SR70.TCT,ESD静电抑制器,二极管阵列,品牌:Semtech,封装:SOT-143-4,参数:类型:Diode Arrays; 引脚数量:4; 方向类型:Uni-Directional; 最大钳位电压:7 V; 每芯片单元数目:2; ESD保护电压:15@Air Gap/8@Contact Disc kV; 最...
CD214A-T100CALF, 瞬态电压抑制器, TVS二极管, 参数: Single Bi-Dir 100V 400W,品牌:Bourns,封装:SMA,参数:配置: Single; 方向类型: Bi-Directional; 峰值脉冲功率耗散: 400(Min) W; 最大峰值脉冲电流: 2.5 A; 最大反向漏...
SMBJ6.0CE3, 瞬态电压抑制器, TVS二极管, 参数: Single Bi-Dir 6V 600W,品牌:Microsemi,封装:DO-214AA,参数:配置: Single; 方向类型: Bi-Directional; 峰值脉冲功率耗散: 600 W; 最大峰值脉冲电流: 52.6 A; 最大反向漏电流:...
SMBJ6.0E3, 瞬态电压抑制器, TVS二极管, 参数: Single Uni-Dir 6V 600W,品牌:Microsemi,封装:DO-214AA,参数:配置: Single; 方向类型: Uni-Directional; 峰值脉冲功率耗散: 600 W; 最大峰值脉冲电流: 52.6 A; 最大反向漏电流...
SMM4F6.0A-TR, 瞬态电压抑制器, TVS二极管, 参数: Single Uni-Dir 6V 400W,品牌:ST,封装:DO-222AA,参数:配置: Single; 方向类型: Uni-Directional; 峰值脉冲功率耗散: 400 W; 最大峰值脉冲电流: 170 A; 最大反向漏电流: 10 ...
SMBJ17CE3, 瞬态电压抑制器, TVS二极管, 参数: Single Bi-Dir 17V 600W,品牌:Microsemi,封装:DO-214AA,参数:配置: Single; 方向类型: Bi-Directional; 峰值脉冲功率耗散: 600 W; 最大峰值脉冲电流: 19.7 A; 最大反向漏电流:...
NUP2201MR6T1G,ESD静电抑制器,二极管阵列,品牌:ON,封装:TSOP-6,参数:类型:Diode Arrays; 引脚数量:6; 方向类型:Uni-Directional; 最大钳位电压:20 V; 每芯片单元数目:2; ESD保护电压:20@Air Gap/20@Contact Disc/16@HBM...
1N6114, 瞬态电压抑制器, TVS二极管, 参数: Single Bi-Dir 16.7V 500W,品牌:Microsemi,封装:2Case E,参数:配置: Single; 方向类型: Bi-Directional; 峰值脉冲功率耗散: 500 W; 最大峰值脉冲电流: 16.4 A; 最大反向漏电流: 1...
SMCG7.0CAHE3, 瞬态电压抑制器, TVS二极管, 参数: Single Bi-Dir 7V 1.5KW,品牌:Vishay,封装:SMCG,参数:配置: Single; 方向类型: Bi-Directional; 峰值脉冲功率耗散: 1500 W; 最大峰值脉冲电流: 125 A; 最大反向漏电流: 400...
P6KE6V8CA, 瞬态电压抑制器, TVS二极管, 参数: Single Bi-Dir 5.8V 600W,品牌:Fairchild,封装:DO-15,参数:配置: Single; 方向类型: Bi-Directional; 峰值脉冲功率耗散: 600 W; 最大峰值脉冲电流: 57.1 A; 最大反向漏电流: 2...
P4SMA12AHE3, 瞬态电压抑制器, TVS二极管, 参数: Single Uni-Dir 10.2V 400W,品牌:Vishay,封装:SMA,参数:配置: Single; 方向类型: Uni-Directional; 峰值脉冲功率耗散: 400 W; 最大峰值脉冲电流: 24 A; 最大反向漏电流: 1 u...
MLVB06V09C005,多层压敏电阻ESD抑制器,品牌:Cooper Bussmann,封装:CSMD-2,参数:类型:Multilayer Varistor; 引脚数量:2; 最大钳位电压:35 V; 最大工作电压:9 V; 最大漏电流:10 uA; 电容值:5 pF; 最低工作温度:-40 ℃; 最大工作温度:...
SMBJ40A-TR, 瞬态电压抑制器, TVS二极管, 参数: Single Uni-Dir 40V 600W,品牌:ST,封装:SMB,参数:配置: Single; 方向类型: Uni-Directional; 峰值脉冲功率耗散: 600 W; 最大峰值脉冲电流: 48 A; 最大反向漏电流: 0.2 uA; 最大...
1N6114US, 瞬态电压抑制器, TVS二极管, 参数: Single Bi-Dir 16.7V 500W,品牌:Microsemi,封装:E-MELF-2,参数:配置: Single; 方向类型: Bi-Directional; 峰值脉冲功率耗散: 500 W; 最大峰值脉冲电流: 16.4 A; 最大反向漏电流...
SMB8J36CAHE3, 瞬态电压抑制器, TVS二极管, 参数: Single Bi-Dir 36V 800W,品牌:Vishay,封装:SMB,参数:配置: Single; 方向类型: Bi-Directional; 峰值脉冲功率耗散: 800 W; 最大峰值脉冲电流: 13.8 A; 最大反向漏电流: 1 uA...
SMBJ60E3, 瞬态电压抑制器, TVS二极管, 参数: Single Uni-Dir 60V 600W,品牌:Microsemi,封装:DO-214AA,参数:配置: Single; 方向类型: Uni-Directional; 峰值脉冲功率耗散: 600 W; 最大峰值脉冲电流: 5.6 A; 最大反向漏电流:...
1.5KA11AHE3, 瞬态电压抑制器, TVS二极管, 参数: Single Uni-Dir 9.4V 1.5KW,品牌:Vishay,封装:2Case,参数:配置: Single; 方向类型: Uni-Directional; 峰值脉冲功率耗散: 1500 W; 最大峰值脉冲电流: 96.2 A; 最大反向漏电流...
P4KE130CAHE3, 瞬态电压抑制器, TVS二极管, 参数: Single Bi-Dir 111V 400W,品牌:Vishay,封装:DO-204AL,参数:配置: Single; 方向类型: Bi-Directional; 峰值脉冲功率耗散: 400 W; 最大峰值脉冲电流: 2.2 A; 最大反向漏电流:...
SMBJ440AE3, 瞬态电压抑制器, TVS二极管, 参数: Single Uni-Dir 600W,品牌:Microsemi,封装:DO-214AA,参数:配置: Single; 方向类型: Uni-Directional; 峰值脉冲功率耗散: 600 W; 工作温度: -65 to 150 ℃; 安装方式: S...
1.5KE30CA, 瞬态电压抑制器, TVS二极管, 参数: Single Bi-Dir 25.6V 1.5KW,品牌:ST,封装:DO-201,参数:配置: Single; 方向类型: Bi-Directional; 峰值脉冲功率耗散: 1500 W; 最大峰值脉冲电流: 187 A; 最大反向漏电流: 1 uA;...
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