1N6475US
1N6475US, 瞬态电压抑制器, TVS二极管, 参数: Single Uni-Dir 40.3V 1.5KW,品牌:Microsemi,封装:2G-MELF,参数:配置: Single; 方向类型: Uni-Directional; 峰值脉冲功率耗散: 1500 W; 最大峰值脉冲电流: 135 A; 最大反向漏...
SMCJ64CA-E3
SMCJ64CA-E3, 瞬态电压抑制器, TVS二极管, 参数: Single Bi-Dir 64V 1.5KW,品牌:Vishay,封装:SMC,参数:配置: Single; 方向类型: Bi-Directional; 峰值脉冲功率耗散: 1500 W; 最大峰值脉冲电流: 14.6 A; 最大反向漏电流: 1 u...
PTVS17VS1UTR,115
PTVS17VS1UTR,115, 瞬态电压抑制器, TVS二极管, 参数: Single Uni-Dir 17V 400W,品牌:NXP,封装:SOD-123W,参数:配置: Single; 方向类型: Uni-Directional; 峰值脉冲功率耗散: 400 W; 最大峰值脉冲电流: 14.5 A; 最大反向漏...
D5V0F4U5P5-7
D5V0F4U5P5-7, 瞬态电压抑制器, TVS二极管, 参数: Quad Uni-Dir 5.5V,品牌:Diodes,封装:5SOT-953,参数:配置: Quad; 方向类型: Uni-Directional; 最大峰值脉冲电流: 2 A; 最大反向漏电流: 0.1 uA; 最大钳位电压: 12.5 V; 最...
HDMI05-CL01F3
HDMI05-CL01F3,ESD静电抑制器,品牌:ST Micro,封装:Flip-Chip-8,参数:引脚数量:8; ESD保护电压:±15@Air Gap/±8@Contact Disc kV; 最大漏电流:0.2 uA; 电容值:12 pF; 最低工作温度:-30 ℃; 最大工作温度:85 ℃; 安装方式:Su...
SMCJ60CE3
SMCJ60CE3, 瞬态电压抑制器, TVS二极管, 参数: Single Bi-Dir 60V 1.5KW,品牌:Microsemi,封装:DO-214AB,参数:配置: Single; 方向类型: Bi-Directional; 峰值脉冲功率耗散: 1500 W; 最大峰值脉冲电流: 14 A; 最大反向漏电流:...
1N6060A
1N6060A, 瞬态电压抑制器, TVS二极管, 参数: Single Bi-Dir 64V 1.5KW,品牌:Microsemi,封装:DO-13,参数:配置: Single; 方向类型: Bi-Directional; 峰值脉冲功率耗散: 1500 W; 最大峰值脉冲电流: 14.6 A; 最大反向漏电流: 5 ...
SMBG15CA
SMBG15CA, 瞬态电压抑制器, TVS二极管, 参数: Single Bi-Dir 15V 600W,品牌:Vishay,封装:SMBG,参数:配置: Single; 方向类型: Bi-Directional; 峰值脉冲功率耗散: 600 W; 最大峰值脉冲电流: 24.6 A; 最大反向漏电流: 1 uA; 最...
SMAJ7.0CE3
SMAJ7.0CE3, 瞬态电压抑制器, TVS二极管, 参数: Single Bi-Dir 7V 500W,品牌:Microsemi,封装:DO-214AC,参数:配置: Single; 方向类型: Bi-Directional; 峰值脉冲功率耗散: 500 W; 最大峰值脉冲电流: 37.8 A; 最大反向漏电流:...
BZW06-15B
BZW06-15B, 瞬态电压抑制器, TVS二极管, 参数: Single Bi-Dir 15.3V 600W,品牌:ST,封装:DO-15,参数:配置: Single; 方向类型: Bi-Directional; 峰值脉冲功率耗散: 600 W; 最大峰值脉冲电流: 123 A; 最大反向漏电流: 1 uA; 最大...
PESD1LVDS,115
PESD1LVDS,115,ESD静电抑制器,二极管阵列,品牌:NXP,封装:XSON-10,参数:类型:Diode Arrays; 引脚数量:10; 方向类型:Uni-Directional; 每芯片单元数目:4; ESD保护电压:±8@Contact Disc kV; 最大工作电压:5.5 V; 最大漏电流:1 u...
SMAJ495A
SMAJ495A, 瞬态电压抑制器, TVS二极管, 参数: Single Uni-Dir 495V 400W,品牌:Bourns,封装:DO-214AC,参数:配置: Single; 方向类型: Uni-Directional; 峰值脉冲功率耗散: 400(Min) W; 最大反向漏电流: 5 uA; 最大反向关态电...
SMCJLCE11E3
SMCJLCE11E3, 瞬态电压抑制器, TVS二极管, 参数: Single Uni-Dir 11V 1.5KW,品牌:Microsemi,封装:DO-214AB,参数:配置: Single; 方向类型: Uni-Directional; 峰值脉冲功率耗散: 1500 W; 最大峰值脉冲电流: 74 A; 最大反向...
P4SMA51A-E3
P4SMA51A-E3, 瞬态电压抑制器, TVS二极管, 参数: Single Uni-Dir 43.6V 400W,品牌:Vishay,封装:SMA,参数:配置: Single; 方向类型: Uni-Directional; 峰值脉冲功率耗散: 400 W; 最大峰值脉冲电流: 5.7 A; 最大反向漏电流: 1 ...
CM1230-J2CP
CM1230-J2CP,ESD静电抑制器,二极管阵列,品牌:ON,封装:WLCSP-4,参数:类型:Diode Arrays; 引脚数量:4; 方向类型:Uni-Directional; 最大钳位电压:9.8(Typ) V; ESD保护电压:±8(Min)@Contact Disc/±15(Min)@HBM kV; 最...
SA20ARLG
SA20ARLG, 瞬态电压抑制器, TVS二极管, 参数: Single Uni-Dir 20V 500W,品牌:ON,封装:2Case 59AA-01,参数:配置: Single; 方向类型: Uni-Directional; 峰值脉冲功率耗散: 500 W; 最大峰值脉冲电流: 15.4 A; 最大反向漏电流: ...
ESD112B102ELSE6327XT
ESD112B102ELSE6327XTSA1, 瞬态电压抑制器, TVS二极管, 参数: Single Bi-Dir 5.3V,品牌:Infineon,封装:2TSSLP,参数:配置: Single; 方向类型: Bi-Directional; 最大峰值脉冲电流: 3 A; 最大反向漏电流: 0.05 uA; 最大钳...
EPS17
EPS17, 瞬态电压抑制器, TVS二极管, 参数: Single Bi-Dir 17V 1KW,品牌:Microsemi,封装:2Case A,参数:配置: Single; 方向类型: Bi-Directional; 峰值脉冲功率耗散: 1000 W; 最大峰值脉冲电流: 30.8 A; 最大反向漏电流: 1 uA...
SMCJ6048
SMCJ6048, 瞬态电压抑制器, TVS二极管, 参数: Single Bi-Dir 19V 1.5KW,品牌:Microsemi,封装:DO-214AB,参数:配置: Single; 方向类型: Bi-Directional; 峰值脉冲功率耗散: 1500 W; 最大峰值脉冲电流: 43 A; 最大反向漏电流: ...
5KP51E3
5KP51E3, 瞬态电压抑制器, TVS二极管, 参数: Single Uni-Dir 51V 5KW,品牌:Microsemi,封装:2Case 5A,参数:配置: Single; 方向类型: Uni-Directional; 峰值脉冲功率耗散: 5000 W; 最大峰值脉冲电流: 55 A; 最大反向漏电流: 1...