SMBG12CAHE3
SMBG12CAHE3, 瞬态电压抑制器, TVS二极管, 参数: Single Bi-Dir 12V 600W,品牌:Vishay,封装:SMBG,参数:配置: Single; 方向类型: Bi-Directional; 峰值脉冲功率耗散: 600 W; 最大峰值脉冲电流: 30.2 A; 最大反向漏电流: 5 uA...
SMBG12A-E3
SMBG12A-E3, 瞬态电压抑制器, TVS二极管, 参数: Single Uni-Dir 12V 600W,品牌:Vishay,封装:SMBG,参数:配置: Single; 方向类型: Uni-Directional; 峰值脉冲功率耗散: 600 W; 最大峰值脉冲电流: 30.2 A; 最大反向漏电流: 5 u...
SMCJ75A-13-F
SMCJ75A-13-F, 瞬态电压抑制器, TVS二极管, 参数: Single Uni-Dir 75V 1.5KW,品牌:Diodes,封装:SMC,参数:配置: Single; 方向类型: Uni-Directional; 峰值脉冲功率耗散: 1500 W; 最大峰值脉冲电流: 12.4 A; 最大反向漏电流: ...
1N6109
1N6109, 瞬态电压抑制器, TVS二极管, 参数: Single Bi-Dir 9.9V 500W,品牌:Microsemi,封装:2Case E,参数:配置: Single; 方向类型: Bi-Directional; 峰值脉冲功率耗散: 500 W; 最大峰值脉冲电流: 27.5 A; 最大反向漏电流: 1 ...
DF2B12M1CT(TPL3)
DF2B12M1CT(TPL3),ESD静电抑制器,二极管阵列,品牌:Toshiba,封装:CST-2,参数:类型:Diode Arrays; 配置:Single; 引脚数量:2; 方向类型:Bi-Directional; 最大钳位电压:18(Typ) V; 每芯片单元数目:1; ESD保护电压:±8@Contact ...
5KP8.5E3
5KP8.5E3, 瞬态电压抑制器, TVS二极管, 参数: Single Uni-Dir 8.5V 5KW,品牌:Microsemi,封装:2Case 5A,参数:配置: Single; 方向类型: Uni-Directional; 峰值脉冲功率耗散: 5000 W; 最大峰值脉冲电流: 314 A; 最大反向漏电流...
1N6050
1N6050, 瞬态电压抑制器, TVS二极管, 参数: Single Bi-Dir 24V 1.5KW,品牌:Microsemi,封装:DO-13,参数:配置: Single; 方向类型: Bi-Directional; 峰值脉冲功率耗散: 1500 W; 最大峰值脉冲电流: 34.5 A; 最大反向漏电流: 5 u...
5KP5.0E3
5KP5.0E3, 瞬态电压抑制器, TVS二极管, 参数: Single Uni-Dir 5V 5KW,品牌:Microsemi,封装:2Case R-6,参数:配置: Single; 方向类型: Uni-Directional; 峰值脉冲功率耗散: 5000 W; 最大峰值脉冲电流: 520 A; 最大反向漏电流:...
SMCJ8.0CAHE3
SMCJ8.0CAHE3, 瞬态电压抑制器, TVS二极管, 参数: Single Bi-Dir 8V 1.5KW,品牌:Vishay,封装:SMC,参数:配置: Single; 方向类型: Bi-Directional; 峰值脉冲功率耗散: 1500 W; 最大峰值脉冲电流: 110.3 A; 最大反向漏电流: 10...
CG0402MLU-3.3G
CG0402MLU-3.3G,ESD静电抑制器,品牌:Bourns,封装:2-Pin Case 0402,参数:引脚数量:2; 最大钳位电压:25(Typ) V; 每芯片单元数目:1; ESD保护电压:±15(Min)@Air Gap/±8(Min)@Contact Disc kV; 最大工作电压:3.3(Typ) V...
TPC39AHM3
TPC39AHM3, 瞬态电压抑制器, TVS二极管, 参数: Single Uni-Dir 33.3V 1.5KW,品牌:Vishay,封装:3SMPC,参数:配置: Single; 方向类型: Uni-Directional; 峰值脉冲功率耗散: 1500 W; 最大峰值脉冲电流: 27.8 A; 最大反向漏电流:...
SMAJ150CE3
SMAJ150CE3, 瞬态电压抑制器, TVS二极管, 参数: Single Bi-Dir 150V 500W,品牌:Microsemi,封装:DO-214AC,参数:配置: Single; 方向类型: Bi-Directional; 峰值脉冲功率耗散: 500 W; 最大峰值脉冲电流: 1.9 A; 最大反向漏电流...
SMBJ440E3
SMBJ440E3, 瞬态电压抑制器, TVS二极管, 参数: Single Uni-Dir 600W,品牌:Microsemi,封装:DO-214AA,参数:配置: Single; 方向类型: Uni-Directional; 峰值脉冲功率耗散: 600 W; 工作温度: -65 to 150 ℃; 安装方式: Su...
SMM4F6.5A-TR
SMM4F6.5A-TR, 瞬态电压抑制器, TVS二极管, 参数: Single Uni-Dir 6.5V 400W,品牌:ST,封装:DO-222AA,参数:配置: Single; 方向类型: Uni-Directional; 峰值脉冲功率耗散: 400 W; 最大峰值脉冲电流: 160 A; 最大反向漏电流: 1...
SM15T12A-E3
SM15T12A-E3, 瞬态电压抑制器, TVS二极管, 参数: Single Uni-Dir 10.2V 1.5KW,品牌:Vishay,封装:SMC,参数:配置: Single; 方向类型: Uni-Directional; 峰值脉冲功率耗散: 1500 W; 最大峰值脉冲电流: 461 A; 最大反向漏电流: ...
SMBJ40CE3
SMBJ40CE3, 瞬态电压抑制器, TVS二极管, 参数: Single Bi-Dir 40V 600W,品牌:Microsemi,封装:DO-214AA,参数:配置: Single; 方向类型: Bi-Directional; 峰值脉冲功率耗散: 600 W; 最大峰值脉冲电流: 8.4 A; 最大反向漏电流: ...
SMBJ51E3
SMBJ51E3, 瞬态电压抑制器, TVS二极管, 参数: Single Uni-Dir 51V 600W,品牌:Microsemi,封装:DO-214AA,参数:配置: Single; 方向类型: Uni-Directional; 峰值脉冲功率耗散: 600 W; 最大峰值脉冲电流: 6.6 A; 最大反向漏电流:...
1.5KE15CA-T
1.5KE15CA-T, 瞬态电压抑制器, TVS二极管, 参数: Single Bi-Dir 12.8V 1.5KW,品牌:Diodes,封装:DO-201,参数:配置: Single; 方向类型: Bi-Directional; 峰值脉冲功率耗散: 1500 W; 最大峰值脉冲电流: 71 A; 最大反向漏电流: ...
SMC3K60CA-M3
SMC3K60CA-M3, 瞬态电压抑制器, TVS二极管, 参数: Single Bi-Directional 60V 3KW,品牌:Vishay,封装:DO-214AB,参数:配置: Single; 方向类型: Bi-Directional; 峰值脉冲功率耗散: 3000 W; 最大峰值脉冲电流: 31 A; 最大...
BZW06-376BRL
BZW06-376BRL, 瞬态电压抑制器, TVS二极管, 参数: Single Bi-Dir 376V 600W,品牌:ST,封装:DO-15,参数:配置: Single; 方向类型: Bi-Directional; 峰值脉冲功率耗散: 600 W; 最大峰值脉冲电流: 5.7 A; 最大反向漏电流: 1 uA; ...