SMBJ15A-HE3, 瞬态电压抑制器, TVS二极管, 参数: Single Uni-Dir 15V 600W,品牌:Vishay,封装:SMB,参数:配置: Single; 方向类型: Uni-Directional; 峰值脉冲功率耗散: 600 W; 最大峰值脉冲电流: 24.6 A; 最大反向漏电流: 1 u...
5KP170CE3, 瞬态电压抑制器, TVS二极管, 参数: Single Bi-Dir 5KW,品牌:Microsemi,封装:2Case 5A,参数:配置: Single; 方向类型: Bi-Directional; 峰值脉冲功率耗散: 5000 W; 工作温度: -65 to 150 ℃; 安装方式: Thro...
P6KE68AHE3, 瞬态电压抑制器, TVS二极管, 参数: Single Uni-Dir 58.1V 600W,品牌:Vishay,封装:DO-15,参数:配置: Single; 方向类型: Uni-Directional; 峰值脉冲功率耗散: 600 W; 最大峰值脉冲电流: 6.5 A; 最大反向漏电流: 1...
SMCJ18CE3, 瞬态电压抑制器, TVS二极管, 参数: Single Bi-Dir 18V 1.5KW,品牌:Microsemi,封装:DO-214AB,参数:配置: Single; 方向类型: Bi-Directional; 峰值脉冲功率耗散: 1500 W; 最大峰值脉冲电流: 46.6 A; 最大反向漏电...
1N6300AE3, 瞬态电压抑制器, TVS二极管, 参数: Single Uni-Dir 136V 1.5KW,品牌:Microsemi,封装:2Case 1,参数:配置: Single; 方向类型: Uni-Directional; 峰值脉冲功率耗散: 1500 W; 最大峰值脉冲电流: 6.8 A; 最大反向漏...
ESD102U405LE6327XTSA1,ESD静电抑制器,二极管阵列,品牌:Infineon,封装:TSLP-5,参数:类型:Diode Arrays; 配置:Quad; 引脚数量:5; 方向类型:Uni-Directional; 最大钳位电压:13.2 V; 每芯片单元数目:4; ESD保护电压:±24@Air ...
1.5KE130CAHE3, 瞬态电压抑制器, TVS二极管, 参数: Single Bi-Dir 111V 1.5KW,品牌:Vishay,封装:2Case,参数:配置: Single; 方向类型: Bi-Directional; 峰值脉冲功率耗散: 1500 W; 最大峰值脉冲电流: 8.4 A; 最大反向漏电流:...
SMBJ170AHE3, 瞬态电压抑制器, TVS二极管, 参数: Single Uni-Dir 170V 600W,品牌:Vishay,封装:SMB,参数:配置: Single; 方向类型: Uni-Directional; 峰值脉冲功率耗散: 600 W; 最大峰值脉冲电流: 2.2 A; 最大反向漏电流: 1 u...
SMBJ54CA-13-F, 瞬态电压抑制器, TVS二极管, 参数: Single Bi-Dir 54V 600W,品牌:Diodes,封装:SMB,参数:配置: Single; 方向类型: Bi-Directional; 峰值脉冲功率耗散: 600 W; 最大峰值脉冲电流: 6.9 A; 最大反向漏电流: 5 uA...
1.5SMC9.1AHE3, 瞬态电压抑制器, TVS二极管, 参数: Single Uni-Dir 7.78V 1.5KW,品牌:Vishay,封装:SMC,参数:配置: Single; 方向类型: Uni-Directional; 峰值脉冲功率耗散: 1500 W; 最大峰值脉冲电流: 112 A; 最大反向漏电流...
SMBJ26A, 瞬态电压抑制器, TVS二极管, 参数: Single Uni-Dir 26V 600W,品牌:Fairchild,封装:DO-214AA,参数:配置: Single; 方向类型: Uni-Directional; 峰值脉冲功率耗散: 600 W; 最大峰值脉冲电流: 14.3 A; 最大反向漏电流:...
SMCJ14CA-E3, 瞬态电压抑制器, TVS二极管, 参数: Single Bi-Dir 14V 1.5KW,品牌:Vishay,封装:SMC,参数:配置: Single; 方向类型: Bi-Directional; 峰值脉冲功率耗散: 1500 W; 最大峰值脉冲电流: 64.7 A; 最大反向漏电流: 1 u...
DFLT8V5A-7, 瞬态电压抑制器, TVS二极管, 参数: Single Uni-Dir 8.5V 1.125KW,品牌:Diodes,封装:2PowerDI 123,参数:配置: Single; 方向类型: Uni-Directional; 峰值脉冲功率耗散: 1125 W; 最大峰值脉冲电流: 15.6 A;...
DF10G7M1N,LF,ESD静电抑制器,二极管阵列,品牌:Toshiba,封装:DFN-10,参数:类型:Diode Arrays; 配置:Quad; 引脚数量:10; 方向类型:Uni-Directional; 最大钳位电压:12(Typ) V; 每芯片单元数目:4; ESD保护电压:±8@Contact Dis...
1N6150A, 瞬态电压抑制器, TVS二极管, 参数: Single Bi-Dir 16.7V 1.5KW,品牌:Microsemi,封装:2Case G,参数:配置: Single; 方向类型: Bi-Directional; 峰值脉冲功率耗散: 1500 W; 最大峰值脉冲电流: 49.2 A; 最大反向漏电流...
SZP6SMB33CAT3G, 瞬态电压抑制器, TVS二极管, 参数: Single Bi-Dir 28.2V 600W,品牌:ON,封装:SMB,参数:配置: Single; 方向类型: Bi-Directional; 峰值脉冲功率耗散: 600 W; 最大峰值脉冲电流: 13.2 A; 最大反向漏电流: 5 uA...
SMCJ54AE3, 瞬态电压抑制器, TVS二极管, 参数: Single Uni-Dir 54V 1.5KW,品牌:Microsemi,封装:DO-214AB,参数:配置: Single; 方向类型: Uni-Directional; 峰值脉冲功率耗散: 1500 W; 最大峰值脉冲电流: 17.2 A; 最大反向...
VPORT0603470MV12,多层压敏电阻ESD抑制器,品牌:INPAQ,封装:0603,参数:类型:Multilayer Varistor; 配置:Single; 引脚数量:2; 方向类型:Bi-Directional; 最大钳位电压:38 V; 每芯片单元数目:1; 最大工作电压:12 V; 最大漏电流:15 ...
CD214B-T45ALF, 瞬态电压抑制器, TVS二极管, 参数: Single Uni-Dir 45V 600W,品牌:Bourns,封装:SMB,参数:配置: Single; 方向类型: Uni-Directional; 峰值脉冲功率耗散: 600 W; 最大峰值脉冲电流: 8.3 A; 最大反向漏电流: 5 ...
SM6T6V8AY, 瞬态电压抑制器, TVS二极管, 参数: Single Uni-Dir 5.8V 600W,品牌:ST,封装:SMB,参数:配置: Single; 方向类型: Uni-Directional; 峰值脉冲功率耗散: 600 W; 最大峰值脉冲电流: 298 A; 最大反向漏电流: 20 uA; 最大...
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