LXES1TBCC2-004,ESD静电抑制器,二极管阵列,品牌:Murata,封装:QFN-4,参数:类型:Diode Arrays; 配置:Dual; 引脚数量:4; 方向类型:Uni-Directional; 每芯片单元数目:2; ESD保护电压:±15@Air Gap|±12@Contact Disc kV; ...
SMAJ22AE3, 瞬态电压抑制器, TVS二极管, 参数: Single Uni-Dir 22V 500W,品牌:Microsemi,封装:DO-214AC,参数:配置: Single; 方向类型: Uni-Directional; 峰值脉冲功率耗散: 500 W; 最大峰值脉冲电流: 14.1 A; 最大反向漏电...
SMBJ150E3, 瞬态电压抑制器, TVS二极管, 参数: Single Uni-Dir 150V 600W,品牌:Microsemi,封装:DO-214AA,参数:配置: Single; 方向类型: Uni-Directional; 峰值脉冲功率耗散: 600 W; 最大峰值脉冲电流: 2.2 A; 最大反向漏电...
SMCJ6070A, 瞬态电压抑制器, TVS二极管, 参数: Single Bi-Dir 160V 1.5KW,品牌:Microsemi,封装:DO-214AB,参数:配置: Single; 方向类型: Bi-Directional; 峰值脉冲功率耗散: 1500 W; 最大峰值脉冲电流: 5.4 A; 最大反向漏电...
SMAJ7.0CE3, 瞬态电压抑制器, TVS二极管, 参数: Single Bi-Dir 7V 500W,品牌:Microsemi,封装:DO-214AC,参数:配置: Single; 方向类型: Bi-Directional; 峰值脉冲功率耗散: 500 W; 最大峰值脉冲电流: 37.8 A; 最大反向漏电流:...
SMLJ54CAE3, 瞬态电压抑制器, TVS二极管, 参数: Single Bi-Dir 54V 3KW,品牌:Microsemi,封装:DO-214AB,参数:配置: Single; 方向类型: Bi-Directional; 峰值脉冲功率耗散: 3000 W; 最大峰值脉冲电流: 34.4 A; 最大反向漏电流...
SMCJ160A, 瞬态电压抑制器, TVS二极管, 参数: Single Uni-Dir 160V 1.5KW,品牌:Fairchild,封装:DO-214AB,参数:配置: Single; 方向类型: Uni-Directional; 峰值脉冲功率耗散: 1500 W; 最大峰值脉冲电流: 5.8 A; 最大反向漏...
SMAJ160E3, 瞬态电压抑制器, TVS二极管, 参数: Single Uni-Dir 160V 500W,品牌:Microsemi,封装:DO-214AC,参数:配置: Single; 方向类型: Uni-Directional; 峰值脉冲功率耗散: 500 W; 最大峰值脉冲电流: 1.7 A; 最大反向漏电...
1SMC36AT3G, 瞬态电压抑制器, TVS二极管, 参数: Single Uni-Dir 36V 1.5KW,品牌:ON,封装:SMC,参数:配置: Single; 方向类型: Uni-Directional; 峰值脉冲功率耗散: 1500 W; 最大峰值脉冲电流: 25.8 A; 最大反向漏电流: 5 uA; ...
SM16LC12C, 瞬态电压抑制器, TVS二极管, 参数: Octal Bi-Dir 12V 300W,品牌:Microsemi,封装:SOIC-16,参数:配置: Octal; 方向类型: Bi-Directional; 峰值脉冲功率耗散: 300 W; 最大峰值脉冲电流: 5 A; 最大反向漏电流: 1 uA;...
SMBJ13CA, 瞬态电压抑制器, TVS二极管, 参数: Single Bi-Dir 13V 600W,品牌:Fairchild,封装:DO-214AA,参数:配置: Single; 方向类型: Bi-Directional; 峰值脉冲功率耗散: 600 W; 最大峰值脉冲电流: 27.9 A; 最大反向漏电流: ...
SMCG120CAHE3, 瞬态电压抑制器, TVS二极管, 参数: Single Bi-Dir 120V 1.5KW,品牌:Vishay,封装:SMCG,参数:配置: Single; 方向类型: Bi-Directional; 峰值脉冲功率耗散: 1500 W; 最大峰值脉冲电流: 7.8 A; 最大反向漏电流: 1...
LC48, 瞬态电压抑制器, TVS二极管, 参数: Single Uni-Dir 48V 1.5KW,品牌:Microsemi,封装:DO-13,参数:配置: Single; 方向类型: Uni-Directional; 峰值脉冲功率耗散: 1500 W; 最大峰值脉冲电流: 17.5 A; 最大反向漏电流: 10 ...
SMCJ12E3, 瞬态电压抑制器, TVS二极管, 参数: Single Uni-Dir 12V 1.5KW,品牌:Microsemi,封装:DO-214AB,参数:配置: Single; 方向类型: Uni-Directional; 峰值脉冲功率耗散: 1500 W; 最大峰值脉冲电流: 68.2 A; 最大反向漏...
CD143A-SR12,ESD静电抑制器,二极管阵列,品牌:Bourns,封装:SOT-143-4,参数:类型:Diode Arrays; 引脚数量:4; 方向类型:Uni-Directional; 最大钳位电压:30 V; 每芯片单元数目:2; ESD保护电压:±15@Air Gap/±8@Contact Disc ...
TPD6V8LP-7, 瞬态电压抑制器, TVS二极管, 参数: Single Uni-Dir 5V 85W,品牌:Diodes,封装:DFN-2,参数:配置: Single; 方向类型: Uni-Directional; 峰值脉冲功率耗散: 85 W; 最大峰值脉冲电流: 4.5 A; 最大反向漏电流: 0.5 uA...
SMB8J9.0CAHE3, 瞬态电压抑制器, TVS二极管, 参数: Single Bi-Dir 9V 800W,品牌:Vishay,封装:SMB,参数:配置: Single; 方向类型: Bi-Directional; 峰值脉冲功率耗散: 800 W; 最大峰值脉冲电流: 51.9 A; 最大反向漏电流: 20 u...
SMBJ40AE3, 瞬态电压抑制器, TVS二极管, 参数: Single Uni-Dir 40V 600W,品牌:Microsemi,封装:DO-214AA,参数:配置: Single; 方向类型: Uni-Directional; 峰值脉冲功率耗散: 600 W; 最大峰值脉冲电流: 9.3 A; 最大反向漏电流...
1N6372, 瞬态电压抑制器, TVS二极管, 参数: Single Bi-Dir 45V 1.5KW,品牌:Microsemi,封装:DO-13,参数:配置: Single; 方向类型: Bi-Directional; 峰值脉冲功率耗散: 1500 W; 最大峰值脉冲电流: 19 A; 最大反向漏电流: 2 uA;...
SMCJ6055AE3, 瞬态电压抑制器, TVS二极管, 参数: Single Bi-Dir 40V 1.5KW,品牌:Microsemi,封装:DO-214AB,参数:配置: Single; 方向类型: Bi-Directional; 峰值脉冲功率耗散: 1500 W; 最大峰值脉冲电流: 23.2 A; 最大反向...
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