P6SMB9.1CA-E3, 瞬态电压抑制器, TVS二极管, 参数: Single Bi-Dir 7.78V 600W,品牌:Vishay,封装:SMB,参数:配置: Single; 方向类型: Bi-Directional; 峰值脉冲功率耗散: 600 W; 最大峰值脉冲电流: 44.8 A; 最大反向漏电流: 1...
P6SMB18CAT3G, 瞬态电压抑制器, TVS二极管, 参数: Single Bi-Dir 15.3V 600W,品牌:ON,封装:SMB,参数:配置: Single; 方向类型: Bi-Directional; 峰值脉冲功率耗散: 600 W; 最大峰值脉冲电流: 24 A; 最大反向漏电流: 5 uA; 最大...
P4KA15AHE3, 瞬态电压抑制器, TVS二极管, 参数: Single Uni-Dir 12.8V 400W,品牌:Vishay,封装:DO-204AL,参数:配置: Single; 方向类型: Uni-Directional; 峰值脉冲功率耗散: 400 W; 最大峰值脉冲电流: 18.9 A; 最大反向漏电...
SMBJ170A, 瞬态电压抑制器, TVS二极管, 参数: Single Uni-Dir 170V 600W,品牌:Fairchild,封装:DO-214AA,参数:配置: Single; 方向类型: Uni-Directional; 峰值脉冲功率耗散: 600 W; 最大峰值脉冲电流: 2.2 A; 最大反向漏电流...
1.5KE51A-T, 瞬态电压抑制器, TVS二极管, 参数: Single Uni-Dir 43.6V 1.5KW,品牌:Diodes,封装:DO-201,参数:配置: Single; 方向类型: Uni-Directional; 峰值脉冲功率耗散: 1500 W; 最大峰值脉冲电流: 21.4 A; 最大反向漏电...
CM1263-02SE,ESD静电抑制器,二极管阵列,品牌:ON,封装:SOT-553-5,参数:类型:Diode Arrays; 引脚数量:5; 方向类型:Uni-Directional; 最大钳位电压:9.96(Typ) V; 每芯片单元数目:2; ESD保护电压:±15@Air Gap/±8@Contact Di...
CD214A-T15ALF, 瞬态电压抑制器, TVS二极管, 参数: Single Uni-Dir 15V 400W,品牌:Bourns,封装:SMA,参数:配置: Single; 方向类型: Uni-Directional; 峰值脉冲功率耗散: 400(Min) W; 最大峰值脉冲电流: 16.4 A; 最大反向漏...
1N6375HE3, 瞬态电压抑制器, TVS二极管, 参数: Single Uni-Dir 10V 1.5KW,品牌:Vishay,封装:2Case,参数:配置: Single; 方向类型: Uni-Directional; 峰值脉冲功率耗散: 1500 W; 最大峰值脉冲电流: 90 A; 最大反向漏电流: 2 u...
SMAJ26A-13-F, 瞬态电压抑制器, TVS二极管, 参数: Single Uni-Dir 26V 400W,品牌:Diodes,封装:SMA,参数:配置: Single; 方向类型: Uni-Directional; 峰值脉冲功率耗散: 400 W; 最大峰值脉冲电流: 9.5 A; 最大反向漏电流: 5 u...
SMBG13CA-E3, 瞬态电压抑制器, TVS二极管, 参数: Single Bi-Dir 13V 600W,品牌:Vishay,封装:SMBG,参数:配置: Single; 方向类型: Bi-Directional; 峰值脉冲功率耗散: 600 W; 最大峰值脉冲电流: 27.9 A; 最大反向漏电流: 1 uA...
SMBJ54CE3, 瞬态电压抑制器, TVS二极管, 参数: Single Bi-Dir 54V 600W,品牌:Microsemi,封装:DO-214AA,参数:配置: Single; 方向类型: Bi-Directional; 峰值脉冲功率耗散: 600 W; 最大峰值脉冲电流: 6.2 A; 最大反向漏电流: ...
1.5KE200CA-E3, 瞬态电压抑制器, TVS二极管, 参数: Single Bi-Dir 171V 1.5KW,品牌:Vishay,封装:2Case,参数:配置: Single; 方向类型: Bi-Directional; 峰值脉冲功率耗散: 1500 W; 最大峰值脉冲电流: 5.5 A; 最大反向漏电流:...
5KP64AE3, 瞬态电压抑制器, TVS二极管, 参数: Single Uni-Dir 64V 5KW,品牌:Microsemi,封装:2Case 5A,参数:配置: Single; 方向类型: Uni-Directional; 峰值脉冲功率耗散: 5000 W; 最大峰值脉冲电流: 49 A; 最大反向漏电流: ...
SAC45-E3, 瞬态电压抑制器, TVS二极管, 参数: Single Uni-Dir 45V 500W,品牌:Vishay,封装:DO-15,参数:配置: Single; 方向类型: Uni-Directional; 峰值脉冲功率耗散: 500 W; 最大峰值脉冲电流: 6.8 A; 最大反向漏电流: 5 uA;...
SMCJ12CA-13-F, 瞬态电压抑制器, TVS二极管, 参数: Single Bi-Dir 12V 1.5KW,品牌:Diodes,封装:SMC,参数:配置: Single; 方向类型: Bi-Directional; 峰值脉冲功率耗散: 1500 W; 最大峰值脉冲电流: 75.3 A; 最大反向漏电流: 5...
5KP10AE3, 瞬态电压抑制器, TVS二极管, 参数: Single Uni-Dir 10V 5KW,品牌:Microsemi,封装:2Case 5A,参数:配置: Single; 方向类型: Uni-Directional; 峰值脉冲功率耗散: 5000 W; 最大峰值脉冲电流: 294 A; 最大反向漏电流:...
SMCJ6046, 瞬态电压抑制器, TVS二极管, 参数: Single Bi-Dir 16V 1.5KW,品牌:Microsemi,封装:DO-214AB,参数:配置: Single; 方向类型: Bi-Directional; 峰值脉冲功率耗散: 1500 W; 最大峰值脉冲电流: 51.5 A; 最大反向漏电流...
SM15T68CA, 瞬态电压抑制器, TVS二极管, 参数: Single Bi-Dir 58.1V 1.5KW,品牌:ST,封装:SMC,参数:配置: Single; 方向类型: Bi-Directional; 峰值脉冲功率耗散: 1500 W; 最大峰值脉冲电流: 83 A; 最大反向漏电流: 0.2 uA; 最...
SMDA12C-7E3, 瞬态电压抑制器, TVS二极管, 参数: Array 7 Bi-Dir 12V 300W,品牌:Microsemi,封装:SOIC-8,参数:配置: Array 7; 方向类型: Bi-Directional; 峰值脉冲功率耗散: 300 W; 最大峰值脉冲电流: 5 A; 最大反向漏电流: ...
5KP10CAE3, 瞬态电压抑制器, TVS二极管, 参数: Single Bi-Dir 10V 5KW,品牌:Microsemi,封装:2Case 5A,参数:配置: Single; 方向类型: Bi-Directional; 峰值脉冲功率耗散: 5000 W; 最大峰值脉冲电流: 294 A; 最大反向漏电流: ...
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