P4KA33HE3, 瞬态电压抑制器, TVS二极管, 参数: Single Uni-Dir 26.8V 400W,品牌:Vishay,封装:DO-204AL,参数:配置: Single; 方向类型: Uni-Directional; 峰值脉冲功率耗散: 400 W; 最大峰值脉冲电流: 8.4 A; 最大反向漏电流:...
BZW50-150, 瞬态电压抑制器, TVS二极管, 参数: Single Uni-Dir 150V 5KW,品牌:ST,封装:2Case R-6,参数:配置: Single; 方向类型: Uni-Directional; 峰值脉冲功率耗散: 5000 W; 最大峰值脉冲电流: 175 A; 最大反向漏电流: 5 u...
P6SMB82CA-E3, 瞬态电压抑制器, TVS二极管, 参数: Single Bi-Dir 70.1V 600W,品牌:Vishay,封装:SMB,参数:配置: Single; 方向类型: Bi-Directional; 峰值脉冲功率耗散: 600 W; 最大峰值脉冲电流: 5.3 A; 最大反向漏电流: 1 u...
SMCG85CAHE3, 瞬态电压抑制器, TVS二极管, 参数: Single Bi-Dir 85V 1.5KW,品牌:Vishay,封装:SMCG,参数:配置: Single; 方向类型: Bi-Directional; 峰值脉冲功率耗散: 1500 W; 最大峰值脉冲电流: 10.9 A; 最大反向漏电流: 1 ...
SM16LC12, 瞬态电压抑制器, TVS二极管, 参数: Octal Uni-Dir 12V 500W,品牌:Microsemi,封装:SOIC-16,参数:配置: Octal; 方向类型: Uni-Directional; 峰值脉冲功率耗散: 500 W; 最大峰值脉冲电流: 5 A; 最大反向漏电流: 1 uA...
BZW50-39B, 瞬态电压抑制器, TVS二极管, 参数: Single Bi-Dir 39V 5KW,品牌:ST,封装:2Case R-6,参数:配置: Single; 方向类型: Bi-Directional; 峰值脉冲功率耗散: 5000 W; 最大峰值脉冲电流: 667 A; 最大反向漏电流: 5 uA; ...
CD214C-T150CALF, 瞬态电压抑制器, TVS二极管, 参数: Single Bi-Dir 150V 1.5KW,品牌:Bourns,封装:DO-214AB,参数:配置: Single; 方向类型: Bi-Directional; 峰值脉冲功率耗散: 1500(Min) W; 最大峰值脉冲电流: 6.2 A...
1N6051A, 瞬态电压抑制器, TVS二极管, 参数: Single Bi-Dir 28V 1.5KW,品牌:Microsemi,封装:DO-13,参数:配置: Single; 方向类型: Bi-Directional; 峰值脉冲功率耗散: 1500 W; 最大峰值脉冲电流: 33 A; 最大反向漏电流: 5 uA...
SA48AHE3, 瞬态电压抑制器, TVS二极管, 参数: Single Uni-Dir 48V 500W,品牌:Vishay,封装:DO-15,参数:配置: Single; 方向类型: Uni-Directional; 峰值脉冲功率耗散: 500 W; 最大峰值脉冲电流: 6.5 A; 最大反向漏电流: 1 uA;...
SM16LC05C, 瞬态电压抑制器, TVS二极管, 参数: Octal Bi-Dir 5V 300W,品牌:Microsemi,封装:SOIC-16,参数:配置: Octal; 方向类型: Bi-Directional; 峰值脉冲功率耗散: 300 W; 最大峰值脉冲电流: 5 A; 最大反向漏电流: 20 uA;...
BZG04-75TR, 瞬态电压抑制器, TVS二极管, 参数: Single 75V 300W,品牌:Vishay,封装:SMA,参数:配置: Single; 峰值脉冲功率耗散: 300 W; 最大峰值脉冲电流: 2.4 A; 最大反向漏电流: 5 uA; 最大钳位电压: 126 V; 最大反向关态电压: 75 V;...
1SMB36AT3G, 瞬态电压抑制器, TVS二极管, 参数: Single Uni-Dir 36V 600W,品牌:ON,封装:SMB,参数:配置: Single; 方向类型: Uni-Directional; 峰值脉冲功率耗散: 600 W; 最大峰值脉冲电流: 10.3 A; 最大反向漏电流: 5 uA; 最大...
CM1215-02SR,ESD静电抑制器,二极管阵列,品牌:ON,封装:SOT-143-4,参数:类型:Diode Arrays; 引脚数量:4; 方向类型:Uni-Directional; 最大钳位电压:7(Typ) V; 每芯片单元数目:2; ESD保护电压:±15(Min)@Contact Disc kV; 最大...
1.5KE400A-B, 瞬态电压抑制器, TVS二极管, 参数: Single Uni-Dir 342V 1.5KW,品牌:Diodes,封装:DO-201,参数:配置: Single; 方向类型: Uni-Directional; 峰值脉冲功率耗散: 1500 W; 最大峰值脉冲电流: 4 A; 最大反向漏电流: ...
EPS28, 瞬态电压抑制器, TVS二极管, 参数: Single Bi-Dir 28V 1KW,品牌:Microsemi,封装:2Case A,参数:配置: Single; 方向类型: Bi-Directional; 峰值脉冲功率耗散: 1000 W; 最大峰值脉冲电流: 19.2 A; 最大反向漏电流: 1 uA...
MPT-22, 瞬态电压抑制器, TVS二极管, 参数: Single Uni-Dir 22V 1.5KW,品牌:Microsemi,封装:DO-13,参数:配置: Single; 方向类型: Uni-Directional; 峰值脉冲功率耗散: 1500 W; 最大峰值脉冲电流: 40 A; 最大反向漏电流: 2 u...
ICTE10CHE3, 瞬态电压抑制器, TVS二极管, 参数: Single Bi-Dir 10V 1.5KW,品牌:Vishay,封装:2Case,参数:配置: Single; 方向类型: Bi-Directional; 峰值脉冲功率耗散: 1500 W; 最大峰值脉冲电流: 90 A; 最大反向漏电流: 2 uA...
SMAJ8.0CA-E3, 瞬态电压抑制器, TVS二极管, 参数: Single Bi-Dir 8V 400W,品牌:Vishay,封装:SMA,参数:配置: Single; 方向类型: Bi-Directional; 峰值脉冲功率耗散: 400 W; 最大峰值脉冲电流: 29.4 A; 最大反向漏电流: 100 u...
SMBJ350E3, 瞬态电压抑制器, TVS二极管, 参数: Single Uni-Dir 600W,品牌:Microsemi,封装:DO-214AA,参数:配置: Single; 方向类型: Uni-Directional; 峰值脉冲功率耗散: 600 W; 工作温度: -65 to 150 ℃; 安装方式: Su...
P6KE43CA-E3, 瞬态电压抑制器, TVS二极管, 参数: Single Bi-Dir 36.8V 600W,品牌:Vishay,封装:DO-15,参数:配置: Single; 方向类型: Bi-Directional; 峰值脉冲功率耗散: 600 W; 最大峰值脉冲电流: 10.1 A; 最大反向漏电流: 1...
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