P4SMA7.5AHE3, 瞬态电压抑制器, TVS二极管, 参数: Single Uni-Dir 6.4V 400W,品牌:Vishay,封装:SMA,参数:配置: Single; 方向类型: Uni-Directional; 峰值脉冲功率耗散: 400 W; 最大峰值脉冲电流: 35.4 A; 最大反向漏电流: 5...
LC20A, 瞬态电压抑制器, TVS二极管, 参数: Single Uni-Dir 20V 1.5KW,品牌:Microsemi,封装:DO-13,参数:配置: Single; 方向类型: Uni-Directional; 峰值脉冲功率耗散: 1500 W; 最大峰值脉冲电流: 46 A; 最大反向漏电流: 10 u...
5KP16CE3, 瞬态电压抑制器, TVS二极管, 参数: Single Bi-Dir 16V 5KW,品牌:Microsemi,封装:2Case 5A,参数:配置: Single; 方向类型: Bi-Directional; 峰值脉冲功率耗散: 5000 W; 最大峰值脉冲电流: 176 A; 最大反向漏电流: 1...
SMBG15A-E3, 瞬态电压抑制器, TVS二极管, 参数: Single Uni-Dir 15V 600W,品牌:Vishay,封装:SMBG,参数:配置: Single; 方向类型: Uni-Directional; 峰值脉冲功率耗散: 600 W; 最大峰值脉冲电流: 24.6 A; 最大反向漏电流: 1 u...
PTVS11VS1UR,115, 瞬态电压抑制器, TVS二极管, 参数: Single Uni-Dir 11V 400W,品牌:NXP,封装:SOD-123W,参数:配置: Single; 方向类型: Uni-Directional; 峰值脉冲功率耗散: 400 W; 最大峰值脉冲电流: 22 A; 最大反向漏电流:...
MAX3208EEUB+,ESD静电抑制器,二极管阵列,品牌:Maxim,封装:uMAX-10,参数:类型:Diode Arrays; 引脚数量:10; 方向类型:Uni-Directional; 最大钳位电压:105.5 V; 每芯片单元数目:4; ESD保护电压:±15@Air Gap/±8@Contact Dis...
SM16LC05C, 瞬态电压抑制器, TVS二极管, 参数: Octal Bi-Dir 5V 300W,品牌:Microsemi,封装:SOIC-16,参数:配置: Octal; 方向类型: Bi-Directional; 峰值脉冲功率耗散: 300 W; 最大峰值脉冲电流: 5 A; 最大反向漏电流: 20 uA;...
TPSMP36AHM3, 瞬态电压抑制器, TVS二极管, 参数: Single Uni-Dir 30.8V 400W,品牌:Vishay,封装:DO-220AA,参数:配置: Single; 方向类型: Uni-Directional; 峰值脉冲功率耗散: 400 W; 最大峰值脉冲电流: 8 A; 最大反向漏电流:...
SMCJ5660AE3, 瞬态电压抑制器, TVS二极管, 参数: Single Uni-Dir 111V 1.5KW,品牌:Microsemi,封装:DO-214AB,参数:配置: Single; 方向类型: Uni-Directional; 峰值脉冲功率耗散: 1500 W; 最大峰值脉冲电流: 8.4 A; 最大...
SMCJ6.0CE3, 瞬态电压抑制器, TVS二极管, 参数: Single Bi-Dir 6V 1.5KW,品牌:Microsemi,封装:DO-214AB,参数:配置: Single; 方向类型: Bi-Directional; 峰值脉冲功率耗散: 1500 W; 最大峰值脉冲电流: 131.6 A; 最大反向漏...
CG0603MLC-12LE,ESD静电抑制器,品牌:Bourns,封装:2-Pin Case 0603,参数:引脚数量:2; 最大钳位电压:25(Typ) V; 每芯片单元数目:1; ESD保护电压:±25(Min)@Air Gap/±8(Min)@Contact Disc kV; 最大工作电压:12(Typ) V;...
SMCJ6069, 瞬态电压抑制器, TVS二极管, 参数: Single Bi-Dir 145V 1.5KW,品牌:Microsemi,封装:DO-214AB,参数:配置: Single; 方向类型: Bi-Directional; 峰值脉冲功率耗散: 1500 W; 最大峰值脉冲电流: 5.5 A; 最大反向漏电流...
SMAJ40CA-TR, 瞬态电压抑制器, TVS二极管, 参数: Single Bi-Dir 40V 400W,品牌:ST,封装:SMA,参数:配置: Single; 方向类型: Bi-Directional; 峰值脉冲功率耗散: 400 W; 最大峰值脉冲电流: 27 A; 最大反向漏电流: 0.2 uA; 最大钳...
P6KE300CA-E3, 瞬态电压抑制器, TVS二极管, 参数: Single Bi-Dir 256V 600W,品牌:Vishay,封装:DO-15,参数:配置: Single; 方向类型: Bi-Directional; 峰值脉冲功率耗散: 600 W; 最大峰值脉冲电流: 1.4 A; 最大反向漏电流: 1 ...
SMCJ9.0AHE3, 瞬态电压抑制器, TVS二极管, 参数: Single Uni-Dir 9V 1.5KW,品牌:Vishay,封装:SMC,参数:配置: Single; 方向类型: Uni-Directional; 峰值脉冲功率耗散: 1500 W; 最大峰值脉冲电流: 97.4 A; 最大反向漏电流: 10...
SMCJ33A-M3, 瞬态电压抑制器, TVS二极管, 参数: Single Uni-Dir 33V 1.5KW,品牌:Vishay,封装:SMC,参数:配置: Single; 方向类型: Uni-Directional; 峰值脉冲功率耗散: 1500 W; 最大峰值脉冲电流: 28.1 A; 最大反向漏电流: 1 ...
TQP200002,ESD静电抑制器,二极管阵列,品牌:Triquint,封装:TSLP-3,参数:类型:Diode Arrays; 配置:Dual; 引脚数量:3; 方向类型:Bi-Directional; 最大钳位电压:40 V; 每芯片单元数目:2; ESD保护电压:3@Air Gap|3@Contact Dis...
P4KE30D-E3, 瞬态电压抑制器, TVS二极管, 参数: Single Uni-Dir 25.6V 400W,品牌:Vishay,封装:DO-41,参数:配置: Single; 方向类型: Uni-Directional; 峰值脉冲功率耗散: 400 W; 最大峰值脉冲电流: 9.8 A; 最大反向漏电流: 1...
SMCJ28AE3, 瞬态电压抑制器, TVS二极管, 参数: Single Uni-Dir 28V 1.5KW,品牌:Microsemi,封装:DO-214AB,参数:配置: Single; 方向类型: Uni-Directional; 峰值脉冲功率耗散: 1500 W; 最大峰值脉冲电流: 33 A; 最大反向漏电...
SMBJ17E3, 瞬态电压抑制器, TVS二极管, 参数: Single Uni-Dir 17V 600W,品牌:Microsemi,封装:DO-214AA,参数:配置: Single; 方向类型: Uni-Directional; 峰值脉冲功率耗散: 600 W; 最大峰值脉冲电流: 19.7 A; 最大反向漏电流...
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