VBUS054B-HSF-GS08,ESD静电抑制器,二极管阵列,品牌:Vishay,封装:LLP-75-6,参数:类型:Diode Arrays; 引脚数量:6; 方向类型:Uni-Directional; 最大钳位电压:15 V; 每芯片单元数目:4; ESD保护电压:±15@Air Gap/±15@Contact...
DF2B6.8E,L3F,ESD静电抑制器,二极管阵列,品牌:Toshiba,封装:ESC-2,参数:类型:Diode Arrays; 配置:Single; 引脚数量:2; 方向类型:Bi-Directional; 每芯片单元数目:1; ESD保护电压:±8@Contact Disc kV; 最大工作电压:5 V; 最...
SMA5J30AHE3, 瞬态电压抑制器, TVS二极管, 参数: Single Uni-Dir 30V 500W,品牌:Vishay,封装:SMA,参数:配置: Single; 方向类型: Uni-Directional; 峰值脉冲功率耗散: 500 W; 最大峰值脉冲电流: 10.3 A; 最大反向漏电流: 1 u...
SMBJ33CA, 瞬态电压抑制器, TVS二极管, 参数: Single Bi-Dir 33V 600W,品牌:Fairchild,封装:DO-214AA,参数:配置: Single; 方向类型: Bi-Directional; 峰值脉冲功率耗散: 600 W; 最大峰值脉冲电流: 11.3 A; 最大反向漏电流: ...
HDMI05-CL02F3,ESD静电抑制器,品牌:STMicroelectronics,封装:Flip-Chip-10,参数:引脚数量:10; ESD保护电压:15@Air Gap/8@Contact Disc KV; 最大漏电流:0.2 uA; 电容值:29 pF; 最低工作温度:-30 ℃; 最大工作温度:85 ...
SMCJ5662, 瞬态电压抑制器, TVS二极管, 参数: Single Uni-Dir 130V 1.5KW,品牌:Microsemi,封装:DO-214AB,参数:配置: Single; 方向类型: Uni-Directional; 峰值脉冲功率耗散: 1500 W; 最大峰值脉冲电流: 6.5 A; 最大反向漏...
LC16A, 瞬态电压抑制器, TVS二极管, 参数: Single Uni-Dir 16V 1.5KW,品牌:Microsemi,封装:DO-13,参数:配置: Single; 方向类型: Uni-Directional; 峰值脉冲功率耗散: 1500 W; 最大峰值脉冲电流: 57 A; 最大反向漏电流: 10 u...
1N6368, 瞬态电压抑制器, TVS二极管, 参数: Single Bi-Dir 15V 1.5KW,品牌:Microsemi,封装:DO-13,参数:配置: Single; 方向类型: Bi-Directional; 峰值脉冲功率耗散: 1500 W; 最大峰值脉冲电流: 60 A; 最大反向漏电流: 2 uA;...
P6KE33AG, 瞬态电压抑制器, TVS二极管, 参数: Single Uni-Dir 28.2V 600W,品牌:ON,封装:2Case,参数:配置: Single; 方向类型: Uni-Directional; 峰值脉冲功率耗散: 600 W; 最大峰值脉冲电流: 13.2 A; 最大反向漏电流: 5 uA; ...
SMCJ48CA-13-F, 瞬态电压抑制器, TVS二极管, 参数: Single Bi-Dir 48V 1.5KW,品牌:Diodes,封装:SMC,参数:配置: Single; 方向类型: Bi-Directional; 峰值脉冲功率耗散: 1500 W; 最大峰值脉冲电流: 19.4 A; 最大反向漏电流: 5...
PTVS18VU1UPAZ, 瞬态电压抑制器, TVS二极管, 参数: Single Dual Anode Uni-Directional 18V 3000W,品牌:NXP,封装:3SOT-1061,参数:配置: Single Dual Anode; 方向类型: Uni-Directional; 峰值脉冲功率耗散: 3...
PTVS5V0S1UTR,115, 瞬态电压抑制器, TVS二极管, 参数: Single Uni-Dir 5V 400W,品牌:NXP,封装:SOD-123W,参数:配置: Single; 方向类型: Uni-Directional; 峰值脉冲功率耗散: 400 W; 最大峰值脉冲电流: 43.5 A; 最大反向漏电...
TPD2E001DRYR,ESD静电抑制器,二极管阵列,品牌:TI,封装:USON-6,参数:类型:Diode Arrays; 引脚数量:6; 方向类型:Uni-Directional; 最大钳位电压:105.5 V; 每芯片单元数目:2; ESD保护电压:±15@Air Gap/±8@Contact Disc/±15...
NS6A13AFT3G, 瞬态电压抑制器, TVS二极管, 参数: Single Uni-Dir 600W,品牌:ON,封装:SMA-FL,参数:配置: Single; 方向类型: Uni-Directional; 峰值脉冲功率耗散: 600 W; 最大峰值脉冲电流: 27.9 A; 最大反向漏电流: 5 uA; 最大...
SMBJ28CAE3, 瞬态电压抑制器, TVS二极管, 参数: Single Bi-Dir 28V 600W,品牌:Microsemi,封装:DO-214AA,参数:配置: Single; 方向类型: Bi-Directional; 峰值脉冲功率耗散: 600 W; 最大峰值脉冲电流: 13.2 A; 最大反向漏电流...
P6KE36CA-E3, 瞬态电压抑制器, TVS二极管, 参数: Single Bi-Dir 30.8V 600W,品牌:Vishay,封装:DO-15,参数:配置: Single; 方向类型: Bi-Directional; 峰值脉冲功率耗散: 600 W; 最大峰值脉冲电流: 12 A; 最大反向漏电流: 1 u...
SMLJ14A, 瞬态电压抑制器, TVS二极管, 参数: Single Uni-Dir 14V 3KW,品牌:Bourns,封装:DO-214AB,参数:配置: Single; 方向类型: Uni-Directional; 峰值脉冲功率耗散: 3000(Min) W; 最大峰值脉冲电流: 129.4 A; 最大反向漏...
SMCJ70AHE3, 瞬态电压抑制器, TVS二极管, 参数: Single Uni-Dir 70V 1.5KW,品牌:Vishay,封装:SMC,参数:配置: Single; 方向类型: Uni-Directional; 峰值脉冲功率耗散: 1500 W; 最大峰值脉冲电流: 13.3 A; 最大反向漏电流: 1 ...
SMA5J10CA-E3, 瞬态电压抑制器, TVS二极管, 参数: Single Bi-Dir 10V 500W,品牌:Vishay,封装:SMA,参数:配置: Single; 方向类型: Bi-Directional; 峰值脉冲功率耗散: 500 W; 最大峰值脉冲电流: 29.4 A; 最大反向漏电流: 2 uA...
SMBJ54E3, 瞬态电压抑制器, TVS二极管, 参数: Single Uni-Dir 54V 600W,品牌:Microsemi,封装:DO-214AA,参数:配置: Single; 方向类型: Uni-Directional; 峰值脉冲功率耗散: 600 W; 最大峰值脉冲电流: 6.2 A; 最大反向漏电流:...
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