TPD4E101DPWR,ESD静电抑制器,二极管阵列,品牌:TI,封装:X2SON-4,参数:类型:Diode Arrays; 引脚数量:4; 方向类型:Bi-Directional; 最大钳位电压:13(Typ) V; 每芯片单元数目:4; ESD保护电压:±15@Air Gap/±15@Contact Disc ...
P4KE27CA-E3, 瞬态电压抑制器, TVS二极管, 参数: Single Bi-Dir 23.1V 400W,品牌:Vishay,封装:DO-204AL,参数:配置: Single; 方向类型: Bi-Directional; 峰值脉冲功率耗散: 400 W; 最大峰值脉冲电流: 10.7 A; 最大反向漏电流...
P6SMB150AHE3, 瞬态电压抑制器, TVS二极管, 参数: Single Uni-Dir 128V 600W,品牌:Vishay,封装:SMB,参数:配置: Single; 方向类型: Uni-Directional; 峰值脉冲功率耗散: 600 W; 最大峰值脉冲电流: 2.9 A; 最大反向漏电流: 1 ...
P4SMA220CAHE3, 瞬态电压抑制器, TVS二极管, 参数: Single Bi-Dir 185V 400W,品牌:Vishay,封装:SMA,参数:配置: Single; 方向类型: Bi-Directional; 峰值脉冲功率耗散: 400 W; 最大峰值脉冲电流: 0.9 A; 最大反向漏电流: 1 u...
SMBG12CA-TR, 瞬态电压抑制器, TVS二极管, 参数: Single Bi-Dir 12V 600W,品牌:Vishay,封装:SMBG,参数:配置: Single; 方向类型: Bi-Directional; 峰值脉冲功率耗散: 600 W; 最大峰值脉冲电流: 30.2 A; 最大反向漏电流: 5 uA...
1N6053, 瞬态电压抑制器, TVS二极管, 参数: Single Bi-Dir 31V 1.5KW,品牌:Microsemi,封装:DO-13,参数:配置: Single; 方向类型: Bi-Directional; 峰值脉冲功率耗散: 1500 W; 最大峰值脉冲电流: 26.5 A; 最大反向漏电流: 5 u...
BZW04-48B-E3, 瞬态电压抑制器, TVS二极管, 参数: Single Bi-Dir 47.8V 400W,品牌:Vishay,封装:DO-204AL,参数:配置: Single; 方向类型: Bi-Directional; 峰值脉冲功率耗散: 400 W; 最大峰值脉冲电流: 5.2 A; 最大反向漏电流...
SMBJ100CA-TR, 瞬态电压抑制器, TVS二极管, 参数: Single Bi-Dir 100V 600W,品牌:ST,封装:SMB,参数:配置: Single; 方向类型: Bi-Directional; 峰值脉冲功率耗散: 600 W; 最大峰值脉冲电流: 19 A; 最大反向漏电流: 0.2 uA; 最...
1SMB75AT3G, 瞬态电压抑制器, TVS二极管, 参数: Single Uni-Dir 75V 600W,品牌:ON,封装:SMB,参数:配置: Single; 方向类型: Uni-Directional; 峰值脉冲功率耗散: 600 W; 最大峰值脉冲电流: 4.9 A; 最大反向漏电流: 5 uA; 最大钳...
SMAJ45CA-M3, 瞬态电压抑制器, TVS二极管, 参数: Single Bi-Dir 45V 400W,品牌:Vishay,封装:SMA,参数:配置: Single; 方向类型: Bi-Directional; 峰值脉冲功率耗散: 400 W; 最大峰值脉冲电流: 5.5 A; 最大反向漏电流: 1 uA; ...
1SMB12AT3G, 瞬态电压抑制器, TVS二极管, 参数: Single Uni-Dir 12V 600W,品牌:ON,封装:SMB,参数:配置: Single; 方向类型: Uni-Directional; 峰值脉冲功率耗散: 600 W; 最大峰值脉冲电流: 30.2 A; 最大反向漏电流: 5 uA; 最大...
SA75CAHE3, 瞬态电压抑制器, TVS二极管, 参数: Single Bi-Dir 75V 500W,品牌:Vishay,封装:DO-15,参数:配置: Single; 方向类型: Bi-Directional; 峰值脉冲功率耗散: 500 W; 最大峰值脉冲电流: 4.1 A; 最大反向漏电流: 1 uA; ...
SMLJ48CA, 瞬态电压抑制器, TVS二极管, 参数: Single Bi-Dir 48V 3KW,品牌:Bourns,封装:DO-214AB,参数:配置: Single; 方向类型: Bi-Directional; 峰值脉冲功率耗散: 3000(Min) W; 最大峰值脉冲电流: 38.8 A; 最大反向漏电流...
P6SMB24AHE3, 瞬态电压抑制器, TVS二极管, 参数: Single Uni-Dir 20.5V 600W,品牌:Vishay,封装:SMB,参数:配置: Single; 方向类型: Uni-Directional; 峰值脉冲功率耗散: 600 W; 最大峰值脉冲电流: 18.1 A; 最大反向漏电流: 1...
SMBG22A-E3, 瞬态电压抑制器, TVS二极管, 参数: Single Uni-Dir 22V 600W,品牌:Vishay,封装:SMBG,参数:配置: Single; 方向类型: Uni-Directional; 峰值脉冲功率耗散: 600 W; 最大峰值脉冲电流: 16.9 A; 最大反向漏电流: 1 u...
P6KE47CA-E3, 瞬态电压抑制器, TVS二极管, 参数: Single Bi-Dir 40.2V 600W,品牌:Vishay,封装:DO-15,参数:配置: Single; 方向类型: Bi-Directional; 峰值脉冲功率耗散: 600 W; 最大峰值脉冲电流: 9.3 A; 最大反向漏电流: 1 ...
1N5629, 瞬态电压抑制器, TVS二极管, 参数: Single Uni-Dir 5.5V 1.5KW,品牌:Microsemi,封装:DO-13,参数:配置: Single; 方向类型: Uni-Directional; 峰值脉冲功率耗散: 1500 W; 最大峰值脉冲电流: 139 A; 最大反向漏电流: 1...
PESD0402-060,ESD静电抑制器,品牌:TE,封装:SMD-2,参数:引脚数量:2; 方向类型:Bi-Directional; 最大钳位电压:40(Typ) V; ESD保护电压:25@Air Gap/15@Contact Disc kV; 最大工作电压:6 V; 电容值:0.25(Typ) pF; 最低工作...
1N6103A, 瞬态电压抑制器, TVS二极管, 参数: Single Bi-Dir 5.7V 500W,品牌:Microsemi,封装:2Case E,参数:配置: Single; 方向类型: Bi-Directional; 峰值脉冲功率耗散: 500 W; 最大峰值脉冲电流: 44.6 A; 最大反向漏电流: 5...
1N6058, 瞬态电压抑制器, TVS二极管, 参数: Single Bi-Dir 48V 1.5KW,品牌:Microsemi,封装:DO-13,参数:配置: Single; 方向类型: Bi-Directional; 峰值脉冲功率耗散: 1500 W; 最大峰值脉冲电流: 16.9 A; 最大反向漏电流: 5 u...
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