1N6141AUS
1N6141AUS, 瞬态电压抑制器, TVS二极管, 参数: Single Bi-Dir 6.9V 1.5KW,品牌:Microsemi,封装:2G-MELF,参数:配置: Single; 方向类型: Bi-Directional; 峰值脉冲功率耗散: 1500 W; 最大峰值脉冲电流: 111.9 A; 最大反向漏...
SMBJ51A
SMBJ51A, 瞬态电压抑制器, TVS二极管, 参数: Single Uni-Dir 51V 600W,品牌:Fairchild,封装:DO-214AA,参数:配置: Single; 方向类型: Uni-Directional; 峰值脉冲功率耗散: 600 W; 最大峰值脉冲电流: 7.3 A; 最大反向漏电流: ...
DMF05LCFLP-7
DMF05LCFLP-7,ESD静电抑制器,二极管阵列,品牌:Diodes,封装:DFN-6 EP,参数:类型:Diode Arrays; 引脚数量:6; 方向类型:Uni-Directional; 最大钳位电压:12.5 V; 每芯片单元数目:5; ESD保护电压:30@Air Gap/30@Contact Disc...
1N5661A
1N5661A, 瞬态电压抑制器, TVS二极管, 参数: Single Uni-Dir 128V 1.5KW,品牌:Microsemi,封装:DO-13,参数:配置: Single; 方向类型: Uni-Directional; 峰值脉冲功率耗散: 1500 W; 最大峰值脉冲电流: 7.2 A; 最大反向漏电流: ...
SMCG120AHE3
SMCG120AHE3, 瞬态电压抑制器, TVS二极管, 参数: Single Uni-Dir 120V 1.5KW,品牌:Vishay,封装:SMCG,参数:配置: Single; 方向类型: Uni-Directional; 峰值脉冲功率耗散: 1500 W; 最大峰值脉冲电流: 7.8 A; 最大反向漏电流: ...
5KP45AE3
5KP45AE3, 瞬态电压抑制器, TVS二极管, 参数: Single Uni-Dir 45V 5KW,品牌:Microsemi,封装:2Case 5A,参数:配置: Single; 方向类型: Uni-Directional; 峰值脉冲功率耗散: 5000 W; 最大峰值脉冲电流: 69 A; 最大反向漏电流: ...
SA58A-E3
SA58A-E3, 瞬态电压抑制器, TVS二极管, 参数: Single Uni-Dir 58V 500W,品牌:Vishay,封装:DO-15,参数:配置: Single; 方向类型: Uni-Directional; 峰值脉冲功率耗散: 500 W; 最大峰值脉冲电流: 5.3 A; 最大反向漏电流: 1 uA;...
P4SMA62CAHE3
P4SMA62CAHE3, 瞬态电压抑制器, TVS二极管, 参数: Single Bi-Dir 53V 400W,品牌:Vishay,封装:SMA,参数:配置: Single; 方向类型: Bi-Directional; 峰值脉冲功率耗散: 400 W; 最大峰值脉冲电流: 4.7 A; 最大反向漏电流: 1 uA;...
SMCJ160CE3
SMCJ160CE3, 瞬态电压抑制器, TVS二极管, 参数: Single Bi-Dir 160V 1.5KW,品牌:Microsemi,封装:DO-214AB,参数:配置: Single; 方向类型: Bi-Directional; 峰值脉冲功率耗散: 1500 W; 最大峰值脉冲电流: 5.2 A; 最大反向漏...
BZW04-9V4B-E3
BZW04-9V4B-E3, 瞬态电压抑制器, TVS二极管, 参数: Single Bi-Dir 9.4V 400W,品牌:Vishay,封装:DO-204AL,参数:配置: Single; 方向类型: Bi-Directional; 峰值脉冲功率耗散: 400 W; 最大峰值脉冲电流: 25.7 A; 最大反向漏电...
