1N6103AUS, 瞬态电压抑制器, TVS二极管, 参数: Single Bi-Dir 5.7V 500W,品牌:Microsemi,封装:E-MELF-2,参数:配置: Single; 方向类型: Bi-Directional; 峰值脉冲功率耗散: 500 W; 最大峰值脉冲电流: 44.6 A; 最大反向漏电流...
TMPG06-9.1AHE3, 瞬态电压抑制器, TVS二极管, 参数: Single Uni-Dir 7.78V 400W,品牌:Vishay,封装:2Case MPG06,参数:配置: Single; 方向类型: Uni-Directional; 峰值脉冲功率耗散: 400 W; 最大峰值脉冲电流: 22.4 A;...
DS9503P+,稳压型ES抑制器,品牌:Maxim,封装:TSOC-6,参数:类型:Zener; 引脚数量:6; 方向类型:Uni-Directional; 每芯片单元数目:1; ESD保护电压:27(Min) kV; 最大漏电流:0.1 uA; 最低工作温度:-40 ℃; 最大工作温度:85 ℃; 安装方式:Sur...
5KP16A-E3, 瞬态电压抑制器, TVS二极管, 参数: Single Uni-Dir 16V 5KW,品牌:Vishay,封装:2Case P600,参数:配置: Single; 方向类型: Uni-Directional; 峰值脉冲功率耗散: 5000 W; 最大峰值脉冲电流: 192 A; 最大反向漏电流:...
5KP11AHE3, 瞬态电压抑制器, TVS二极管, 参数: Single Uni-Dir 11V 5KW,品牌:Vishay,封装:2Case P600,参数:配置: Single; 方向类型: Uni-Directional; 峰值脉冲功率耗散: 5000 W; 最大峰值脉冲电流: 275 A; 最大反向漏电流:...
DFLT11A-7, 瞬态电压抑制器, TVS二极管, 参数: Single Uni-Dir 11V 1.125KW,品牌:Diodes,封装:2PowerDI 123,参数:配置: Single; 方向类型: Uni-Directional; 峰值脉冲功率耗散: 1125 W; 最大峰值脉冲电流: 12.4 A; 最...
P6KE20CA-T, 瞬态电压抑制器, TVS二极管, 参数: Single Bi-Dir 17.1V 600W,品牌:Diodes,封装:DO-15,参数:配置: Single; 方向类型: Bi-Directional; 峰值脉冲功率耗散: 600 W; 最大峰值脉冲电流: 22 A; 最大反向漏电流: 5 uA...
P6SMB51AT3G, 瞬态电压抑制器, TVS二极管, 参数: Single Uni-Dir 43.6V 600W,品牌:ON,封装:SMB,参数:配置: Single; 方向类型: Uni-Directional; 峰值脉冲功率耗散: 600 W; 最大峰值脉冲电流: 8.6 A; 最大反向漏电流: 5 uA; ...
BZW04-33, 瞬态电压抑制器, TVS二极管, 参数: Single Uni-Dir 33.3V 400W,品牌:ST,封装:DO-15,参数:配置: Single; 方向类型: Uni-Directional; 峰值脉冲功率耗散: 400 W; 最大峰值脉冲电流: 33 A; 最大反向漏电流: 1 uA; 最大...
P4SMA39AHE3, 瞬态电压抑制器, TVS二极管, 参数: Single Uni-Dir 33.3V 400W,品牌:Vishay,封装:SMA,参数:配置: Single; 方向类型: Uni-Directional; 峰值脉冲功率耗散: 400 W; 最大峰值脉冲电流: 7.4 A; 最大反向漏电流: 1 ...
LC04-12.TBT, 瞬态电压抑制器, TVS二极管, 参数: Quad Uni-Dir 12V 600W,品牌:Semtech,封装:SOIC-16,参数:配置: Quad; 方向类型: Uni-Directional; 峰值脉冲功率耗散: 600 W; 最大峰值脉冲电流: 100 A; 最大反向漏电流: 2 u...
SMA5J9.0CA-E3, 瞬态电压抑制器, TVS二极管, 参数: Single Bi-Dir 9V 500W,品牌:Vishay,封装:SMA,参数:配置: Single; 方向类型: Bi-Directional; 峰值脉冲功率耗散: 500 W; 最大峰值脉冲电流: 32.5 A; 最大反向漏电流: 10 u...
RCLAMP0544T.TCT,ESD静电抑制器,二极管阵列,品牌:Semtech,封装:SMD-9,参数:类型:Diode Arrays; 引脚数量:9; 方向类型:Uni-Directional; 最大钳位电压:15 V; 每芯片单元数目:4; ESD保护电压:±18@Air Gap/±12@Contact Dis...
SMBJ150AE3, 瞬态电压抑制器, TVS二极管, 参数: Single Uni-Dir 150V 600W,品牌:Microsemi,封装:DO-214AA,参数:配置: Single; 方向类型: Uni-Directional; 峰值脉冲功率耗散: 600 W; 最大峰值脉冲电流: 2.5 A; 最大反向漏...
SMCJ5651E3, 瞬态电压抑制器, TVS二极管, 参数: Single Uni-Dir 45.4V 1.5KW,品牌:Microsemi,封装:DO-214AB,参数:配置: Single; 方向类型: Uni-Directional; 峰值脉冲功率耗散: 1500 W; 最大峰值脉冲电流: 18.6 A; 最...
BZW04-11-E3, 瞬态电压抑制器, TVS二极管, 参数: Single Uni-Dir 11.1V 400W,品牌:Vishay,封装:DO-204AL,参数:配置: Single; 方向类型: Uni-Directional; 峰值脉冲功率耗散: 400 W; 最大峰值脉冲电流: 22 A; 最大反向漏电流...
P4KE130CAHE3, 瞬态电压抑制器, TVS二极管, 参数: Single Bi-Dir 111V 400W,品牌:Vishay,封装:DO-204AL,参数:配置: Single; 方向类型: Bi-Directional; 峰值脉冲功率耗散: 400 W; 最大峰值脉冲电流: 2.2 A; 最大反向漏电流:...
SMLJ18E3, 瞬态电压抑制器, TVS二极管, 参数: Single Uni-Dir 18V 3KW,品牌:Microsemi,封装:DO-214AB,参数:配置: Single; 方向类型: Uni-Directional; 峰值脉冲功率耗散: 3000 W; 最大峰值脉冲电流: 93.2 A; 最大反向漏电流...
1N6361, 瞬态电压抑制器, TVS二极管, 参数: Single Uni-Dir 18V 1.5KW,品牌:Microsemi,封装:DO-13,参数:配置: Single; 方向类型: Uni-Directional; 峰值脉冲功率耗散: 1500 W; 最大峰值脉冲电流: 50 A; 最大反向漏电流: 2 u...
P6KE12ARL, 瞬态电压抑制器, TVS二极管, 参数: Single Uni-Dir 10V 600W,品牌:ST,封装:DO-15,参数:配置: Single; 方向类型: Uni-Directional; 峰值脉冲功率耗散: 600 W; 最大峰值脉冲电流: 184 A; 最大反向漏电流: 500 uA; ...
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