SMBJ64CE3, 瞬态电压抑制器, TVS二极管, 参数: Single Bi-Dir 64V 600W,品牌:Microsemi,封装:DO-214AA,参数:配置: Single; 方向类型: Bi-Directional; 峰值脉冲功率耗散: 600 W; 最大峰值脉冲电流: 5.3 A; 最大反向漏电流: ...
1.5KE22CA-T, 瞬态电压抑制器, TVS二极管, 参数: Single Bi-Dir 18.8V 1.5KW,品牌:Diodes,封装:DO-201,参数:配置: Single; 方向类型: Bi-Directional; 峰值脉冲功率耗散: 1500 W; 最大峰值脉冲电流: 49 A; 最大反向漏电流: ...
SMCJ188A-TR, 瞬态电压抑制器, TVS二极管, 参数: Single Uni-Dir 188V 1.5KW,品牌:ST,封装:DO-214AB,参数:配置: Single; 方向类型: Uni-Directional; 峰值脉冲功率耗散: 1500 W; 最大峰值脉冲电流: 26 A; 最大反向漏电流: 0...
SMC3K28CA-M3, 瞬态电压抑制器, TVS二极管, 参数: Single Bi-Directional 28V 3KW,品牌:Vishay,封装:DO-214AB,参数:配置: Single; 方向类型: Bi-Directional; 峰值脉冲功率耗散: 3000 W; 最大峰值脉冲电流: 66.1 A; ...
P6KE400A-B, 瞬态电压抑制器, TVS二极管, 参数: Single Uni-Dir 342V 600W,品牌:Diodes,封装:DO-15,参数:配置: Single; 方向类型: Uni-Directional; 峰值脉冲功率耗散: 600 W; 最大峰值脉冲电流: 1.1 A; 最大反向漏电流: 5 ...
1SMB36CAT3G, 瞬态电压抑制器, TVS二极管, 参数: Single Bi-Dir 36V 600W,品牌:ON,封装:SMB,参数:配置: Single; 方向类型: Bi-Directional; 峰值脉冲功率耗散: 600 W; 最大峰值脉冲电流: 10.3 A; 最大反向漏电流: 5 uA; 最大钳...
SMCG8.0CAHE3, 瞬态电压抑制器, TVS二极管, 参数: Single Bi-Dir 8V 1.5KW,品牌:Vishay,封装:SMCG,参数:配置: Single; 方向类型: Bi-Directional; 峰值脉冲功率耗散: 1500 W; 最大峰值脉冲电流: 110.3 A; 最大反向漏电流: 1...
5KP45CAE3, 瞬态电压抑制器, TVS二极管, 参数: Single Bi-Dir 45V 5KW,品牌:Microsemi,封装:2Case 5A,参数:配置: Single; 方向类型: Bi-Directional; 峰值脉冲功率耗散: 5000 W; 最大峰值脉冲电流: 69 A; 最大反向漏电流: 1...
P6KE20CA, 瞬态电压抑制器, TVS二极管, 参数: Single Bi-Dir 17.1V 600W,品牌:Fairchild,封装:DO-15,参数:配置: Single; 方向类型: Bi-Directional; 峰值脉冲功率耗散: 600 W; 最大峰值脉冲电流: 22 A; 最大反向漏电流: 5 u...
BZG04-180TR3, 瞬态电压抑制器, TVS二极管, 参数: Single 180V 300W,品牌:Vishay,封装:SMA,参数:配置: Single; 峰值脉冲功率耗散: 300 W; 最大峰值脉冲电流: 1 A; 最大反向漏电流: 5 uA; 最大钳位电压: 305 V; 最大反向关态电压: 180 ...
TPSMP18AHM3, 瞬态电压抑制器, TVS二极管, 参数: Single Uni-Dir 15.3V 400W,品牌:Vishay,封装:DO-220AA,参数:配置: Single; 方向类型: Uni-Directional; 峰值脉冲功率耗散: 400 W; 最大峰值脉冲电流: 15.9 A; 最大反向漏...
HSP051-4N10,ESD静电抑制器,二极管阵列,品牌:STMicroelectronics,封装:UQFN-10,参数:类型:Diode Arrays; 配置:Quad; 引脚数量:10; 方向类型:Uni-Directional; 最大钳位电压:10 V; 每芯片单元数目:4; ESD保护电压:15@Air G...
TPD2E001DZDR,ESD静电抑制器,二极管阵列,品牌:TI,封装:SOP-4,参数:类型:Diode Arrays; 引脚数量:4; 方向类型:Uni-Directional; 最大钳位电压:105.5 V; 每芯片单元数目:2; ESD保护电压:±15@Air Gap/±8@Contact Disc/±15@...
SMAJ51CAHE3, 瞬态电压抑制器, TVS二极管, 参数: Single Bi-Dir 51V 400W,品牌:Vishay,封装:SMA,参数:配置: Single; 方向类型: Bi-Directional; 峰值脉冲功率耗散: 400 W; 最大峰值脉冲电流: 4.9 A; 最大反向漏电流: 1 uA; ...
SMBJ64AHE3, 瞬态电压抑制器, TVS二极管, 参数: Single Uni-Dir 64V 600W,品牌:Vishay,封装:SMB,参数:配置: Single; 方向类型: Uni-Directional; 峰值脉冲功率耗散: 600 W; 最大峰值脉冲电流: 5.8 A; 最大反向漏电流: 1 uA;...
TA6F7.5AHM3, 瞬态电压抑制器, TVS二极管, 参数: Single Uni-Directional 6.4V 600W,品牌:Vishay,封装:DO-221AC,参数:配置: Single; 方向类型: Uni-Directional; 峰值脉冲功率耗散: 600 W; 最大峰值脉冲电流: 53.1 A...
5KP7.5AE3, 瞬态电压抑制器, TVS二极管, 参数: Single Uni-Dir 7.5V 5KW,品牌:Microsemi,封装:2Case 5A,参数:配置: Single; 方向类型: Uni-Directional; 峰值脉冲功率耗散: 5000 W; 最大峰值脉冲电流: 388 A; 最大反向漏电...
SMA5J5.0A-M3, 瞬态电压抑制器, TVS二极管, 参数: Single Uni-Dir 5V 500W,品牌:Vishay,封装:SMA,参数:配置: Single; 方向类型: Uni-Directional; 峰值脉冲功率耗散: 500 W; 最大峰值脉冲电流: 54.3 A; 最大反向漏电流: 800...
RCLAMP0508M.T,ESD静电抑制器,二极管阵列,品牌:Semtech,封装:MSOP-10,参数:类型:Diode Arrays; 配置:Octal; 引脚数量:10; 方向类型:Uni-Directional; 最大钳位电压:25 V; 每芯片单元数目:8; ESD保护电压:15@Air Gap|8@Con...
1.5SMC8.2A-E3, 瞬态电压抑制器, TVS二极管, 参数: Single Uni-Dir 7.02V 1.5KW,品牌:Vishay,封装:SMC,参数:配置: Single; 方向类型: Uni-Directional; 峰值脉冲功率耗散: 1500 W; 最大峰值脉冲电流: 124 A; 最大反向漏电流...
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