1.5KE12A-B
1.5KE12A-B, 瞬态电压抑制器, TVS二极管, 参数: Single Uni-Dir 10.2V 1.5KW,品牌:Diodes,封装:DO-201,参数:配置: Single; 方向类型: Uni-Directional; 峰值脉冲功率耗散: 1500 W; 最大峰值脉冲电流: 90 A; 最大反向漏电流:...
SMAJ30E3
SMAJ30E3, 瞬态电压抑制器, TVS二极管, 参数: Single Uni-Dir 30V 500W,品牌:Microsemi,封装:DO-214AC,参数:配置: Single; 方向类型: Uni-Directional; 峰值脉冲功率耗散: 500 W; 最大峰值脉冲电流: 9.3 A; 最大反向漏电流:...
MAX3206EETC+T
MAX3206EETC+T,ESD静电抑制器,二极管阵列,品牌:Maxim,封装:TQFN-12 EP,参数:类型:Diode Arrays; 引脚数量:12; 方向类型:Uni-Directional; 最大钳位电压:105.5 V; 每芯片单元数目:6; ESD保护电压:±15@Air Gap/±8@Contact...
SMCJ78AE3
SMCJ78AE3, 瞬态电压抑制器, TVS二极管, 参数: Single Uni-Dir 78V 1.5KW,品牌:Microsemi,封装:DO-214AB,参数:配置: Single; 方向类型: Uni-Directional; 峰值脉冲功率耗散: 1500 W; 最大峰值脉冲电流: 11.4 A; 最大反向...
3.0SMCJ24A-13
3.0SMCJ24A-13, 瞬态电压抑制器, TVS二极管, 参数: Single Uni-Dir 24V 3KW,品牌:Diodes,封装:SMC,参数:配置: Single; 方向类型: Uni-Directional; 峰值脉冲功率耗散: 3000 W; 最大峰值脉冲电流: 77.1 A; 最大反向漏电流: 5...
BZW06-33B
BZW06-33B, 瞬态电压抑制器, TVS二极管, 参数: Single Bi-Dir 33.3V 600W,品牌:ST,封装:DO-15,参数:配置: Single; 方向类型: Bi-Directional; 峰值脉冲功率耗散: 600 W; 最大峰值脉冲电流: 57 A; 最大反向漏电流: 1 uA; 最大钳...
RCLAMP0504F.TCT
RCLAMP0504F.TCT,ESD静电抑制器,二极管阵列,品牌:Semtech,封装:SC-70-6,参数:类型:Diode Arrays; 引脚数量:6; 最大钳位电压:25 V; 每芯片单元数目:4; ESD保护电压:15@Air Gap/8@Contact Disc kV; 最大工作电压:5 V; 最大漏电流...
SMA5J36A-E3
SMA5J36A-E3, 瞬态电压抑制器, TVS二极管, 参数: Single Uni-Dir 36V 500W,品牌:Vishay,封装:SMA,参数:配置: Single; 方向类型: Uni-Directional; 峰值脉冲功率耗散: 500 W; 最大峰值脉冲电流: 8.6 A; 最大反向漏电流: 1 uA...
RCLAMP0584J.TCT
RCLAMP0584J.TCT,ESD静电抑制器,二极管阵列,品牌:Semtech,封装:SLP-10,参数:类型:Diode Arrays; 配置:Quad; 引脚数量:10; 方向类型:Uni-Directional; 最大钳位电压:15 V; 每芯片单元数目:4; ESD保护电压:±18@Air Gap|±12@...
P6KE91CA
P6KE91CA, 瞬态电压抑制器, TVS二极管, 参数: Single Bi-Dir 77.8V 600W,品牌:Fairchild,封装:DO-15,参数:配置: Single; 方向类型: Bi-Directional; 峰值脉冲功率耗散: 600 W; 最大峰值脉冲电流: 4.8 A; 最大反向漏电流: 5 ...