P4SMA33CAHE3
P4SMA33CAHE3, 瞬态电压抑制器, TVS二极管, 参数: Single Bi-Dir 28.2V 400W,品牌:Vishay,封装:SMA,参数:配置: Single; 方向类型: Bi-Directional; 峰值脉冲功率耗散: 400 W; 最大峰值脉冲电流: 8.8 A; 最大反向漏电流: 1 u...
SM6T24A-E3
SM6T24A-E3, 瞬态电压抑制器, TVS二极管, 参数: Single Uni-Dir 20.5V 600W,品牌:Vishay,封装:SMB,参数:配置: Single; 方向类型: Uni-Directional; 峰值脉冲功率耗散: 600 W; 最大峰值脉冲电流: 93 A; 最大反向漏电流: 1 uA...
1.5SMCJ100A_R2_00001
1.5SMCJ100A_R2_00001, 瞬态电压抑制器, TVS二极管, 参数: Single Uni-Dir 100V 1.5KW,品牌:Panjit,封装:SMC,参数:配置: Single; 方向类型: Uni-Directional; 峰值脉冲功率耗散: 1500 W; 最大峰值脉冲电流: 9.3 A; 最...
TMPG06-43AHE3
TMPG06-43AHE3, 瞬态电压抑制器, TVS二极管, 参数: Single Uni-Dir 36.8V 400W,品牌:Vishay,封装:2Case MPG06,参数:配置: Single; 方向类型: Uni-Directional; 峰值脉冲功率耗散: 400 W; 最大峰值脉冲电流: 6.7 A; 最...
SMCJLCE13AE3/TR7
SMCJLCE13AE3/TR7, 瞬态电压抑制器, TVS二极管, 参数: Single Uni-Dir 13V 1.5KW,品牌:Microsemi,封装:DO-214AB,参数:配置: Single; 方向类型: Uni-Directional; 峰值脉冲功率耗散: 1500 W; 最大峰值脉冲电流: 70 A;...
1N6172AUS
1N6172AUS, 瞬态电压抑制器, TVS二极管, 参数: Single Bi-Dir 136.8V 1.5KW,品牌:Microsemi,封装:2G-MELF,参数:配置: Single; 方向类型: Bi-Directional; 峰值脉冲功率耗散: 1500 W; 最大峰值脉冲电流: 6.1 A; 最大反向漏...
SMCJ6070A
SMCJ6070A, 瞬态电压抑制器, TVS二极管, 参数: Single Bi-Dir 160V 1.5KW,品牌:Microsemi,封装:DO-214AB,参数:配置: Single; 方向类型: Bi-Directional; 峰值脉冲功率耗散: 1500 W; 最大峰值脉冲电流: 5.4 A; 最大反向漏电...
SMCJ6059A
SMCJ6059A, 瞬态电压抑制器, TVS二极管, 参数: Single Bi-Dir 58V 1.5KW,品牌:Microsemi,封装:DO-214AB,参数:配置: Single; 方向类型: Bi-Directional; 峰值脉冲功率耗散: 1500 W; 最大峰值脉冲电流: 16.3 A; 最大反向漏电...
1.5SMC43CA-E3
1.5SMC43CA-E3, 瞬态电压抑制器, TVS二极管, 参数: Single Bi-Dir 36.8V 1.5KW,品牌:Vishay,封装:SMC,参数:配置: Single; 方向类型: Bi-Directional; 峰值脉冲功率耗散: 1500 W; 最大峰值脉冲电流: 25.3 A; 最大反向漏电流:...
RCLAMP0544T.TCT
RCLAMP0544T.TCT,ESD静电抑制器,二极管阵列,品牌:Semtech,封装:SMD-9,参数:类型:Diode Arrays; 引脚数量:9; 方向类型:Uni-Directional; 最大钳位电压:15 V; 每芯片单元数目:4; ESD保护电压:±18@Air Gap/±12@Contact Dis...
MMAD1108
MMAD1108,ESD静电抑制器,二极管阵列,品牌:Microsemi,封装:SOIC-16,参数:类型:Diode Arrays; 引脚数量:16; 方向类型:Uni-Directional; 每芯片单元数目:8; ESD保护电压:15@Air Gap/8@Contact Disc kV; 最大工作电压:75 V;...
SA170CAHE3
SA170CAHE3, 瞬态电压抑制器, TVS二极管, 参数: Single Bi-Dir 170V 500W,品牌:Vishay,封装:DO-15,参数:配置: Single; 方向类型: Bi-Directional; 峰值脉冲功率耗散: 500 W; 最大峰值脉冲电流: 1.8 A; 最大反向漏电流: 1 uA...
B72590D 150H 60
B72590D 150H 60,ESD静电抑制器,品牌:EPCOS(TDK),封装:SOD-723-2,参数:类型:CeraDiode; 引脚数量:2; 方向类型:Bi-Directional; 最大钳位电压:66 V; 每芯片单元数目:1; ESD保护电压:15@Air Gap/8@Contact Disc kV; ...
USB6B1
USB6B1,ESD静电抑制器,二极管阵列,品牌:STMicroelectronics,封装:SO-8 N,参数:类型:Diode Arrays; 引脚数量:8; 方向类型:Uni-Directional; 每芯片单元数目:2; ESD保护电压:15@Air Gap/8@Contact Disc kV; 最大漏电流:1...
SMAJ150CE3
SMAJ150CE3, 瞬态电压抑制器, TVS二极管, 参数: Single Bi-Dir 150V 500W,品牌:Microsemi,封装:DO-214AC,参数:配置: Single; 方向类型: Bi-Directional; 峰值脉冲功率耗散: 500 W; 最大峰值脉冲电流: 1.9 A; 最大反向漏电流...
P6KE200CAHE3
P6KE200CAHE3, 瞬态电压抑制器, TVS二极管, 参数: Single Bi-Dir 171V 600W,品牌:Vishay,封装:DO-15,参数:配置: Single; 方向类型: Bi-Directional; 峰值脉冲功率耗散: 600 W; 最大峰值脉冲电流: 2.2 A; 最大反向漏电流: 1 ...
SM1605
SM1605, 瞬态电压抑制器, TVS二极管, 参数: Octal Uni-Dir 5V 300W,品牌:Microsemi,封装:SOIC-16,参数:配置: Octal; 方向类型: Uni-Directional; 峰值脉冲功率耗散: 300 W; 最大峰值脉冲电流: 5 A; 最大反向漏电流: 20 uA; ...
1N6173AUS
1N6173AUS, 瞬态电压抑制器, TVS二极管, 参数: Single Bi-Dir 152V 1.5KW,品牌:Microsemi,封装:2G-MELF,参数:配置: Single; 方向类型: Bi-Directional; 峰值脉冲功率耗散: 1500 W; 最大峰值脉冲电流: 5.5 A; 最大反向漏电流...
SMBJ170A-E3
SMBJ170A-E3, 瞬态电压抑制器, TVS二极管, 参数: Single Uni-Dir 170V 600W,品牌:Vishay,封装:SMB,参数:配置: Single; 方向类型: Uni-Directional; 峰值脉冲功率耗散: 600 W; 最大峰值脉冲电流: 2.2 A; 最大反向漏电流: 1 u...
PTVS20VP1UTP,115
PTVS20VP1UTP,115, 瞬态电压抑制器, TVS二极管, 参数: Single Uni-Dir 20V 600W,品牌:NXP,封装:SOD-128,参数:配置: Single; 方向类型: Uni-Directional; 峰值脉冲功率耗散: 600 W; 最大峰值脉冲电流: 18.5 A; 最大反向漏电...