SMBJ7.5AE3, 瞬态电压抑制器, TVS二极管, 参数: Single Uni-Dir 7.5V 600W,品牌:Microsemi,封装:DO-214AA,参数:配置: Single; 方向类型: Uni-Directional; 峰值脉冲功率耗散: 600 W; 最大峰值脉冲电流: 46.5 A; 最大反向...
1.5KE350A-T, 瞬态电压抑制器, TVS二极管, 参数: Single Uni-Dir 300V 1.5KW,品牌:Diodes,封装:DO-201,参数:配置: Single; 方向类型: Uni-Directional; 峰值脉冲功率耗散: 1500 W; 最大峰值脉冲电流: 4 A; 最大反向漏电流: ...
SMAJ150A-13-F, 瞬态电压抑制器, TVS二极管, 参数: Single Uni-Dir 150V 400W,品牌:Diodes,封装:SMA,参数:配置: Single; 方向类型: Uni-Directional; 峰值脉冲功率耗散: 400 W; 最大峰值脉冲电流: 1.6 A; 最大反向漏电流: 5...
SMBJ100E3, 瞬态电压抑制器, TVS二极管, 参数: Single Uni-Dir 100V 600W,品牌:Microsemi,封装:DO-214AA,参数:配置: Single; 方向类型: Uni-Directional; 峰值脉冲功率耗散: 600 W; 最大峰值脉冲电流: 3.4 A; 最大反向漏电...
TPD2E001DRLR,ESD静电抑制器,二极管阵列,品牌:TI,封装:SOT-5,参数:类型:Diode Arrays; 引脚数量:5; 方向类型:Uni-Directional; 最大钳位电压:105.5 V; 每芯片单元数目:2; ESD保护电压:±15@Air Gap/±8@Contact Disc/±15@...
1.5KE16A-B, 瞬态电压抑制器, TVS二极管, 参数: Single Uni-Dir 13.6V 1.5KW,品牌:Diodes,封装:DO-201,参数:配置: Single; 方向类型: Uni-Directional; 峰值脉冲功率耗散: 1500 W; 最大峰值脉冲电流: 67 A; 最大反向漏电流:...
SZ1SMB48AT3G, 瞬态电压抑制器, TVS二极管, 参数: Single Uni-Dir 48V 600W,品牌:ON,封装:SMB,参数:配置: Single; 方向类型: Uni-Directional; 峰值脉冲功率耗散: 600 W; 最大峰值脉冲电流: 7.7 A; 最大反向漏电流: 5 uA; 最...
CD143A-SR3.3,ESD静电抑制器,二极管阵列,品牌:Bourns,封装:SOT-143-4,参数:类型:Diode Arrays; 引脚数量:4; 方向类型:Uni-Directional; 最大钳位电压:15 V; 每芯片单元数目:2; ESD保护电压:±30@Air Gap/±30@Contact Dis...
P6KE300CA, 瞬态电压抑制器, TVS二极管, 参数: Single Bi-Dir 256V 600W,品牌:Fairchild,封装:DO-15,参数:配置: Single; 方向类型: Bi-Directional; 峰值脉冲功率耗散: 600 W; 最大峰值脉冲电流: 1.5 A; 最大反向漏电流: 5 ...
CD214A-T150CALF, 瞬态电压抑制器, TVS二极管, 参数: Single Bi-Dir 150V 400W,品牌:Bourns,封装:SMA,参数:配置: Single; 方向类型: Bi-Directional; 峰值脉冲功率耗散: 400(Min) W; 最大峰值脉冲电流: 1.6 A; 最大反向漏...
SMLJ90CAE3, 瞬态电压抑制器, TVS二极管, 参数: Single Bi-Dir 90V 3KW,品牌:Microsemi,封装:DO-214AB,参数:配置: Single; 方向类型: Bi-Directional; 峰值脉冲功率耗散: 3000 W; 最大峰值脉冲电流: 20.6 A; 最大反向漏电流...
NUP1301ML3T1G,ESD静电抑制器,二极管阵列,品牌:ON,封装:SOT-23-3,参数:类型:Diode Arrays; 引脚数量:3; 方向类型:Uni-Directional; 每芯片单元数目:2; ESD保护电压:15@Air Gap/8@Contact Disc kV; 最大工作电压:70 V; 最...
MAX3204EEWT+,ESD静电抑制器,二极管阵列,品牌:Maxim,封装:WLP-6,参数:类型:Diode Arrays; 配置:Quad; 引脚数量:6; 方向类型:Uni-Directional; 每芯片单元数目:4; ESD保护电压:±15@Air Gap|±8@Contact Disc|±15@HBM ...
1.5KE18CAHE3, 瞬态电压抑制器, TVS二极管, 参数: Single Bi-Dir 15.3V 1.5KW,品牌:Vishay,封装:2Case,参数:配置: Single; 方向类型: Bi-Directional; 峰值脉冲功率耗散: 1500 W; 最大峰值脉冲电流: 59.5 A; 最大反向漏电流...
SMLJ10A, 瞬态电压抑制器, TVS二极管, 参数: Single Uni-Dir 10V 3KW,品牌:Microsemi,封装:DO-214AB,参数:配置: Single; 方向类型: Uni-Directional; 峰值脉冲功率耗散: 3000 W; 最大峰值脉冲电流: 176.4 A; 最大反向漏电流...
P4SMA9.1AHE3, 瞬态电压抑制器, TVS二极管, 参数: Single Uni-Dir 7.78V 400W,品牌:Vishay,封装:SMA,参数:配置: Single; 方向类型: Uni-Directional; 峰值脉冲功率耗散: 400 W; 最大峰值脉冲电流: 29.9 A; 最大反向漏电流: ...
1N6132AUS, 瞬态电压抑制器, TVS二极管, 参数: Single Bi-Dir 91.2V 500W,品牌:Microsemi,封装:E-MELF-2,参数:配置: Single; 方向类型: Bi-Directional; 峰值脉冲功率耗散: 500 W; 最大峰值脉冲电流: 3 A; 最大反向漏电流: ...
1SMC48AT3G, 瞬态电压抑制器, TVS二极管, 参数: Single Uni-Dir 48V 1.5KW,品牌:ON,封装:SMC,参数:配置: Single; 方向类型: Uni-Directional; 峰值脉冲功率耗散: 1500 W; 最大峰值脉冲电流: 19.4 A; 最大反向漏电流: 5 uA; ...
P6KE170CA-E3, 瞬态电压抑制器, TVS二极管, 参数: Single Bi-Dir 145V 600W,品牌:Vishay,封装:DO-15,参数:配置: Single; 方向类型: Bi-Directional; 峰值脉冲功率耗散: 600 W; 最大峰值脉冲电流: 2.6 A; 最大反向漏电流: 1 ...
1N6283A-E3, 瞬态电压抑制器, TVS二极管, 参数: Single Uni-Dir 28.2V 1.5KW,品牌:Vishay,封装:2Case,参数:配置: Single; 方向类型: Uni-Directional; 峰值脉冲功率耗散: 1500 W; 最大峰值脉冲电流: 32.8 A; 最大反向漏电流...
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