DVIULC6-2P6,ESD静电抑制器,品牌:STMicroelectronics,封装:SOT-666-6,参数:引脚数量:6; 方向类型:Uni-Directional; 最大钳位电压:17 V; 每芯片单元数目:2; ESD保护电压:±15@Air Gap/±15@Contact Disc KV; 最大漏电流:...
CD214C-T58CALF, 瞬态电压抑制器, TVS二极管, 参数: Single Bi-Dir 58V 1.5KW,品牌:Bourns,封装:DO-214AB,参数:配置: Single; 方向类型: Bi-Directional; 峰值脉冲功率耗散: 1500(Min) W; 最大峰值脉冲电流: 16 A; 最...
SA10CAHE3, 瞬态电压抑制器, TVS二极管, 参数: Single Bi-Dir 10V 500W,品牌:Vishay,封装:DO-15,参数:配置: Single; 方向类型: Bi-Directional; 峰值脉冲功率耗散: 500 W; 最大峰值脉冲电流: 29.4 A; 最大反向漏电流: 2 uA;...
BZW04-13B-E3, 瞬态电压抑制器, TVS二极管, 参数: Single Bi-Dir 12.8V 400W,品牌:Vishay,封装:DO-204AL,参数:配置: Single; 方向类型: Bi-Directional; 峰值脉冲功率耗散: 400 W; 最大峰值脉冲电流: 19 A; 最大反向漏电流:...
IP4280CZ10,118,ESD静电抑制器,二极管阵列,品牌:NXP,封装:TSSOP-10,参数:类型:Diode Arrays; 引脚数量:10; 方向类型:Uni-Directional; 最大钳位电压:8(Typ) V; 每芯片单元数目:4; ESD保护电压:±15@Air Gap/±8@Contact D...
SMCG6.5CAHE3, 瞬态电压抑制器, TVS二极管, 参数: Single Bi-Dir 6.5V 1.5KW,品牌:Vishay,封装:SMCG,参数:配置: Single; 方向类型: Bi-Directional; 峰值脉冲功率耗散: 1500 W; 最大峰值脉冲电流: 133.9 A; 最大反向漏电流:...
SZ1SMB7.5AT3G, 瞬态电压抑制器, TVS二极管, 参数: Single Uni-Dir 7.5V 600W,品牌:ON,封装:SMB,参数:配置: Single; 方向类型: Uni-Directional; 峰值脉冲功率耗散: 600 W; 最大峰值脉冲电流: 46.5 A; 最大反向漏电流: 100 ...
SMCJ5656A, 瞬态电压抑制器, TVS二极管, 参数: Single Uni-Dir 77.8V 1.5KW,品牌:Microsemi,封装:DO-214AB,参数:配置: Single; 方向类型: Uni-Directional; 峰值脉冲功率耗散: 1500 W; 最大峰值脉冲电流: 12 A; 最大反向...
P4KE22CAHE3, 瞬态电压抑制器, TVS二极管, 参数: Single Bi-Dir 18.8V 400W,品牌:Vishay,封装:DO-204AL,参数:配置: Single; 方向类型: Bi-Directional; 峰值脉冲功率耗散: 400 W; 最大峰值脉冲电流: 13.1 A; 最大反向漏电流...
1.5KE250A-B, 瞬态电压抑制器, TVS二极管, 参数: Single Uni-Dir 214V 1.5KW,品牌:Diodes,封装:DO-201,参数:配置: Single; 方向类型: Uni-Directional; 峰值脉冲功率耗散: 1500 W; 最大峰值脉冲电流: 5 A; 最大反向漏电流: ...
5KP13CAE3, 瞬态电压抑制器, TVS二极管, 参数: Single Bi-Dir 13V 5KW,品牌:Microsemi,封装:2Case 5A,参数:配置: Single; 方向类型: Bi-Directional; 峰值脉冲功率耗散: 5000 W; 最大峰值脉冲电流: 232 A; 最大反向漏电流: ...
1.5KE12ARL4G, 瞬态电压抑制器, TVS二极管, 参数: Single Uni-Dir 10.2V 1.5KW,品牌:ON,封装:2Case 41A-04,参数:配置: Single; 方向类型: Uni-Directional; 峰值脉冲功率耗散: 1500 W; 最大峰值脉冲电流: 90 A; 最大反向...
SMA6J10A-E3, 瞬态电压抑制器, TVS二极管, 参数: Single Uni-Dir 10V 4KW,品牌:Vishay,封装:SMA,参数:配置: Single; 方向类型: Uni-Directional; 峰值脉冲功率耗散: 4000 W; 最大峰值脉冲电流: 184 A; 最大反向漏电流: 0.2 ...
B72500D 50H160,ESD静电抑制器,品牌:EPCOS(TDK),封装:SOD-523-2,参数:类型:CeraDiode; 引脚数量:2; 方向类型:Bi-Directional; 每芯片单元数目:1; ESD保护电压:15@Air Gap/8@Contact Disc kV; 最大工作电压:5.6 V; ...
SMBG33AHE3, 瞬态电压抑制器, TVS二极管, 参数: Single Uni-Dir 33V 600W,品牌:Vishay,封装:SMBG,参数:配置: Single; 方向类型: Uni-Directional; 峰值脉冲功率耗散: 600 W; 最大峰值脉冲电流: 11.3 A; 最大反向漏电流: 1 u...
P6KE24CA-E3, 瞬态电压抑制器, TVS二极管, 参数: Single Bi-Dir 20.5V 600W,品牌:Vishay,封装:DO-15,参数:配置: Single; 方向类型: Bi-Directional; 峰值脉冲功率耗散: 600 W; 最大峰值脉冲电流: 18.1 A; 最大反向漏电流: 1...
B72590D150A60,ESD静电抑制器,品牌:EPCOS(TDK),封装:CSMD-2,参数:类型:CeraDiode; 引脚数量:2; 方向类型:Bi-Directional; 最大钳位电压:46 V; 每芯片单元数目:1; ESD保护电压:15@Air Gap/8@Contact Disc kV; 最大工作电...
PESD24VS2UQ,115,ESD静电抑制器,二极管阵列,品牌:NXP,封装:SOT-663-3,参数:类型:Diode Arrays; 引脚数量:3; 方向类型:Uni-Directional|Bi-Directional; 最大钳位电压:70 V; 每芯片单元数目:2; ESD保护电压:23@Contact D...
SMCJ16AE3, 瞬态电压抑制器, TVS二极管, 参数: Single Uni-Dir 16V 1.5KW,品牌:Microsemi,封装:DO-214AB,参数:配置: Single; 方向类型: Uni-Directional; 峰值脉冲功率耗散: 1500 W; 最大峰值脉冲电流: 57.7 A; 最大反向...
SMBJ150AE3, 瞬态电压抑制器, TVS二极管, 参数: Single Uni-Dir 150V 600W,品牌:Microsemi,封装:DO-214AA,参数:配置: Single; 方向类型: Uni-Directional; 峰值脉冲功率耗散: 600 W; 最大峰值脉冲电流: 2.5 A; 最大反向漏...
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