SMC3K33CAHM3, 瞬态电压抑制器, TVS二极管, 参数: Single Bi-Directional 33V 3KW,品牌:Vishay,封装:DO-214AB,参数:配置: Single; 方向类型: Bi-Directional; 峰值脉冲功率耗散: 3000 W; 最大峰值脉冲电流: 56.3 A; ...
BZW04-58RL, 瞬态电压抑制器, TVS二极管, 参数: Single Uni-Dir 58.1V 400W,品牌:ST,封装:DO-15,参数:配置: Single; 方向类型: Uni-Directional; 峰值脉冲功率耗散: 400 W; 最大峰值脉冲电流: 19 A; 最大反向漏电流: 1 uA; ...
SMC3K33CA-M3, 瞬态电压抑制器, TVS二极管, 参数: Single Bi-Directional 33V 3KW,品牌:Vishay,封装:DO-214AB,参数:配置: Single; 方向类型: Bi-Directional; 峰值脉冲功率耗散: 3000 W; 最大峰值脉冲电流: 56.3 A; ...
RCLAMP7002M.TBT,ESD静电抑制器,二极管阵列,品牌:Semtech,封装:MSOP-8,参数:类型:Diode Arrays; 引脚数量:8; 方向类型:Uni-Directional; 最大钳位电压:14.3 V; 每芯片单元数目:4; ESD保护电压:15@Air Gap/8@Contact Dis...
SMAJ5.0CA-TR, 瞬态电压抑制器, TVS二极管, 参数: Single Bi-Dir 5V 400W,品牌:ST,封装:SMA,参数:配置: Single; 方向类型: Bi-Directional; 峰值脉冲功率耗散: 400 W; 最大峰值脉冲电流: 174 A; 最大反向漏电流: 20 uA; 最大钳...
PTVS20VS1UR,115, 瞬态电压抑制器, TVS二极管, 参数: Single Uni-Dir 20V 400W,品牌:NXP,封装:SOD-123W,参数:配置: Single; 方向类型: Uni-Directional; 峰值脉冲功率耗散: 400 W; 最大峰值脉冲电流: 12.3 A; 最大反向漏电...
SMCJ7.0CE3, 瞬态电压抑制器, TVS二极管, 参数: Single Bi-Dir 7V 1.5KW,品牌:Microsemi,封装:DO-214AB,参数:配置: Single; 方向类型: Bi-Directional; 峰值脉冲功率耗散: 1500 W; 最大峰值脉冲电流: 112.8 A; 最大反向漏...
SMAJ6.0CA-E3, 瞬态电压抑制器, TVS二极管, 参数: Single Bi-Dir 6V 400W,品牌:Vishay,封装:SMA,参数:配置: Single; 方向类型: Bi-Directional; 峰值脉冲功率耗散: 400 W; 最大峰值脉冲电流: 38.8 A; 最大反向漏电流: 1600 ...
P6KE12ARLG, 瞬态电压抑制器, TVS二极管, 参数: Single Uni-Dir 10.2V 600W,品牌:ON,封装:2Case,参数:配置: Single; 方向类型: Uni-Directional; 峰值脉冲功率耗散: 600 W; 最大峰值脉冲电流: 36 A; 最大反向漏电流: 5 uA; ...
SMAJ64CA-E3, 瞬态电压抑制器, TVS二极管, 参数: Single Bi-Dir 64V 400W,品牌:Vishay,封装:SMA,参数:配置: Single; 方向类型: Bi-Directional; 峰值脉冲功率耗散: 400 W; 最大峰值脉冲电流: 3.9 A; 最大反向漏电流: 1 uA; ...
PTVS16VS1UTR,115, 瞬态电压抑制器, TVS二极管, 参数: Single Uni-Dir 16V 400W,品牌:NXP,封装:SOD-123W,参数:配置: Single; 方向类型: Uni-Directional; 峰值脉冲功率耗散: 400 W; 最大峰值脉冲电流: 15.4 A; 最大反向漏...
SMA6T82CAY, 瞬态电压抑制器, TVS二极管, 参数: Single Bi-Dir 70V 600W,品牌:ST,封装:SMA,参数:配置: Single; 方向类型: Bi-Directional; 峰值脉冲功率耗散: 600 W; 最大峰值脉冲电流: 27 A; 最大反向漏电流: 0.2 uA; 最大钳位...
SMCG20A-E3, 瞬态电压抑制器, TVS二极管, 参数: Single Uni-Dir 20V 1.5KW,品牌:Vishay,封装:SMCG,参数:配置: Single; 方向类型: Uni-Directional; 峰值脉冲功率耗散: 1500 W; 最大峰值脉冲电流: 46.3 A; 最大反向漏电流: 1...
SMCG170CAHE3, 瞬态电压抑制器, TVS二极管, 参数: Single Bi-Dir 170V 1.5KW,品牌:Vishay,封装:SMCG,参数:配置: Single; 方向类型: Bi-Directional; 峰值脉冲功率耗散: 1500 W; 最大峰值脉冲电流: 5.5 A; 最大反向漏电流: 1...
SMAJ12A-M3, 瞬态电压抑制器, TVS二极管, 参数: Single Uni-Dir 12V 400W,品牌:Vishay,封装:SMA,参数:配置: Single; 方向类型: Uni-Directional; 峰值脉冲功率耗散: 400 W; 最大峰值脉冲电流: 20.1 A; 最大反向漏电流: 1 uA...
TMPG06-18HE3, 瞬态电压抑制器, TVS二极管, 参数: Single Uni-Dir 14.5V 400W,品牌:Vishay,封装:2Case MPG06,参数:配置: Single; 方向类型: Uni-Directional; 峰值脉冲功率耗散: 400 W; 最大峰值脉冲电流: 15.1 A; 最...
SA5.0CAHE3, 瞬态电压抑制器, TVS二极管, 参数: Single Bi-Dir 5V 500W,品牌:Vishay,封装:DO-15,参数:配置: Single; 方向类型: Bi-Directional; 峰值脉冲功率耗散: 500 W; 最大峰值脉冲电流: 54.3 A; 最大反向漏电流: 1200 ...
LXES1TBCC2-004,ESD静电抑制器,二极管阵列,品牌:Murata,封装:QFN-4,参数:类型:Diode Arrays; 配置:Dual; 引脚数量:4; 方向类型:Uni-Directional; 每芯片单元数目:2; ESD保护电压:±15@Air Gap|±12@Contact Disc kV; ...
SMBJ12AE3, 瞬态电压抑制器, TVS二极管, 参数: Single Uni-Dir 12V 600W,品牌:Microsemi,封装:DO-214AA,参数:配置: Single; 方向类型: Uni-Directional; 峰值脉冲功率耗散: 600 W; 最大峰值脉冲电流: 30.2 A; 最大反向漏电...
SMCJ18CAE3, 瞬态电压抑制器, TVS二极管, 参数: Single Bi-Dir 18V 1.5KW,品牌:Microsemi,封装:DO-214AB,参数:配置: Single; 方向类型: Bi-Directional; 峰值脉冲功率耗散: 1500 W; 最大峰值脉冲电流: 51.4 A; 最大反向漏...
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