10J8.5A-E3, 瞬态电压抑制器, TVS二极管, 参数: Single Uni-Dir 8.5V 1KW,品牌:Vishay,封装:SMB,参数:配置: Single; 方向类型: Uni-Directional; 峰值脉冲功率耗散: 1000 W; 最大峰值脉冲电流: 69.4 A; 最大反向漏电流: ...
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