P6KE170A-E3, 瞬态电压抑制器, TVS二极管, 参数: Single Uni-Dir 145V 600W,品牌:Vishay,封装:DO-15,参数:配置: Single; 方向类型: Uni-Directional; 峰值脉冲功率耗散: 600 W; 最大峰值脉冲电流: 2.6 A; 最大反向漏电流: 1...
SMAJ70A-13-F, 瞬态电压抑制器, TVS二极管, 参数: Single Uni-Dir 70V 400W,品牌:Diodes,封装:SMA,参数:配置: Single; 方向类型: Uni-Directional; 峰值脉冲功率耗散: 400 W; 最大峰值脉冲电流: 3.5 A; 最大反向漏电流: 5 u...
1N6124A, 瞬态电压抑制器, TVS二极管, 参数: Single Bi-Dir 42.6V 500W,品牌:Microsemi,封装:2Case E,参数:配置: Single; 方向类型: Bi-Directional; 峰值脉冲功率耗散: 500 W; 最大峰值脉冲电流: 6.5 A; 最大反向漏电流: 1...
SMBJ70E3, 瞬态电压抑制器, TVS二极管, 参数: Single Uni-Dir 70V 600W,品牌:Microsemi,封装:DO-214AA,参数:配置: Single; 方向类型: Uni-Directional; 峰值脉冲功率耗散: 600 W; 最大峰值脉冲电流: 4.8 A; 最大反向漏电流:...
SMPC8.5A-M3, 瞬态电压抑制器, TVS二极管, 参数: Single Uni-Dir 8.5V 1.5KW,品牌:Vishay,封装:3SMPC,参数:配置: Single; 方向类型: Uni-Directional; 峰值脉冲功率耗散: 1500 W; 最大峰值脉冲电流: 104.2 A; 最大反向漏电...
D1213A-01T-7,ESD静电抑制器,二极管阵列,品牌:Diodes,封装:SOD-523-2,参数:类型:Diode Arrays; 引脚数量:2; 方向类型:Uni-Directional; 最大钳位电压:10(Typ) V; 每芯片单元数目:1; ESD保护电压:±15@Air Gap/±8@Contact...
SMF12A-E3-08, 瞬态电压抑制器, TVS二极管, 参数: Single Uni-Directional 1000W,品牌:Vishay,封装:2SMF,参数:配置: Single; 方向类型: Uni-Directional; 峰值脉冲功率耗散: 1000 W; 最大峰值脉冲电流: 10.1 A; 最大反向...
TMPG06-30AHE3, 瞬态电压抑制器, TVS二极管, 参数: Single Uni-Dir 25.6V 400W,品牌:Vishay,封装:2Case MPG06,参数:配置: Single; 方向类型: Uni-Directional; 峰值脉冲功率耗散: 400 W; 最大峰值脉冲电流: 9.7 A; 最...
SM8S36AHE3, 瞬态电压抑制器, TVS二极管, 参数: Single Uni-Dir 36V 6.6KW,品牌:Vishay,封装:DO-218AB,参数:配置: Single; 方向类型: Uni-Directional; 峰值脉冲功率耗散: 6600 W; 最大峰值脉冲电流: 114 A; 最大反向漏电流...
SMCJ6064E3, 瞬态电压抑制器, TVS二极管, 参数: Single Bi-Dir 90V 1.5KW,品牌:Microsemi,封装:DO-214AB,参数:配置: Single; 方向类型: Bi-Directional; 峰值脉冲功率耗散: 1500 W; 最大峰值脉冲电流: 9.5 A; 最大反向漏电...
MAX3205EABL-T,ESD静电抑制器,二极管阵列,品牌:Maxim,封装:UCSP-9,参数:类型:Diode Arrays; 引脚数量:9; 方向类型:Uni-Directional; 最大钳位电压:105.5 V; 每芯片单元数目:6; ESD保护电压:±15@Air Gap/±8@Contact Disc...
SMCJ18E3, 瞬态电压抑制器, TVS二极管, 参数: Single Uni-Dir 18V 1.5KW,品牌:Microsemi,封装:DO-214AB,参数:配置: Single; 方向类型: Uni-Directional; 峰值脉冲功率耗散: 1500 W; 最大峰值脉冲电流: 46.6 A; 最大反向漏...
SMCJ28CA-M3, 瞬态电压抑制器, TVS二极管, 参数: Single Bi-Dir 28V 1.5KW,品牌:Vishay,封装:SMC,参数:配置: Single; 方向类型: Bi-Directional; 峰值脉冲功率耗散: 1500 W; 最大峰值脉冲电流: 33 A; 最大反向漏电流: 1 uA;...
SMCJ6065A, 瞬态电压抑制器, TVS二极管, 参数: Single Bi-Dir 100V 1.5KW,品牌:Microsemi,封装:DO-214AB,参数:配置: Single; 方向类型: Bi-Directional; 峰值脉冲功率耗散: 1500 W; 最大峰值脉冲电流: 8.9 A; 最大反向漏电...
SMBJ58AE3, 瞬态电压抑制器, TVS二极管, 参数: Single Uni-Dir 58V 600W,品牌:Microsemi,封装:DO-214AA,参数:配置: Single; 方向类型: Uni-Directional; 峰值脉冲功率耗散: 600 W; 最大峰值脉冲电流: 6.4 A; 最大反向漏电流...
SMAJ26AE3, 瞬态电压抑制器, TVS二极管, 参数: Single Uni-Dir 26V 500W,品牌:Microsemi,封装:DO-214AC,参数:配置: Single; 方向类型: Uni-Directional; 峰值脉冲功率耗散: 500 W; 最大峰值脉冲电流: 11.9 A; 最大反向漏电...
SMAJ7.0CA-E3, 瞬态电压抑制器, TVS二极管, 参数: Single Bi-Dir 7V 400W,品牌:Vishay,封装:SMA,参数:配置: Single; 方向类型: Bi-Directional; 峰值脉冲功率耗散: 400 W; 最大峰值脉冲电流: 33.3 A; 最大反向漏电流: 400 u...
SM6T6V8AY, 瞬态电压抑制器, TVS二极管, 参数: Single Uni-Dir 5.8V 600W,品牌:ST,封装:SMB,参数:配置: Single; 方向类型: Uni-Directional; 峰值脉冲功率耗散: 600 W; 最大峰值脉冲电流: 298 A; 最大反向漏电流: 20 uA; 最大...
SATAULC6-2P6,ESD静电抑制器,品牌:STMicroelectronics,封装:SOT-666-6,参数:引脚数量:6; 方向类型:Uni-Directional; 最大钳位电压:19 V; 每芯片单元数目:2; ESD保护电压:±15@Air Gap/±15@Contact Disc KV; 最大漏电流...
STIEC45-28AS,ESD静电抑制器,品牌:STMicroelectronics,封装:DO-214AB-2,参数:引脚数量:2; 最大钳位电压:49 V; ESD保护电压:15@Air Gap/8@Contact Disc/25@HBM KV; 最大工作电压:28 V; 最大漏电流:0.2 uA; 最低工作温度...
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