5KP28E3, 瞬态电压抑制器, TVS二极管, 参数: Single Uni-Dir 28V 5KW,品牌:Microsemi,封装:2Case 5A,参数:配置: Single; 方向类型: Uni-Directional; 峰值脉冲功率耗散: 5000 W; 最大峰值脉冲电流: 99 A; 最大反向漏电流: 1...
SMBJ6.0E3, 瞬态电压抑制器, TVS二极管, 参数: Single Uni-Dir 6V 600W,品牌:Microsemi,封装:DO-214AA,参数:配置: Single; 方向类型: Uni-Directional; 峰值脉冲功率耗散: 600 W; 最大峰值脉冲电流: 52.6 A; 最大反向漏电流...
SMLJ51CAE3, 瞬态电压抑制器, TVS二极管, 参数: Single Bi-Dir 51V 3KW,品牌:Microsemi,封装:DO-214AB,参数:配置: Single; 方向类型: Bi-Directional; 峰值脉冲功率耗散: 3000 W; 最大峰值脉冲电流: 36.4 A; 最大反向漏电流...
PTVS36VP1UTP,115, 瞬态电压抑制器, TVS二极管, 参数: Single Uni-Dir 36V 600W,品牌:NXP,封装:SOD-128,参数:配置: Single; 方向类型: Uni-Directional; 峰值脉冲功率耗散: 600 W; 最大峰值脉冲电流: 10.3 A; 最大反向漏电...
RSB6.8STE61,ESD静电抑制器,品牌:Rohm,封装:EMD-2,参数:引脚数量:2; 方向类型:Bi-Directional; 每芯片单元数目:1; 最大工作电压:7.82 V; 最大漏电流:0.5 uA; 电容值:30 pF; 最低工作温度:-55 ℃; 最大工作温度:150 ℃; 安装方式:Surfac...
LC8.5A, 瞬态电压抑制器, TVS二极管, 参数: Single Uni-Dir 8.5V 1.5KW,品牌:Microsemi,封装:DO-13,参数:配置: Single; 方向类型: Uni-Directional; 峰值脉冲功率耗散: 1500 W; 最大峰值脉冲电流: 100 A; 最大反向漏电流: 1...
SMAJ8.0A-E3, 瞬态电压抑制器, TVS二极管, 参数: Single Uni-Dir 8V 400W,品牌:Vishay,封装:SMA,参数:配置: Single; 方向类型: Uni-Directional; 峰值脉冲功率耗散: 400 W; 最大峰值脉冲电流: 29.4 A; 最大反向漏电流: 50 u...
SMBJ51CAHE3, 瞬态电压抑制器, TVS二极管, 参数: Single Bi-Dir 51V 600W,品牌:Vishay,封装:SMB,参数:配置: Single; 方向类型: Bi-Directional; 峰值脉冲功率耗散: 600 W; 最大峰值脉冲电流: 7.3 A; 最大反向漏电流: 1 uA; ...
SA110AHE3, 瞬态电压抑制器, TVS二极管, 参数: Single Uni-Dir 110V 500W,品牌:Vishay,封装:DO-15,参数:配置: Single; 方向类型: Uni-Directional; 峰值脉冲功率耗散: 500 W; 最大峰值脉冲电流: 2.8 A; 最大反向漏电流: 1 u...
SMCJ6V0CA, 瞬态电压抑制器, TVS二极管, 参数: Single Bi-Dir 6V 1.5KW,品牌:Fairchild,封装:DO-214AB,参数:配置: Single; 方向类型: Bi-Directional; 峰值脉冲功率耗散: 1500 W; 最大峰值脉冲电流: 145.6 A; 最大反向漏电...
IP4233CZ6,125,ESD静电抑制器,二极管阵列,品牌:NXP,封装:TSSOP-6,参数:类型:Diode Arrays; 引脚数量:6; 方向类型:Bi-Directional; 每芯片单元数目:2; ESD保护电压:±8@Contact Disc kV; 最大漏电流:0.1 uA; 电容值:1.3 pF;...
P6KE11CAHE3, 瞬态电压抑制器, TVS二极管, 参数: Single Bi-Dir 9.4V 600W,品牌:Vishay,封装:DO-15,参数:配置: Single; 方向类型: Bi-Directional; 峰值脉冲功率耗散: 600 W; 最大峰值脉冲电流: 38.5 A; 最大反向漏电流: 10...
TQP200002,ESD静电抑制器,二极管阵列,品牌:Triquint,封装:TSLP-3,参数:类型:Diode Arrays; 配置:Dual; 引脚数量:3; 方向类型:Bi-Directional; 最大钳位电压:40 V; 每芯片单元数目:2; ESD保护电压:3@Air Gap|3@Contact Dis...
SMCJ48CA-E3, 瞬态电压抑制器, TVS二极管, 参数: Single Bi-Dir 48V 1.5KW,品牌:Vishay,封装:SMC,参数:配置: Single; 方向类型: Bi-Directional; 峰值脉冲功率耗散: 1500 W; 最大峰值脉冲电流: 19.4 A; 最大反向漏电流: 1 u...
RCLAMP0524J.TCT,ESD静电抑制器,二极管阵列,品牌:Semtech,封装:SLP-8 EP,参数:类型:Diode Arrays; 引脚数量:8; 方向类型:Uni-Directional; 最大钳位电压:15 V; 每芯片单元数目:4; ESD保护电压:±17@Air Gap/±12@Contact ...
SMCJ14CA-13-F, 瞬态电压抑制器, TVS二极管, 参数: Single Bi-Dir 14V 1.5KW,品牌:Diodes,封装:SMC,参数:配置: Single; 方向类型: Bi-Directional; 峰值脉冲功率耗散: 1500 W; 最大峰值脉冲电流: 64.7 A; 最大反向漏电流: 5...
SMCJ8.5CA, 瞬态电压抑制器, TVS二极管, 参数: Single Bi-Dir 8.5V 1.5KW,品牌:Bourns,封装:DO-214AB,参数:配置: Single; 方向类型: Bi-Directional; 峰值脉冲功率耗散: 1500(Min) W; 最大峰值脉冲电流: 104.2 A; 最大...
SMCG16AHE3, 瞬态电压抑制器, TVS二极管, 参数: Single Uni-Dir 16V 1.5KW,品牌:Vishay,封装:SMCG,参数:配置: Single; 方向类型: Uni-Directional; 峰值脉冲功率耗散: 1500 W; 最大峰值脉冲电流: 57.7 A; 最大反向漏电流: 1...
SA5.0CAHE3, 瞬态电压抑制器, TVS二极管, 参数: Single Bi-Dir 5V 500W,品牌:Vishay,封装:DO-15,参数:配置: Single; 方向类型: Bi-Directional; 峰值脉冲功率耗散: 500 W; 最大峰值脉冲电流: 54.3 A; 最大反向漏电流: 1200 ...
SMCJ28E3, 瞬态电压抑制器, TVS二极管, 参数: Single Uni-Dir 28V 1.5KW,品牌:Microsemi,封装:DO-214AB,参数:配置: Single; 方向类型: Uni-Directional; 峰值脉冲功率耗散: 1500 W; 最大峰值脉冲电流: 30 A; 最大反向漏电流...
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