MAX3205EABL+,ESD静电抑制器,二极管阵列,品牌:Maxim,封装:UCSP-9,参数:类型:Diode Arrays; 引脚数量:9; 方向类型:Uni-Directional; 最大钳位电压:105.5 V; 每芯片单元数目:6; ESD保护电压:±15@Air Gap/±8@Contact Disc/...
RCLAMP0504F.TCT,ESD静电抑制器,二极管阵列,品牌:Semtech,封装:SC-70-6,参数:类型:Diode Arrays; 引脚数量:6; 最大钳位电压:25 V; 每芯片单元数目:4; ESD保护电压:15@Air Gap/8@Contact Disc kV; 最大工作电压:5 V; 最大漏电流...
TPD4S009DBVRG4,ESD静电抑制器,二极管阵列,品牌:TI,封装:SOT-23-6,参数:类型:Diode Arrays; 引脚数量:6; 方向类型:Uni-Directional; 每芯片单元数目:4; ESD保护电压:±9@Air Gap/±8@Contact Disc kV; 最大工作电压:5.5 V...
SMCG6.0CA-E3, 瞬态电压抑制器, TVS二极管, 参数: Single Bi-Dir 6V 1.5KW,品牌:Vishay,封装:SMCG,参数:配置: Single; 方向类型: Bi-Directional; 峰值脉冲功率耗散: 1500 W; 最大峰值脉冲电流: 145.6 A; 最大反向漏电流: 2...
SMCJ26CAE3, 瞬态电压抑制器, TVS二极管, 参数: Single Bi-Dir 26V 1.5KW,品牌:Microsemi,封装:DO-214AB,参数:配置: Single; 方向类型: Bi-Directional; 峰值脉冲功率耗散: 1500 W; 最大峰值脉冲电流: 35.6 A; 最大反向漏...
SMCJ6059AE3, 瞬态电压抑制器, TVS二极管, 参数: Single Bi-Dir 58V 1.5KW,品牌:Microsemi,封装:DO-214AB,参数:配置: Single; 方向类型: Bi-Directional; 峰值脉冲功率耗散: 1500 W; 最大峰值脉冲电流: 16.3 A; 最大反向...
SMAJ64CE3, 瞬态电压抑制器, TVS二极管, 参数: Single Bi-Dir 64V 500W,品牌:Microsemi,封装:DO-214AC,参数:配置: Single; 方向类型: Bi-Directional; 峰值脉冲功率耗散: 500 W; 最大峰值脉冲电流: 4.4 A; 最大反向漏电流: ...
SMCJ64A-13-F, 瞬态电压抑制器, TVS二极管, 参数: Single Uni-Dir 64V 1.5KW,品牌:Diodes,封装:SMC,参数:配置: Single; 方向类型: Uni-Directional; 峰值脉冲功率耗散: 1500 W; 最大峰值脉冲电流: 14.6 A; 最大反向漏电流: ...
P6KE220A-B, 瞬态电压抑制器, TVS二极管, 参数: Single Uni-Dir 185V 600W,品牌:Diodes,封装:DO-15,参数:配置: Single; 方向类型: Uni-Directional; 峰值脉冲功率耗散: 600 W; 最大峰值脉冲电流: 1.83 A; 最大反向漏电流: 5...
TGL41-13A-E3, 瞬态电压抑制器, TVS二极管, 参数: Single Uni-Dir 11.1V 400W,品牌:Vishay,封装:DO-213AB,参数:配置: Single; 方向类型: Uni-Directional; 峰值脉冲功率耗散: 400 W; 最大峰值脉冲电流: 22 A; 最大反向漏电...
SMCJ16CAE3, 瞬态电压抑制器, TVS二极管, 参数: Single Bi-Dir 16V 1.5KW,品牌:Microsemi,封装:DO-214AB,参数:配置: Single; 方向类型: Bi-Directional; 峰值脉冲功率耗散: 1500 W; 最大峰值脉冲电流: 57.7 A; 最大反向漏...
1N6114, 瞬态电压抑制器, TVS二极管, 参数: Single Bi-Dir 16.7V 500W,品牌:Microsemi,封装:2Case E,参数:配置: Single; 方向类型: Bi-Directional; 峰值脉冲功率耗散: 500 W; 最大峰值脉冲电流: 16.4 A; 最大反向漏电流: 1...
SMBG13A-E3, 瞬态电压抑制器, TVS二极管, 参数: Single Uni-Dir 13V 600W,品牌:Vishay,封装:SMBG,参数:配置: Single; 方向类型: Uni-Directional; 峰值脉冲功率耗散: 600 W; 最大峰值脉冲电流: 27.9 A; 最大反向漏电流: 1 u...
SMBJ70AHE3, 瞬态电压抑制器, TVS二极管, 参数: Single Uni-Dir 70V 600W,品牌:Vishay,封装:SMB,参数:配置: Single; 方向类型: Uni-Directional; 峰值脉冲功率耗散: 600 W; 最大峰值脉冲电流: 5.3 A; 最大反向漏电流: 1 uA;...
1N6475US, 瞬态电压抑制器, TVS二极管, 参数: Single Uni-Dir 40.3V 1.5KW,品牌:Microsemi,封装:2G-MELF,参数:配置: Single; 方向类型: Uni-Directional; 峰值脉冲功率耗散: 1500 W; 最大峰值脉冲电流: 135 A; 最大反向漏...
SA16CAHE3, 瞬态电压抑制器, TVS二极管, 参数: Single Bi-Dir 16V 500W,品牌:Vishay,封装:DO-15,参数:配置: Single; 方向类型: Bi-Directional; 峰值脉冲功率耗散: 500 W; 最大峰值脉冲电流: 19.2 A; 最大反向漏电流: 1 uA;...
SMCJ28A-TR, 瞬态电压抑制器, TVS二极管, 参数: Single Uni-Dir 28V 1.5KW,品牌:ST,封装:DO-214AB,参数:配置: Single; 方向类型: Uni-Directional; 峰值脉冲功率耗散: 1500 W; 最大峰值脉冲电流: 169 A; 最大反向漏电流: 0....
PESD1CAN-UX,ESD静电抑制器,二极管阵列,品牌:NXP,封装:SOT-323-3,参数:类型:Diode Arrays; 配置:Dual; 引脚数量:3; 方向类型:Bi-Directional; 最大钳位电压:50 V; 每芯片单元数目:2; ESD保护电压:23@Contact Disc|10@HBM|...
SMCJ85CA-M3, 瞬态电压抑制器, TVS二极管, 参数: Single Bi-Dir 85V 1.5KW,品牌:Vishay,封装:SMC,参数:配置: Single; 方向类型: Bi-Directional; 峰值脉冲功率耗散: 1500 W; 最大峰值脉冲电流: 10.9 A; 最大反向漏电流: 1 u...
P4KE27CAHE3, 瞬态电压抑制器, TVS二极管, 参数: Single Bi-Dir 23.1V 400W,品牌:Vishay,封装:DO-204AL,参数:配置: Single; 方向类型: Bi-Directional; 峰值脉冲功率耗散: 400 W; 最大峰值脉冲电流: 10.7 A; 最大反向漏电流...
产品展示
Product show