P4KE12A-E3, 瞬态电压抑制器, TVS二极管, 参数: Single Uni-Dir 10.2V 400W,品牌:Vishay,封装:DO-204AL,参数:配置: Single; 方向类型: Uni-Directional; 峰值脉冲功率耗散: 400 W; 最大峰值脉冲电流: 24 A; 最大反向漏电流:...
SMB8J8.0CAHE3, 瞬态电压抑制器, TVS二极管, 参数: Single Bi-Dir 8V 800W,品牌:Vishay,封装:SMB,参数:配置: Single; 方向类型: Bi-Directional; 峰值脉冲功率耗散: 800 W; 最大峰值脉冲电流: 58.8 A; 最大反向漏电流: 100 ...
RCLAMP0582N.TCT,ESD静电抑制器,二极管阵列,品牌:Semtech,封装:SLP-12,参数:类型:Diode Arrays; 引脚数量:12; 方向类型:Uni-Directional; 最大钳位电压:25 V; 每芯片单元数目:3; ESD保护电压:±20@Air Gap/±12@Contact D...
SMLJ120A, 瞬态电压抑制器, TVS二极管, 参数: Single Uni-Dir 120V 3KW,品牌:Bourns,封装:DO-214AB,参数:配置: Single; 方向类型: Uni-Directional; 峰值脉冲功率耗散: 3000(Min) W; 最大峰值脉冲电流: 15.6 A; 最大反向...
P6SMB75CA-E3, 瞬态电压抑制器, TVS二极管, 参数: Single Bi-Dir 64.1V 600W,品牌:Vishay,封装:SMB,参数:配置: Single; 方向类型: Bi-Directional; 峰值脉冲功率耗散: 600 W; 最大峰值脉冲电流: 5.8 A; 最大反向漏电流: 1 u...
1N6124US, 瞬态电压抑制器, TVS二极管, 参数: Single Bi-Dir 42.6V 500W,品牌:Microsemi,封装:E-MELF-2,参数:配置: Single; 方向类型: Bi-Directional; 峰值脉冲功率耗散: 500 W; 最大峰值脉冲电流: 6.5 A; 最大反向漏电流:...
SMLJ20AE3, 瞬态电压抑制器, TVS二极管, 参数: Single Uni-Dir 20V 3KW,品牌:Microsemi,封装:DO-214AB,参数:配置: Single; 方向类型: Uni-Directional; 峰值脉冲功率耗散: 3000 W; 最大峰值脉冲电流: 92.6 A; 最大反向漏电...
5KP40AE3, 瞬态电压抑制器, TVS二极管, 参数: Single Uni-Dir 40V 5KW,品牌:Microsemi,封装:2Case 5A,参数:配置: Single; 方向类型: Uni-Directional; 峰值脉冲功率耗散: 5000 W; 最大峰值脉冲电流: 78 A; 最大反向漏电流: ...
1N6152AUS, 瞬态电压抑制器, TVS二极管, 参数: Single Bi-Dir 20.6V 1.5KW,品牌:Microsemi,封装:2G-MELF,参数:配置: Single; 方向类型: Bi-Directional; 峰值脉冲功率耗散: 1500 W; 最大峰值脉冲电流: 40.1 A; 最大反向漏...
1SMB15AT3G, 瞬态电压抑制器, TVS二极管, 参数: Single Uni-Dir 15V 600W,品牌:ON,封装:SMB,参数:配置: Single; 方向类型: Uni-Directional; 峰值脉冲功率耗散: 600 W; 最大峰值脉冲电流: 24 A; 最大反向漏电流: 5 uA; 最大钳位...
MLVA02V05C033,ESD静电抑制器,品牌:Cooper Bussmann,封装:CSMD-2,参数:引脚数量:2; 最大钳位电压:30 V; 最大工作电压:5.5 V; 电容值:33 pF; 最低工作温度:-40 ℃; 最大工作温度:85 ℃; 安装方式:Surface Mount. 询报价及购买请致电:07...
1.5KE9.1CAHE3, 瞬态电压抑制器, TVS二极管, 参数: Single Bi-Dir 7.78V 1.5KW,品牌:Vishay,封装:2Case,参数:配置: Single; 方向类型: Bi-Directional; 峰值脉冲功率耗散: 1500 W; 最大峰值脉冲电流: 112 A; 最大反向漏电流...
SMAJ154A-TR, 瞬态电压抑制器, TVS二极管, 参数: Single Uni-Dir 154V 400W,品牌:ST,封装:SMA,参数:配置: Single; 方向类型: Uni-Directional; 峰值脉冲功率耗散: 400 W; 最大峰值脉冲电流: 7 A; 最大反向漏电流: 0.2 uA; 最...
1N6157A, 瞬态电压抑制器, TVS二极管, 参数: Single Bi-Dir 32.7V 1.5KW,品牌:Microsemi,封装:2Case G,参数:配置: Single; 方向类型: Bi-Directional; 峰值脉冲功率耗散: 1500 W; 最大峰值脉冲电流: 25.4 A; 最大反向漏电流...
1N6169, 瞬态电压抑制器, TVS二极管, 参数: Single Bi-Dir 98.8V 1.5KW,品牌:Semtech,封装:2Case,参数:配置: Single; 方向类型: Bi-Directional; 峰值脉冲功率耗散: 1500 W; 最大峰值脉冲电流: 8 A; 最大反向漏电流: 5 uA; ...
SMCJ6055, 瞬态电压抑制器, TVS二极管, 参数: Single Bi-Dir 38V 1.5KW,品牌:Microsemi,封装:DO-214AB,参数:配置: Single; 方向类型: Bi-Directional; 峰值脉冲功率耗散: 1500 W; 最大峰值脉冲电流: 22.2 A; 最大反向漏电流...
SMCG11CA-HE3, 瞬态电压抑制器, TVS二极管, 参数: Single Bi-Dir 11V 1.5KW,品牌:Vishay,封装:SMCG,参数:配置: Single; 方向类型: Bi-Directional; 峰值脉冲功率耗散: 1500 W; 最大峰值脉冲电流: 82.4 A; 最大反向漏电流: 5...
SMCG11AHE3, 瞬态电压抑制器, TVS二极管, 参数: Single Uni-Dir 11V 1.5KW,品牌:Vishay,封装:SMCG,参数:配置: Single; 方向类型: Uni-Directional; 峰值脉冲功率耗散: 1500 W; 最大峰值脉冲电流: 82.4 A; 最大反向漏电流: 5...
5KP11AE3, 瞬态电压抑制器, TVS二极管, 参数: Single Uni-Dir 11V 5KW,品牌:Microsemi,封装:2Case 5A,参数:配置: Single; 方向类型: Uni-Directional; 峰值脉冲功率耗散: 5000 W; 最大峰值脉冲电流: 274 A; 最大反向漏电流:...
SMCG28AHE3, 瞬态电压抑制器, TVS二极管, 参数: Single Uni-Dir 28V 1.5KW,品牌:Vishay,封装:SMCG,参数:配置: Single; 方向类型: Uni-Directional; 峰值脉冲功率耗散: 1500 W; 最大峰值脉冲电流: 33 A; 最大反向漏电流: 1 u...
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