SMCJ51CA, 瞬态电压抑制器, TVS二极管, 参数: Single Bi-Dir 51V 1.5KW,品牌:Bourns,封装:DO-214AB,参数:配置: Single; 方向类型: Bi-Directional; 峰值脉冲功率耗散: 1500(Min) W; 最大峰值脉冲电流: 18.2 A; 最大反向漏...
P4KE160AHE3, 瞬态电压抑制器, TVS二极管, 参数: Single Uni-Dir 136V 400W,品牌:Vishay,封装:DO-204AL,参数:配置: Single; 方向类型: Uni-Directional; 峰值脉冲功率耗散: 400 W; 最大峰值脉冲电流: 1.8 A; 最大反向漏电流...
BZW04-256B-E3, 瞬态电压抑制器, TVS二极管, 参数: Single Bi-Dir 256V 400W,品牌:Vishay,封装:DO-204AL,参数:配置: Single; 方向类型: Bi-Directional; 峰值脉冲功率耗散: 400 W; 最大峰值脉冲电流: 1 A; 最大反向漏电流: ...
SMCJ6.0CAHE3, 瞬态电压抑制器, TVS二极管, 参数: Single Bi-Dir 6V 1.5KW,品牌:Vishay,封装:SMC,参数:配置: Single; 方向类型: Bi-Directional; 峰值脉冲功率耗散: 1500 W; 最大峰值脉冲电流: 145.6 A; 最大反向漏电流: 20...
SMDA12CDR2G,ESD静电抑制器,二极管阵列,品牌:ON,封装:SOIC-8 N,参数:类型:Diode Arrays; 引脚数量:8; 方向类型:Bi-Directional; 最大钳位电压:24 V; 每芯片单元数目:4; ESD保护电压:±15@Air Gap/±8@Contact Disc kV; 最大...
1N6127A, 瞬态电压抑制器, TVS二极管, 参数: Single Bi-Dir 56V 500W,品牌:Microsemi,封装:2Case E,参数:配置: Single; 方向类型: Bi-Directional; 峰值脉冲功率耗散: 500 W; 最大峰值脉冲电流: 4.8 A; 最大反向漏电流: 1 u...
1.5KE47A, 瞬态电压抑制器, TVS二极管, 参数: Single Uni-Dir 40.2V 1.5KW,品牌:ST,封装:DO-201,参数:配置: Single; 方向类型: Uni-Directional; 峰值脉冲功率耗散: 1500 W; 最大峰值脉冲电流: 119 A; 最大反向漏电流: 1 uA...
BZW04-64HE3, 瞬态电压抑制器, TVS二极管, 参数: Single Uni-Dir 64.1V 400W,品牌:Vishay,封装:DO-204AL,参数:配置: Single; 方向类型: Uni-Directional; 峰值脉冲功率耗散: 400 W; 最大峰值脉冲电流: 3.9 A; 最大反向漏电...
SMCJ5V0A, 瞬态电压抑制器, TVS二极管, 参数: Single Uni-Dir 5V 1.5KW,品牌:Fairchild,封装:DO-214AB,参数:配置: Single; 方向类型: Uni-Directional; 峰值脉冲功率耗散: 1500 W; 最大峰值脉冲电流: 163 A; 最大反向漏电流...
5KP54AE3, 瞬态电压抑制器, TVS二极管, 参数: Single Uni-Dir 54V 5KW,品牌:Microsemi,封装:2Case 5A,参数:配置: Single; 方向类型: Uni-Directional; 峰值脉冲功率耗散: 5000 W; 最大峰值脉冲电流: 57 A; 最大反向漏电流: ...
RCLAMP3304P.TCT,ESD静电抑制器,二极管阵列,品牌:Semtech,封装:SLP-6 EP,参数:类型:Diode Arrays; 引脚数量:6; 方向类型:Uni-Directional; 最大钳位电压:16 V; 每芯片单元数目:4; ESD保护电压:20@Air Gap/12@Contact Di...
SMBJ7.0CE3, 瞬态电压抑制器, TVS二极管, 参数: Single Bi-Dir 7V 600W,品牌:Microsemi,封装:DO-214AA,参数:配置: Single; 方向类型: Bi-Directional; 峰值脉冲功率耗散: 600 W; 最大峰值脉冲电流: 45.1 A; 最大反向漏电流:...
TGL41-110A-E3, 瞬态电压抑制器, TVS二极管, 参数: Single Uni-Dir 94V 400W,品牌:Vishay,封装:DO-213AB,参数:配置: Single; 方向类型: Uni-Directional; 峰值脉冲功率耗散: 400 W; 最大峰值脉冲电流: 1.32 A; 最大反向漏...
SM15T33A, 瞬态电压抑制器, TVS二极管, 参数: Single Uni-Dir 28.2V 1.5KW,品牌:ST,封装:SMC,参数:配置: Single; 方向类型: Uni-Directional; 峰值脉冲功率耗散: 1500 W; 最大峰值脉冲电流: 169 A; 最大反向漏电流: 1 uA; 最...
1N5631A, 瞬态电压抑制器, TVS二极管, 参数: Single Uni-Dir 7.02V 1.5KW,品牌:Microsemi,封装:DO-13,参数:配置: Single; 方向类型: Uni-Directional; 峰值脉冲功率耗散: 1500 W; 最大峰值脉冲电流: 124 A; 最大反向漏电流:...
SMCJ26AE3, 瞬态电压抑制器, TVS二极管, 参数: Single Uni-Dir 26V 1.5KW,品牌:Microsemi,封装:DO-214AB,参数:配置: Single; 方向类型: Uni-Directional; 峰值脉冲功率耗散: 1500 W; 最大峰值脉冲电流: 35.6 A; 最大反向...
SMCJ70CA-13-F, 瞬态电压抑制器, TVS二极管, 参数: Single Bi-Dir 70V 1.5KW,品牌:Diodes,封装:SMC,参数:配置: Single; 方向类型: Bi-Directional; 峰值脉冲功率耗散: 1500 W; 最大峰值脉冲电流: 13.3 A; 最大反向漏电流: 5...
PJLPT05_R1_00001, 瞬态电压抑制器, TVS二极管, 参数: Single Uni-Dir 5V 320W,品牌:Panjit,封装:3SOT-23,参数:配置: Single; 方向类型: Uni-Directional; 峰值脉冲功率耗散: 320 W; 最大峰值脉冲电流: 1 A; 最大反向漏电流...
SMLJ8.0CE3, 瞬态电压抑制器, TVS二极管, 参数: Single Bi-Dir 8V 3KW,品牌:Microsemi,封装:DO-214AB,参数:配置: Single; 方向类型: Bi-Directional; 峰值脉冲功率耗散: 3000 W; 最大峰值脉冲电流: 200 A; 最大反向漏电流: ...
SMBJ40AE3, 瞬态电压抑制器, TVS二极管, 参数: Single Uni-Dir 40V 600W,品牌:Microsemi,封装:DO-214AA,参数:配置: Single; 方向类型: Uni-Directional; 峰值脉冲功率耗散: 600 W; 最大峰值脉冲电流: 9.3 A; 最大反向漏电流...
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